如图 5-23 所示,满载 EVM 运行会导致 U1 封装温度非常高。在满载运行期间探测或操作 EVM 时,请小心不要触碰 U1 外壳。
VIN = 12V | VDD = 12 V | IVDD = 128.5 mA |
V+5V = 5.01V | I+5V = 0mA | POUT = 1.54W |
TRISE = 48°C(请参阅公式 1) |
图 5-23 VIN=12V,IVDD = 128.5mA,1.54W图 5-24 功率损耗和外壳温度与输入电压间的关系,TA=24.6°C,1.54W 方程式 1.
VIN = 12V | VDD = 12 V | IVDD = 0 mA |
V+5V = 5.01V | I+5V = 0mA | POUT = 0W |
TRISE = 6.6°C(请参阅公式 2) |
图 5-25 VIN=12V,IVDD = 0mA,POUT = 0W图 5-26 功率损耗和外壳温度与输入电压间的关系,TA=23.9°C,0W 方程式 2.