ZHCSPP4B June   2022  – February 2025 ADC12QJ1600-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性：直流规格
    6. 5.6  电气特性：功耗
    7. 5.7  电气特性：AC 规范
    8. 5.8  开关特性
    9. 5.9  时序要求
    10. 5.10 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 模拟输入
        1. 6.3.1.1 模拟输入保护
        2. 6.3.1.2 满量程电压 (VFS) 调整
        3. 6.3.1.3 模拟输入失调电压调整
        4. 6.3.1.4 ADC 内核
          1. 6.3.1.4.1 ADC 工作原理
          2. 6.3.1.4.2 ADC 内核校准
          3. 6.3.1.4.3 模拟基准电压
          4. 6.3.1.4.4 ADC 超范围检测
          5. 6.3.1.4.5 误码率 (CER)
      2. 6.3.2 温度监测二极管
      3. 6.3.3 时间戳
      4. 6.3.4 时钟
        1. 6.3.4.1 转换器 PLL (C-PLL)，用于采样时钟生成
        2. 6.3.4.2 LVDS 时钟输出（PLLREFO±、TRIGOUT±）
        3. 6.3.4.3 可选 CMOS 时钟输出（ORC、ORD）
        4. 6.3.4.4 用于 JESD204C 子类 1 确定性延迟的 SYSREF
          1. 6.3.4.4.1 用于多器件同步和确定性延迟的 SYSREF 采集
          2. 6.3.4.4.2 SYSREF 位置检测器和采样位置选择（SYSREF 窗口）
      5. 6.3.5 JESD204C 接口
        1. 6.3.5.1  传输层
        2. 6.3.5.2  扰频器
        3. 6.3.5.3  链路层
        4. 6.3.5.4  8B 或 10B 链路层
          1. 6.3.5.4.1 数据编码（8B 或 10B）
          2. 6.3.5.4.2 多帧和本地多帧时钟 (LMFC)
          3. 6.3.5.4.3 代码组同步 (CGS)
          4. 6.3.5.4.4 初始通道对齐序列 (ILAS)
          5. 6.3.5.4.5 帧和多帧监控
        5. 6.3.5.5  64B 或 66B 链路层
          1. 6.3.5.5.1 64B 或 66B 编码
          2. 6.3.5.5.2 多块、扩展多块和本地扩展多块时钟 (LEMC)
            1. 6.3.5.5.2.1 使用同步报头的模块、多块和扩展多块对齐
              1. 6.3.5.5.2.1.1 循环冗余校验 (CRC) 模式
              2. 6.3.5.5.2.1.2 正向纠错 (FEC) 模式
          3. 6.3.5.5.3 初始通道对齐
          4. 6.3.5.5.4 模块、多块和扩展多块对齐监控
        6. 6.3.5.6  物理层
          1. 6.3.5.6.1 串行器/解串器预加重功能
        7. 6.3.5.7  JESD204C 启用
        8. 6.3.5.8  多器件同步和确定性延迟
        9. 6.3.5.9  在子类 0 系统中运行
        10. 6.3.5.10 报警监控
          1. 6.3.5.10.1 时钟翻转检测
          2. 6.3.5.10.2 FIFO 翻转检测
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 低功耗模式和高性能模式
      2. 6.4.2 JESD204C 模式
        1. 6.4.2.1 JESD204C 传输层数据格式
        2. 6.4.2.2 64B 或 66B 同步标头流配置
        3. 6.4.2.3 冗余数据模式（备选信道）
      3. 6.4.3 断电模式
      4. 6.4.4 测试模式
        1. 6.4.4.1 串行器测试模式详细信息
        2. 6.4.4.2 PRBS 测试模式
        3. 6.4.4.3 时钟图形模式
        4. 6.4.4.4 斜坡测试模式
        5. 6.4.4.5 近程和远程传输测试模式
          1. 6.4.4.5.1 近程传输测试模式
        6. 6.4.4.6 D21.5 测试模式
        7. 6.4.4.7 K28.5 测试模式
        8. 6.4.4.8 重复 ILA 测试模式
        9. 6.4.4.9 修改的 RPAT 测试模式
      5. 6.4.5 校准模式和修整
        1. 6.4.5.1 前台校准模式
        2. 6.4.5.2 后台校准模式
        3. 6.4.5.3 低功耗后台校准 (LPBG) 模式
      6. 6.4.6 偏移校准
      7. 6.4.7 修整
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 使用串行接口
      2. 6.5.2 SCS
      3. 6.5.3 SCLK
      4. 6.5.4 SDI
      5. 6.5.5 SDO
      6. 6.5.6 流模式
      7. 6.5.7 SPI_Register_Map 寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 激光雷达 (LiDAR) 数字转换器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 模拟前端要求
          2. 7.2.1.2.2 计算时钟和串行器/解串器频率
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 初始化设置
    4. 7.4 电源相关建议
      1. 7.4.1 电源时序
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
VDD 电源电压范围 VA19、1.9V 模拟电源(2) 1.8 1.9 2.0 V
VPLL19、PLL 电源(3) 1.8 1.9 2.0
VREFO、PLLREFO± 和 PLL 电荷泵电源(2) 1.8 1.9 2.0
VTRIG、TRIGOUT± 电源(4) 1.05 1.1 或 1.9 2.0
VA11、1.1V 模拟电源(2) 1.05 1.1 1.15
VD11、1.1V 数字电源(4) 1.05 1.1 1.15
VCMI 输入共模电压 INA+、INA–、INB+、INB–、INC+、INC–、IND+、IND–(2) 1.05 1.1 1.15 V
CLK+、CLK-、SYSREF+、SYSREF-(2)(5) 0 0.3 0.55
TMSTP+、TMSTP–(4)(6) 0 0.3 0.55
VID(DIFF) 输入电压、差分峰峰值电压 CLK+ 至 CLK–、SYSREF+ 至 SYSREF–、TMSTP+ 至 TMSTP– 0.4 1.0 2.0 VPP-DIFF
INA+、INA–、INB+、INB–、INC+、INC–、IND+、IND– 1.0(7)
VIH 高电平输入电压 SE_CLK 0.9 1.8 V
VIL 低电平输入电压 SE_CLK 0 0.3 V
IC_TD 温度二极管输入电流 TDIODE+ 至 TDIODE– 100 µA
CL BG 最大负载电容 50 pF
IO BG 最大输出电流 标称电压下降 2% 时的电流 140 µA
TA 自然通风条件下的工作温度范围 -55 125(1) °C
Tj 工作结温 150(1) °C
(1) 芯片的工作温度设计为 Tj = 150°C，Tj = 125°C 时器件和芯片金属化降级高达 150,000 POH 连续运行。但是，如果在高于 Tj = 105°C 结温下长时间使用，可能会增加封装时基故障 (FIT) 率。
(2) 测量至 AGND。
(3) 测量至 PGND。
(4) 测量至 DGND。
(5) TI 强烈建议对 CLK± 进行交流耦合，并将 DEVCLK_LVPECL_EN 设置为 0，以使 CLK± 自偏置到最佳输入共模电压，从而实现最高性能。TI 建议对 SYSREF± 进行交流耦合，除非需要直流耦合，在这种情况下，必须使用 LVPECL 输入模式 (SYSREF_LVPECL_EN = 1)。
(6) 无论是 TMSTP_LVPECL_EN=0 时的交流耦合，还是 TMSTP_LVPECL_EN=1 时的直流耦合，TMSTP± 都没有内部偏置，需要从外部对 TMSTP± 进行偏置。
(7) 当 INA± 或 INB± 的 VID 超出由 INA± 的 FS_RANGE_A 或 INB± 的 FS_RANGE_B 设置的编程满量程电压 (V FS) 时，ADC 输出代码将饱和。