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TI GaN 技术优势
开关速度比分立式 GaN FET 更快
我们具有集成驱动器的 GaN FET 可实现 150V/ns 的开关速度。这些开关速度与低电感封装相结合，可降低损耗、提供干净的开关功能并更大限度地减少振铃。
磁性元件更小、功率密度更高
我们的 GaN 器件具有更快的开关速度，可帮助您实现超过 500kHz 的开关频率，从而将磁性元件尺寸缩减高达 60%、提升性能并降低系统成本。
专为可靠性而构建
我们的 GaN 器件采用专有的硅基 GaN 工艺且已经过 4,000 多万小时的可靠性测试，并具备各种保护功能，旨在确保高压系统的安全。
专用设计工具和资源
借助我们的 GaN 设计资源缩短产品面市时间，这些资源包括功率损耗计算器、用于电路仿真的 PLECS 模型以及用于在更大系统中进行测试和运行的评估板。
为何选择 GaN
了解 GaN 技术
与传统的仅基于硅的解决方案相比，GaN 提供了更高的功率密度、更可靠的运行和更高的效率。请访问我们的技术页面，了解有关 GaN 作为功率晶体管技术的更多信息，探索特色 GaN 应用，聆听客户的反馈，亲身了解我们的 GaN 产品如何帮助您更大限度地减小下一次电源设计的重量、尺寸并降低成本。
可协助您进行设计的工具和资源
我们提供大量资源来协助您进行设计，并帮助您选择适合您应用的器件。我们的功率损耗计算工具可按用户指定的参数显示所选器件的功率损耗，帮助您进行产品选择。借助我们的 PLECS 模型，您可以模拟 GaN 器件的运行，从而估算 FET 结温，并在开通期间实现可调的压摆率。我们的半桥评估子卡还可用于在更大系统中进行测试和运行。
设计和开发资源
基于 GaN 的 11kW 双向三相 ANPC 参考设计
此参考设计提供了用于实现基于氮化镓 (GaN) 的三级三相 ANPC 逆变器功率级设计模板。使用快速开关型功率器件可实现 100kHz 的更高开关频率，不仅减小了滤波器磁性元件的尺寸，还提高了功率级的功率密度。多级拓扑允许在高达 1000V 的较高直流母线电压下使用额定电压为 600V 的功率器件。较低的开关电压应力可降低开关损耗，从而使峰值效率达到 98.5%。