电源管理

了解 TI 的 GaN 生态系统,包括 GaN FET 模块、GaN FET 驱动器和 GaN FET 控制器。

GaN FET 模块

将 GaN FET 和驱动器集成在方便易用的单个封装中。

GaN FET 驱动器

屡获殊荣的高速栅极驱动器,可实现高功率密度并简化设计,具有单通道和双通道低侧配置以及高侧/低侧配置。

GaN FET 控制器

模拟和数字控制器轻松与 GaN 产品配对以支持各种高频应用。

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正在寻找其他高压解决方案?这里正适合您。

从 GaN 解决方案到驱动器,TI 的创新型端到端功率转换解决方案具有高效率、高功率密度和高可靠性,能够让您在功耗更低的情况下进行更多操作。

为何使用 GaN?

  • 更低温:开关损耗降低到原来的三分之一
  • 更快速:实现 >5MHz的开关频率 
  • 更小巧:功率密度提高四倍
  • 更容易:在一个封装中集成 GaN FET、驱动器和保护功能
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GaN TIDesigns

利用我们的电源专家构建的 GaN 工具和技术资源,轻松评估 GaN 解决方案并将其集成到您的设计中。

  • 利用我们的高压、高效 PFC 和 LLC 参考设计进行设计,实现 LMG3410 600V GaN 功率级供电的电信和服务器 PSU
  • 利用 LMG5200 80V GaN 功率级实现多个单极 48V 功率转换设计
  • 检验我们的板:高压 GaN 开发板 LMG3410-HB-EVM 和 LMG34xx-BB-EVM
  • 利用我们丰富的技术内容,如 GaN 功率应用手册和模型
  • 在 Power House 博客和 GaN E2E 论坛中阅读 TI 电源专家提供的最新 GaN 知识
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为何选择 TI 的集成式 GaN FET 模块?

  • 方便易用 的单个 QFN 封装取代三个 CSP。
  • 优化布局 可最大限度降低电感,从而实现尽可能最低的开关损耗及干净的波形。增大的引线间距可满足爬电要求并且无需使用底层填料。
  • 增加功率密度,最大限度提高 dV/dt 抗扰度,并优化驱动力以便提高效率和降低噪声。
可靠性

可靠性

德州仪器 (TI) 作为半导体技术行业的领导者,长期向市场推出可靠的半导体产品,其中包括铁电随机存取存储器 (FRAM) 等非硅技术,并在这些方面拥有丰富经验。我们提供 GaN 相关鉴定方法和应用相关测试,因此非常适合向市场推出可靠的 GaN 产品。

GaN 生态系统

TI 致力于通过发展 GaN 生态系统来支持新的和独特的拓扑结构,从而减少应用障碍:

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GaN 设计支持

提问、分享知识并与同行工程师共同解决问题。

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GaN 参考设计

查看下方的特色 GaN 参考设计,或查看 TI 参考设计库中的所有 GaN 设计

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