ZHCSM50A February   2021  – July 2021 AMC3302-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 额定值
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
    11. 6.11 时序图
    12. 6.12 绝缘特性曲线
    13. 6.13 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能模块图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 模拟输入
      2. 7.3.2 数据隔离通道信号传输
      3. 7.3.3 模拟输出
      4. 7.3.4 隔离式直流/直流转换器
      5. 7.3.5 诊断输出
    4. 7.4 器件功能模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 分流电阻器阻值调整
        2. 8.2.2.2 输入滤波器设计
        3. 8.2.2.3 差分至单端输出转换
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 必做事项和禁止事项
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9 电源相关建议

AMC3302-Q1 由标称值为 3.3V 或 5V 的低侧电源 (VDD) 供电。TI 建议将 1nF 的低 ESR 去耦电容器（图 9-1 中的 C8）放置在尽可能靠近 VDD 引脚的位置，后跟一个 1µF 电容 (C9) 以滤除此电源路径。

直流/直流转换器的低侧通过靠近器件且位于 DCDC_IN 和 DCDC_GND 引脚之间的低 ESR 100nF 电容器 (C4) 去耦。除了尽可能靠近器件放置并连接到 DCDC_OUT 和 DCDC_HGND 引脚的低 ESR、1nF 电容器 (C3) 之外，使用 1µF 电容器 (C2) 对高侧去耦。

对于高侧 LDO，使用 1nF 的低 ESR 电容器 (C6)，尽可能靠近 AMC3302-Q1 放置，然后使用 100nF 去耦电容器 (C5)。

高侧接地基准 (HGND) 由连接到器件负输入端 (INN) 的分流电阻器端子提供。为获得更高 DC 精度，请使用单独的引线进行此连接，而不是直接在器件输入端将 HGND 短接至 INN。高侧直流/直流接地端子 (DCDC_HGND) 直接在器件引脚处短接到 HGND。

如图 9-1 所示，TI 建议在 INP、INN 和 HGND 信号线上放置铁氧体磁珠，以获得出色 EMI 性能。有关降低辐射发射的更多信息和元件选型指南，请参阅衰减 AMC3301 系列辐射发射 EMI 的最佳实践应用手册（可从 www.ti.com 下载）

图 9-1 解耦 AMC3302-Q1

在应用中出现的适用直流偏置条件下，电容器必须能够提供足够的有效电容。在实际条件下，通常仅使用多层陶瓷电容器 (MLCC) 标称电容的一小部分，因此在选择这些电容器时，必须考虑到这个因素。此问题在低厚度电容器中尤为严重，在该类电容器中，电容器越薄，电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置关系曲线，这大大简化了元件选型过程。

表 9-1 列出了适用于 AMC3302-Q1 的元件。此列表并不是详尽无遗。可能存在同样合适（或更好）的其他元件，但这些列出的元件已在 AMC3302-Q1 的开发过程中得到验证。

表 9-1 推荐的外部元件
说明 器件型号 制造商 大小（EIA，L x W）
VDD
C8 1nF ± 10%，X7R，50V 12065C102KAT2A(1) AVX 1206，3.2mm x 1.6mm
C0603C102K5RACTU Kemet（基美） 0603，1.6mm x 0.8mm
C9 1µF ± 10%，X7R，25V 12063C105KAT2A(1) AVX 1206，3.2mm x 1.6mm
CGA3E1X7R1E105K080AC TDK 0603，1.6mm x 0.8mm
直流/直流转换器
C4 100nF ± 10%，X7R，50V C0603C104K5RACAUTO Kemet（基美） 0603，1.6mm x 0.8mm
C3 1nF ± 10%，X7R，50V C0603C102K5RACTU Kemet（基美） 0603，1.6mm x 0.8mm
C2 1µF ± 10%，X7R，25V CGA3E1X7R1E105K080AC TDK 0603，1.6mm x 0.8mm
HLDO
C1 100nF ± 10%，X7R，50V C0603C104K5RACAUTO Kemet（基美） 0603，1.6mm x 0.8mm
C5 100nF ± 5%，NP0，50V C3216NP01H104J160AA(1) TDK 1206，3.2mm x 1.6mm
100nF ± 10%，X7R，50V C0603C104K5RACAUTO Kemet（基美） 0603，1.6mm x 0.8mm
C6 1nF ± 10%，X7R，50V 12065C102KAT2A(1) AVX 1206，3.2mm x 1.6mm
C0603C102K5RACTU Kemet（基美） 0603，1.6mm x 0.8mm
铁氧体磁珠
FB1、FB2、FB3 铁氧体磁珠(2) 74269244182 Wurth Elektronik（伍尔特电子） 0402，1.0mm x 0.5mm
BLM15HD182SH1 Murata（村田） 0402，1.0mm x 0.5mm
BKH1005LM182-T Taiyo Yuden（太阳诱电） 0402，1.0mm x 0.5mm
(1) 用于参数验证的元件。
(2) 没有用于参数验证的铁氧体磁珠。