ZHCACS1 june   2023 DRA829J , DRA829V , TDA4VM

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 TDA4VM 上不同类型的存储器
  5. 2存储器概述和预期用途
    1. 2.1 PSROM
      1. 2.1.1 典型使用案例
    2. 2.2 PSRAM
      1. 2.2.1 典型使用案例
    3. 2.3 MSMC RAM
      1. 2.3.1 典型使用案例
      2. 2.3.2 相关链接
    4. 2.4 MSRAM
      1. 2.4.1 典型使用案例
    5. 2.5 ARM Cortex A72 子系统
      1. 2.5.1 L1/L2 高速缓存内存
      2. 2.5.2 L3 存储器
      3. 2.5.3 相关链接
    6. 2.6 ARM Cortex R5F 子系统
      1. 2.6.1 L1 存储器系统
      2. 2.6.2 高速缓存
      3. 2.6.3 紧耦合存储器 (TCM)
      4. 2.6.4 典型用例
      5. 2.6.5 相关链接
    7. 2.7 TI 的 C6x 子系统
      1. 2.7.1 存储器布局
      2. 2.7.2 相关链接
    8. 2.8 TI 的 C7x 子系统
      1. 2.8.1 存储器布局
      2. 2.8.2 相关链接
    9. 2.9 DDR 子系统
      1. 2.9.1 相关链接
  6. 3性能数据
    1. 3.1 SDK 数据表
    2. 3.2 存储器访问延迟
  7. 4使用不同存储器时的软件注意事项
    1. 4.1 如何修改 RTOS 固件的存储器映射
    2. 4.2 RTOS 内核和 HLOS 之间的 DDR 共享
    3. 4.3 引导加载程序使用的 MCU 片上 RAM
    4. 4.4 MSMC RAM 默认 SDK 使用情况
      1. 4.4.1 MSMC RAM 保留的段
      2. 4.4.2 MSMC RAM 配置为高速缓存和 SRAM
    5. 4.5 从 MCU R5F 中使用 ATCM
    6. 4.6 使用 DDR 从 R5F 执行代码
  8. 5总结

2.6.4 典型用例

为了获得出色性能，可将局部特性较差的热数据和代码放置在 TCM 中。TCM 有时会加载一些启动代码以初始化 R5F 存储器保护单元 (MPU)，从而进一步执行 DDR 之外的代码。由于某些应用程序无法很好地缓存，有两个 TCM 接口允许连接到紧密耦合存储器（ATCM 和 BTCM）的可配置存储器块。ATCM 通常用于代码，而双端口 BTCM 用于数据。

  • ATCM 通常保存必须高速访问的中断或异常代码，而不会因缓存未命中而产生任何潜在延迟。
  • BTCM 通常保存一个数据块以进行密集处理，例如音频或视频处理。BTCM 采用双端口以增加带宽。
  • TCM 位于处理器外部。这在针对性能、功耗和 RAM 类型优化 TCM 子系统方面提供了灵活性。
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