ZHCACS1 june   2023 DRA829J , DRA829V , TDA4VM

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 TDA4VM 上不同类型的存储器
  5. 2存储器概述和预期用途
    1. 2.1 PSROM
      1. 2.1.1 典型使用案例
    2. 2.2 PSRAM
      1. 2.2.1 典型使用案例
    3. 2.3 MSMC RAM
      1. 2.3.1 典型使用案例
      2. 2.3.2 相关链接
    4. 2.4 MSRAM
      1. 2.4.1 典型使用案例
    5. 2.5 ARM Cortex A72 子系统
      1. 2.5.1 L1/L2 高速缓存内存
      2. 2.5.2 L3 存储器
      3. 2.5.3 相关链接
    6. 2.6 ARM Cortex R5F 子系统
      1. 2.6.1 L1 存储器系统
      2. 2.6.2 高速缓存
      3. 2.6.3 紧耦合存储器 (TCM)
      4. 2.6.4 典型用例
      5. 2.6.5 相关链接
    7. 2.7 TI 的 C6x 子系统
      1. 2.7.1 存储器布局
      2. 2.7.2 相关链接
    8. 2.8 TI 的 C7x 子系统
      1. 2.8.1 存储器布局
      2. 2.8.2 相关链接
    9. 2.9 DDR 子系统
      1. 2.9.1 相关链接
  6. 3性能数据
    1. 3.1 SDK 数据表
    2. 3.2 存储器访问延迟
  7. 4使用不同存储器时的软件注意事项
    1. 4.1 如何修改 RTOS 固件的存储器映射
    2. 4.2 RTOS 内核和 HLOS 之间的 DDR 共享
    3. 4.3 引导加载程序使用的 MCU 片上 RAM
    4. 4.4 MSMC RAM 默认 SDK 使用情况
      1. 4.4.1 MSMC RAM 保留的段
      2. 4.4.2 MSMC RAM 配置为高速缓存和 SRAM
    5. 4.5 从 MCU R5F 中使用 ATCM
    6. 4.6 使用 DDR 从 R5F 执行代码
  8. 5总结

2.4 MSRAM

MSRAM 块提供一个存储器映射区域，此区域可用于存储不同类型的信息。它使用较高的事务处理问题速率总线接口，完全支持多个未完成的事务以及同时完成读取和写入事务。更多详细信息，请参阅器件特定 TRM 的导航器子系统 (NAVSS) 一章

器件上有两个 MSRAM：一个在主域中，大小为 512KB (MSRAM16KX256E0_RAM)；另一个在 MCU 域中，大小为 1MB (MCU_MSRAM_1MB0_RAM)。