ZHCSR20 November   2023 TPS6522005-EP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  系统控制阈值
    6. 5.6  BUCK1 转换器
    7. 5.7  BUCK2、BUCK3 转换器
    8. 5.8  通用 LDO（LDO1、LDO2）
    9. 5.9  通用 LDO（LDO3、LDO4）
    10. 5.10 GPIO 和多功能引脚（EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO1、GPO2、GPIO、MODE/RESET、MODE/STBY、VSEL_SD/VSEL_DDR）
    11. 5.11 电压和温度监测器
    12. 5.12 I2C 接口
    13. 5.13 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  上电时序
      2. 6.3.2  断电时序
      3. 6.3.3  按钮和使能输入 (EN/PB/VSENSE)
      4. 6.3.4  复位到 SoC (nRSTOUT)
      5. 6.3.5  降压转换器（Buck1、Buck2 和 Buck3）
        1. 6.3.5.1 双随机展频 (DRSS)
      6. 6.3.6  线性稳压器（LDO1 至 LDO4）
      7. 6.3.7  中断引脚 (nINT)
      8. 6.3.8  PWM/PFM 和低功耗模式 (MODE/STBY)
      9. 6.3.9  PWM/PFM 和复位 (MODE/RESET)
      10. 6.3.10 电压选择引脚 (VSEL_SD/VSEL_DDR)
      11. 6.3.11 通用输入或输出（GPO1、GPO2 和 GPIO）
      12. 6.3.12 与 I2C 兼容的接口
        1. 6.3.12.1 数据有效性
        2. 6.3.12.2 启动和停止条件
        3. 6.3.12.3 传输数据
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 运行模式
        1. 6.4.1.1 OFF 状态
        2. 6.4.1.2 INITIALIZE 状态
        3. 6.4.1.3 活动状态
        4. 6.4.1.4 STBY 状态
        5. 6.4.1.5 故障处理
    5. 6.5 多 PMIC 运行
    6. 6.6 NVM 编程
      1. 6.6.1 TPS6522005-EP 默认 NVM 设置
      2. 6.6.2 初始化状态下的 NVM 编程
      3. 6.6.3 运行状态下的 NVM 编程
    7. 6.7 用户寄存器
    8. 6.8 器件寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型应用示例
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
        1. 7.2.3.1 Buck1、Buck2、Buck3 设计过程
        2. 7.2.3.2 LDO1、LDO2 设计过程
        3. 7.2.3.3 LDO3、LDO4 设计过程
        4. 7.2.3.4 VSYS、VDD1P8
        5. 7.2.3.5 数字信号设计过程
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.8 器件寄存器

表 6-8 列出了器件寄存器的存储器映射寄存器。表 6-8 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表 6-8 器件寄存器
偏移 缩写 寄存器名称 部分
0h TI_DEV_ID 器件 ID 转到
1h NVM_ID NVM 配置 ID 转到
2h ENABLE_CTRL 启用/按钮/Vsense 控制 转到
3h BUCKS_CONFIG 通用降压配置 转到
4h LDO4_VOUT LDO4 配置 转到
5h LDO3_VOUT LDO3 配置 转到
6h LDO2_VOUT LDO2 配置 转到
7h LDO1_VOUT LDO1 配置 转到
8h BUCK3_VOUT Buck3 配置 转到
9h BUCK2_VOUT Buck2 配置 转到
Ah BUCK1_VOUT Buck1 配置 转到
Bh LDO4_SEQUENCE_SLOT LDO4 的上电和断电时隙 转到
Ch LDO3_SEQUENCE_SLOT LDO3 的上电和断电时隙 转到
Dh LDO2_SEQUENCE_SLOT LDO2 的上电和断电时隙 转到
Eh LDO1_SEQUENCE_SLOT LDO10 的上电和断电时隙 转到
Fh BUCK3_SEQUENCE_SLOT Buck3 的上电和断电时隙 转到
10h BUCK2_SEQUENCE_SLOT Buck2 的上电和断电时隙 转到
11h BUCK1_SEQUENCE_SLOT Buck1 的上电和断电时隙 转到
12h nRST_SEQUENCE_SLOT nRSTOUT 的上电和断电时隙 转到
13h GPIO_SEQUENCE_SLOT GPIO 的上电和断电时隙 转到
14h GPO2_SEQUENCE_SLOT GPO2 的上电和断电时隙 转到
15h GPO1_SEQUENCE_SLOT GPO1 的上电和断电时隙 转到
16h POWER_UP_SLOT_DURATION_1 slot0-3 上电时的时隙持续时间 转到
17h POWER_UP_SLOT_DURATION_2 slot4-7 上电时的时隙持续时间 转到
18h POWER_UP_SLOT_DURATION_3 slot8-11 上电时的时隙持续时间 转到
19h POWER_UP_SLOT_DURATION_4 slot12-15 上电时的时隙持续时间 转到
1Ah POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 slot0-3 断电时的时隙持续时间 转到
1Bh POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 slot4-7 断电时的时隙持续时间 转到
1Ch POWER_DOWN_SLOT_DURATION_3 slot8-11 断电时的时隙持续时间 转到
1Dh POWER_DOWN_SLOT_DURATION_4 slot12-15 断电时的时隙持续时间 转到
1Eh GENERAL_CONFIG LDO 欠压和 GPO 使能 转到
1Fh MFP_1_CONFIG 多功能引脚配置 1 转到
20h MFP_2_CONFIG 多功能引脚配置 2 转到
21h STBY_1_CONFIG STBY 配置 LDO 和降压 转到
22h STBY_2_CONFIG STBY 配置 GPIO 和 GPO 转到
23h OC_DEGL_CONFIG 每个电源轨的过流抗尖峰脉冲时间 转到
24h INT_MASK_UV 欠压故障屏蔽 转到
25h MASK_CONFIG WARM 屏蔽和屏蔽效果 转到
26h I2C_ADDRESS_REG I2C 地址 转到
27h USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG 用户可配置寄存器（由 NVM 支持） 转到
28h MANUFACTURING_VER 器件修订版（只读） 转到
29h MFP_CTRL 针对 RESET、STBY、OFF 的 I2C 控制 转到
2Ah DISCHARGE_CONFIG 每个电源轨的放电配置 转到
2Bh INT_SOURCE 中断源 转到
2Ch INT_LDO_3_4 LDO3 和 LDO4 的 OC、UV、SCG 转到
2Dh INT_LDO_1_2 LDO1 和 LDO2 的 OC、UV、SCG 转到
2Eh INT_BUCK_3 Buck3 的 OC、UV、SCG 转到
2Fh INT_BUCK_1_2 Buck1 和 Buck2 的 OC、UV、SCG 转到
30h INT_SYSTEM WARM 和 HOT 故障标志 转到
31h INT_RV 每个电源轨的 RV（残余电压） 转到
32h INT_TIMEOUT_RV_SD 导致关断的每个电源轨的 RV（残余电压） 转到
33h INT_PB 按钮状态和边沿检测 转到
34h USER_NVM_CMD_REG DIY - 用户编程命令 转到
35h POWER_UP_STATUS_REG 上电状态和 STATE 转到
36h SPARE_2 备用寄存器（不由 NVM 提供支持） 转到
37h SPARE_3 备用寄存器（不由 NVM 提供支持） 转到
41h FACTORY_CONFIG_2 NVM 配置的修订版（只读） 转到

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 6-9 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 6-9 器件访问类型代码
访问类型 代码 说明
读取类型
R R 读取
写入类型
W W 写入
W1C W
1C		 写入
1 以进行清除
WSelfClrF W 写入
复位或默认值
-n 复位后的值或默认值

6.8.1 TI_DEV_ID 寄存器（偏移 = 0h）[复位 = X]

图 6-19 展示了 TI_DEV_ID，表 6-10 中对此进行了介绍。

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图 6-19 TI_DEV_ID 寄存器
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TI_DEVICE_ID
R-X
表 6-10 TI_DEV_ID 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-0 TI_DEVICE_ID R X TI_DEVICE_ID[7:6]：
0h = TA：-40°C 至 105°C (TJ)：-40°C 至 125°C
2h = TA：-40°C 至 125°C (TJ)：-40°C 至 150°C
3h = TA：-55°C 至 125°C (TJ)：-55°C 至 150°C
TI_DEVICE_ID[5:0]：
器件 GPN
注意：该寄存器只能由制造商编程！有关具体编号和相关配置，请参阅技术参考手册/用户指南。（来自 NVM 存储器的默认值）

6.8.2 NVM_ID 寄存器（偏移 = 1h）[复位 = X]

图 6-20 展示了 NVM_ID，表 6-11 中对此进行了介绍。

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图 6-20 NVM_ID 寄存器
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TI_NVM_ID
R-X
表 6-11 NVM_ID 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-0 TI_NVM_ID R X IC 的 NVM ID。注意：该寄存器只能由制造商编程！有关具体编号和相关配置，请参阅技术参考手册/用户指南。（来自 NVM 存储器的默认值）

6.8.3 ENABLE_CTRL 寄存器（偏移 = 2h）[复位 = X]

图 6-21 展示了 ENABLE_CTRL，表 6-12 中对此进行了介绍。

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图 6-21 ENABLE_CTRL 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED LDO4_EN LDO3_EN LDO2_EN LDO1_EN BUCK3_EN BUCK2_EN BUCK1_EN
R-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-12 ENABLE_CTRL 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 LDO4_EN R/W X 启用 LDO4 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用
1h = 启用
5 LDO3_EN R/W X 启用 LDO3 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用
1h = 启用
4 LDO2_EN R/W X 启用 LDO2 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用
1h = 启用
3 LDO1_EN R/W X 启用 LDO1 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用
1h = 启用
2 BUCK3_EN R/W X 启用 BUCK3 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用
1h = 启用
1 BUCK2_EN R/W X 启用 BUCK2 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用
1h = 启用
0 BUCK1_EN R/W X 启用 BUCK1 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用
1h = 启用

6.8.4 BUCKS_CONFIG 寄存器（偏移 = 3h）[复位 = X]

图 6-22 展示了 BUCKS_CONFIG，表 6-13 中对此进行了介绍。

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图 6-22 BUCKS_CONFIG 寄存器
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USER_NVM_SPARE_2 USER_NVM_SPARE_1 BUCK_SS_ENABLE BUCK_FF_ENABLE BUCK3_PHASE_CONFIG BUCK2_PHASE_CONFIG
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-13 BUCKS_CONFIG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 USER_NVM_SPARE_2 R/W X 用户 NVM 空间中的备用位（来自 NVM 存储器的默认值）
6 USER_NVM_SPARE_1 R/W X 用户 NVM 空间中的备用位（来自 NVM 存储器的默认值）
5 BUCK_SS_ENABLE R/W X 在降压转换器上启用展频（仅适用于 FF 模式）（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用展频
1h = 启用展频
4 BUCK_FF_ENABLE R X 所有降压转换器均设置为固定频率模式。注意：任何时候都不能更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 准固定频率模式
1h = 固定频率模式
3-2 BUCK3_PHASE_CONFIG R/W X BUCK3 时钟的相位。如果降压转换器配置为固定频率，则适用。注意：仅在电源轨禁用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0 度
1h = 90 度
2h = 180 度
3h = 270 度
1-0 BUCK2_PHASE_CONFIG R/W X BUCK2 时钟的相位。如果降压转换器配置为固定频率，则适用。注意：仅在电源轨禁用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0 度
1h = 90 度
2h = 180 度
3h = 270 度

6.8.5 LDO4_VOUT 寄存器（偏移 = 4h）[复位 = X]

图 6-23 展示了 LDO4_VOUT，表 6-14 中对此进行了介绍。

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图 6-23 LDO4_VOUT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
LDO4_SLOW_PU_RAMP LDO4_LSW_CONFIG LDO4_VSET
R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-14 LDO4_VOUT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 LDO4_SLOW_PU_RAMP R/W X LDO4 上电斜坡。设置为高电平时，将上电斜坡减慢至约 3ms。Cout 最大值 30µF。设置为低电平时，斜坡时间约为 660µs。Cout 最大值 15µF（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 上电快速斜坡（约 660µs）
1h = 上电慢速斜坡（约 3ms）
6 LDO4_LSW_CONFIG R/W X LDO4 LDO 或 LSW 模式。注意：仅在电源轨禁用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = LDO 模式
1h = LSW 模式
5-0 LDO4_VSET R/W X LDO4 的电压选择。输出电压范围为 1.2V 至 3.3V。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 1.200V
1h = 1.200V
2h = 1.200V
3h = 1.200V
4h = 1.200V
5h = 1.200V
6h = 1.200V
7h = 1.200V
8h = 1.200V
9h = 1.200V
Ah = 1.200V
Bh = 1.200V
Ch = 1.200V
Dh = 1.250V
Eh = 1.300V
Fh = 1.350V
10h = 1.400V
11h = 1.450V
12h = 1.500V
13h = 1.550V
14h = 1.600V
15h = 1.650V
16h = 1.700V
17h = 1.750V
18h = 1.800V
19h = 1.850V
1Ah = 1.900V
1Bh = 1.950V
1Ch = 2.000V
1Dh = 2.050V
1Eh = 2.100V
1Fh = 2.150V
20h = 2.200V
21h = 2.250V
22h = 2.300V
23h = 2.350V
24h = 2.400V
25h = 2.450V
26h = 2.500V
27h = 2.550V
28h = 2.600V
29h = 2.650V
2Ah = 2.700V
2Bh = 2.750V
2Ch = 2.800V
2Dh = 2.850V
2Eh = 2.900V
2Fh = 2.950V
30h = 3.000V
31h = 3.050V
32h = 3.100V
33h = 3.150V
34h = 3.200V
35h = 3.250V
36h = 3.300V
37h = 3.300V
38h = 3.300V
39h = 3.300V
3Ah = 3.300V
3Bh = 3.300V
3Ch = 3.300V
3Dh = 3.300V
3Eh = 3.300V
3Fh = 3.300V

6.8.6 LDO3_VOUT 寄存器（偏移 = 5h）[复位 = X]

图 6-24 展示了 LDO3_VOUT，表 6-15 中对此进行了介绍。

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图 6-24 LDO3_VOUT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
LDO3_SLOW_PU_RAMP LDO3_LSW_CONFIG LDO3_VSET
R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-15 LDO3_VOUT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 LDO3_SLOW_PU_RAMP R/W X LDO3 上电斜坡。设置为高电平时，将上电斜坡减慢至约 3ms。Cout 最大值 30µF。设置为低电平时，斜坡时间约为 660µs。Cout 最大值 15µF（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 上电快速斜坡（约 660µs）
1h = 上电慢速斜坡（约 3ms）
6 LDO3_LSW_CONFIG R/W X LDO3 LDO 或 LSW 模式。注意：仅在电源轨禁用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = LDO 模式
1h = LSW 模式
5-0 LDO3_VSET R/W X LDO3 的电压选择。输出电压范围为 1.2V 至 3.3V。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 1.200V
1h = 1.200V
2h = 1.200V
3h = 1.200V
4h = 1.200V
5h = 1.200V
6h = 1.200V
7h = 1.200V
8h = 1.200V
9h = 1.200V
Ah = 1.200V
Bh = 1.200V
Ch = 1.200V
Dh = 1.250V
Eh = 1.300V
Fh = 1.350V
10h = 1.400V
11h = 1.450V
12h = 1.500V
13h = 1.550V
14h = 1.600V
15h = 1.650V
16h = 1.700V
17h = 1.750V
18h = 1.800V
19h = 1.850V
1Ah = 1.900V
1Bh = 1.950V
1Ch = 2.000V
1Dh = 2.050V
1Eh = 2.100V
1Fh = 2.150V
20h = 2.200V
21h = 2.250V
22h = 2.300V
23h = 2.350V
24h = 2.400V
25h = 2.450V
26h = 2.500V
27h = 2.550V
28h = 2.600V
29h = 2.650V
2Ah = 2.700V
2Bh = 2.750V
2Ch = 2.800V
2Dh = 2.850V
2Eh = 2.900V
2Fh = 2.950V
30h = 3.000V
31h = 3.050V
32h = 3.100V
33h = 3.150V
34h = 3.200V
35h = 3.250V
36h = 3.300V
37h = 3.300V
38h = 3.300V
39h = 3.300V
3Ah = 3.300V
3Bh = 3.300V
3Ch = 3.300V
3Dh = 3.300V
3Eh = 3.300V
3Fh = 3.300V

6.8.7 LDO2_VOUT 寄存器（偏移 = 6h）[复位 = X]

图 6-25 展示了 LDO2_VOUT，表 6-16 中对此进行了介绍。

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图 6-25 LDO2_VOUT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
LDO2_LSW_CONFIG LDO2_BYP_CONFIG LDO2_VSET
R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-16 LDO2_VOUT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 LDO2_LSW_CONFIG R/W X LDO2 LDO/旁路或 LSW 模式。注意：仅在电源轨禁用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 不适用（LDO2 未配置为负载开关）
1h = LDO1 配置为负载开关
6 LDO2_BYP_CONFIG R/W X LDO2 LDO 或旁路模式。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = LDO2 配置为 LDO（仅在 LDO2_LSW_CONFIG 0x0 时适用）
1h = LDO2 配置为旁路（仅在 LDO2_LSW_CONFIG 0x0 时适用）
5-0 LDO2_VSET R/W X LDO2 的电压选择。LDO 模式下的输出电压范围为 0.6V 至 3.4V，旁路模式下的输出电压范围为 1.5V 至 3.4V。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0.600V
1h = 0.650V
2h = 0.700V
3h = 0.750V
4h = 0.800V
5h = 0.850V
6h = 0.900V
7h = 0.950V
8h = 1.000V
9h = 1.050V
Ah = 1.100V
Bh = 1.150V
Ch = 1.200V
Dh = 1.250V
Eh = 1.300V
Fh = 1.350V
10h = 1.400V
11h = 1.450V
12h = 1.500V
13h = 1.550V
14h = 1.600V
15h = 1.650V
16h = 1.700V
17h = 1.750V
18h = 1.800V
19h = 1.850V
1Ah = 1.900V
1Bh = 1.950V
1Ch = 2.000V
1Dh = 2.050V
1Eh = 2.100V
1Fh = 2.150V
20h = 2.200V
21h = 2.250V
22h = 2.300V
23h = 2.350V
24h = 2.400V
25h = 2.450V
26h = 2.500V
27h = 2.550V
28h = 2.600V
29h = 2.650V
2Ah = 2.700V
2Bh = 2.750V
2Ch = 2.800V
2Dh = 2.850V
2Eh = 2.900V
2Fh = 2.950V
30h = 3.000V
31h = 3.050V
32h = 3.100V
33h = 3.150V
34h = 3.200V
35h = 3.250V
36h = 3.300V
37h = 3.350V
38h = 3.400V
39h = 3.400V
3Ah = 3.400V
3Bh = 3.400V
3Ch = 3.400V
3Dh = 3.400V
3Eh = 3.400V
3Fh = 3.400V

6.8.8 LDO1_VOUT 寄存器（偏移 = 7h）[复位 = X]

图 6-26 展示了 LDO1_VOUT，表 6-17 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-26 LDO1_VOUT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
LDO1_LSW_CONFIG LDO1_BYP_CONFIG LDO1_VSET
R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-17 LDO1_VOUT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 LDO1_LSW_CONFIG R/W X LDO1 LDO/旁路或 LSW 模式。注意：仅在电源轨禁用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 不适用（LDO1 未配置为负载开关）
1h = LDO1 配置为负载开关
6 LDO1_BYP_CONFIG R/W X LDO1 LDO 或旁路模式。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = LDO1 配置为 LDO（仅在 LDO1_LSW_CONFIG 0x0 时适用）
1h = LDO1 配置为旁路（仅在 LDO1_LSW_CONFIG 0x0 时适用）
5-0 LDO1_VSET R/W X LDO1 的电压选择。LDO 模式下的输出电压范围为 0.6V 至 3.4V，旁路模式下的输出电压范围为 1.5V 至 3.4V。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0.600V
1h = 0.650V
2h = 0.700V
3h = 0.750V
4h = 0.800V
5h = 0.850V
6h = 0.900V
7h = 0.950V
8h = 1.000V
9h = 1.050V
Ah = 1.100V
Bh = 1.150V
Ch = 1.200V
Dh = 1.250V
Eh = 1.300V
Fh = 1.350V
10h = 1.400V
11h = 1.450V
12h = 1.500V
13h = 1.550V
14h = 1.600V
15h = 1.650V
16h = 1.700V
17h = 1.750V
18h = 1.800V
19h = 1.850V
1Ah = 1.900V
1Bh = 1.950V
1Ch = 2.000V
1Dh = 2.050V
1Eh = 2.100V
1Fh = 2.150V
20h = 2.200V
21h = 2.250V
22h = 2.300V
23h = 2.350V
24h = 2.400V
25h = 2.450V
26h = 2.500V
27h = 2.550V
28h = 2.600V
29h = 2.650V
2Ah = 2.700V
2Bh = 2.750V
2Ch = 2.800V
2Dh = 2.850V
2Eh = 2.900V
2Fh = 2.950V
30h = 3.000V
31h = 3.050V
32h = 3.100V
33h = 3.150V
34h = 3.200V
35h = 3.250V
36h = 3.300V
37h = 3.350V
38h = 3.400V
39h = 3.400V
3Ah = 3.400V
3Bh = 3.400V
3Ch = 3.400V
3Dh = 3.400V
3Eh = 3.400V
3Fh = 3.400V

6.8.9 BUCK3_VOUT 寄存器（偏移 = 8h）[复位 = X]

图 6-27 展示了 BUCK3_VOUT，表 6-18 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-27 BUCK3_VOUT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
BUCK3_BW_SEL BUCK3_UV_THR_SEL BUCK3_VSET
R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-18 BUCK3_VOUT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 BUCK3_BW_SEL R/W X BUCK3 带宽选择。注意：仅在电源轨禁用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 低带宽
1h = 高带宽
6 BUCK3_UV_THR_SEL R/W X BUCK3 的 UV 阈值选择。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = -5% UV 检测
1h = -10% UV 检测
5-0 BUCK3_VSET R/W X BUCK3 的电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 3.4V。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0.600V
1h = 0.625V
2h = 0.650V
3h = 0.675V
4h = 0.700V
5h = 0.725V
6h = 0.750V
7h = 0.775V
8h = 0.800V
9h = 0.825V
Ah = 0.850V
Bh = 0.875V
Ch = 0.900V
Dh = 0.925V
Eh = 0.950V
Fh = 0.975V
10h = 1.000V
11h = 1.025V
12h = 1.050V
13h = 1.075V
14h = 1.100V
15h = 1.125V
16h = 1.150V
17h = 1.175V
18h = 1.200V
19h = 1.225V
1Ah = 1.250V
1Bh = 1.275V
1Ch = 1.300V
1Dh = 1.325V
1Eh = 1.350V
1Fh = 1.375V
20h = 1.400V
21h = 1.500V
22h = 1.600V
23h = 1.700V
24h = 1.800V
25h = 1.900V
26h = 2.000V
27h = 2.100V
28h = 2.200V
29h = 2.300V
2Ah = 2.400V
2Bh = 2.500V
2Ch = 2.600V
2Dh = 2.700V
2Eh = 2.800V
2Fh = 2.900V
30h = 3.000V
31h = 3.100V
32h = 3.200V
33h = 3.300V
34h = 3.400V
35h = 3.400V
36h = 3.400V
37h = 3.400V
38h = 3.400V
39h = 3.400V
3Ah = 3.400V
3Bh = 3.400V
3Ch = 3.400V
3Dh = 3.400V
3Eh = 3.400V
3Fh = 3.400V

6.8.10 BUCK2_VOUT 寄存器（偏移 = 9h）[复位 = X]

图 6-28 展示了 BUCK2_VOUT，表 6-19 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-28 BUCK2_VOUT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
BUCK2_BW_SEL BUCK2_UV_THR_SEL BUCK2_VSET
R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-19 BUCK2_VOUT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 BUCK2_BW_SEL R/W X BUCK2 带宽选择。注意：仅在电源轨禁用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 低带宽
1h = 高带宽
6 BUCK2_UV_THR_SEL R/W X BUCK2 的 UV 阈值选择。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = -5% UV 检测
1h = -10% UV 检测
5-0 BUCK2_VSET R/W X BUCK2 的电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 3.4V。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0.600V
1h = 0.625V
2h = 0.650V
3h = 0.675V
4h = 0.700V
5h = 0.725V
6h = 0.750V
7h = 0.775V
8h = 0.800V
9h = 0.825V
Ah = 0.850V
Bh = 0.875V
Ch = 0.900V
Dh = 0.925V
Eh = 0.950V
Fh = 0.975V
10h = 1.000V
11h = 1.025V
12h = 1.050V
13h = 1.075V
14h = 1.100V
15h = 1.125V
16h = 1.150V
17h = 1.175V
18h = 1.200V
19h = 1.225V
1Ah = 1.250V
1Bh = 1.275V
1Ch = 1.300V
1Dh = 1.325V
1Eh = 1.350V
1Fh = 1.375V
20h = 1.400V
21h = 1.500V
22h = 1.600V
23h = 1.700V
24h = 1.800V
25h = 1.900V
26h = 2.000V
27h = 2.100V
28h = 2.200V
29h = 2.300V
2Ah = 2.400V
2Bh = 2.500V
2Ch = 2.600V
2Dh = 2.700V
2Eh = 2.800V
2Fh = 2.900V
30h = 3.000V
31h = 3.100V
32h = 3.200V
33h = 3.300V
34h = 3.400V
35h = 3.400V
36h = 3.400V
37h = 3.400V
38h = 3.400V
39h = 3.400V
3Ah = 3.400V
3Bh = 3.400V
3Ch = 3.400V
3Dh = 3.400V
3Eh = 3.400V
3Fh = 3.400V

6.8.11 BUCK1_VOUT 寄存器（偏移 = Ah）[复位 = X]

图 6-29 展示了 BUCK1_VOUT，表 6-20 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-29 BUCK1_VOUT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
BUCK1_BW_SEL BUCK1_UV_THR_SEL BUCK1_VSET
R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-20 BUCK1_VOUT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 BUCK1_BW_SEL R/W X BUCK1 带宽选择。注意：仅在电源轨禁用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 低带宽
1h = 高带宽
6 BUCK1_UV_THR_SEL R/W X BUCK1 的 UV 阈值选择。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = -5% UV 检测
1h = -10% UV 检测
5-0 BUCK1_VSET R/W X BUCK1 的电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 3.4V。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0.600V
1h = 0.625V
2h = 0.650V
3h = 0.675V
4h = 0.700V
5h = 0.725V
6h = 0.750V
7h = 0.775V
8h = 0.800V
9h = 0.825V
Ah = 0.850V
Bh = 0.875V
Ch = 0.900V
Dh = 0.925V
Eh = 0.950V
Fh = 0.975V
10h = 1.000V
11h = 1.025V
12h = 1.050V
13h = 1.075V
14h = 1.100V
15h = 1.125V
16h = 1.150V
17h = 1.175V
18h = 1.200V
19h = 1.225V
1Ah = 1.250V
1Bh = 1.275V
1Ch = 1.300V
1Dh = 1.325V
1Eh = 1.350V
1Fh = 1.375V
20h = 1.400V
21h = 1.500V
22h = 1.600V
23h = 1.700V
24h = 1.800V
25h = 1.900V
26h = 2.000V
27h = 2.100V
28h = 2.200V
29h = 2.300V
2Ah = 2.400V
2Bh = 2.500V
2Ch = 2.600V
2Dh = 2.700V
2Eh = 2.800V
2Fh = 2.900V
30h = 3.000V
31h = 3.100V
32h = 3.200V
33h = 3.300V
34h = 3.400V
35h = 3.400V
36h = 3.400V
37h = 3.400V
38h = 3.400V
39h = 3.400V
3Ah = 3.400V
3Bh = 3.400V
3Ch = 3.400V
3Dh = 3.400V
3Eh = 3.400V
3Fh = 3.400V

6.8.12 LDO4_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = Bh）[复位 = X]

图 6-30 展示了 LDO4_SEQUENCE_SLOT，表 6-21 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-30 LDO4_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
LDO4_SEQUENCE_ON_SLOT LDO4_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-21 LDO4_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 LDO4_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X LDO4 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 LDO4_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X LDO4 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.13 LDO3_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = Ch）[复位 = X]

图 6-31 展示了 LDO3_SEQUENCE_SLOT，表 6-22 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-31 LDO3_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
LDO3_SEQUENCE_ON_SLOT LDO3_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-22 LDO3_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 LDO3_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X LDO3 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 LDO3_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X LDO3 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.14 LDO2_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = Dh）[复位 = X]

图 6-32 展示了 LDO2_SEQUENCE_SLOT，表 6-23 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-32 LDO2_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
LDO2_SEQUENCE_ON_SLOT LDO2_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-23 LDO2_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 LDO2_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X LDO2 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 LDO2_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X LDO2 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.15 LDO1_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = Eh）[复位 = X]

图 6-33 展示了 LDO1_SEQUENCE_SLOT，表 6-24 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-33 LDO1_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
LDO1_SEQUENCE_ON_SLOT LDO1_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-24 LDO1_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 LDO1_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X LDO1 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 LDO1_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X LDO1 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.16 BUCK3_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = Fh）[复位 = X]

图 6-34 展示了 BUCK3_SEQUENCE_SLOT，表 6-25 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-34 BUCK3_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
BUCK3_SEQUENCE_ON_SLOT BUCK3_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-25 BUCK3_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 BUCK3_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X BUCK3 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 BUCK3_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X BUCK3 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.17 BUCK2_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 10h）[复位 = X]

图 6-35 展示了 BUCK2_SEQUENCE_SLOT，表 6-26 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-35 BUCK2_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
BUCK2_SEQUENCE_ON_SLOT BUCK2_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-26 BUCK2_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 BUCK2_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X BUCK2 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 BUCK2_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X BUCK2 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.18 BUCK1_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 11h）[复位 = X]

图 6-36 展示了 BUCK1_SEQUENCE_SLOT，表 6-27 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-36 BUCK1_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
BUCK1_SEQUENCE_ON_SLOT BUCK1_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-27 BUCK1_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 BUCK1_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X BUCK1 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 BUCK1_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X BUCK1 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.19 nRST_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 12h）[复位 = X]

图 6-37 展示了 nRST_SEQUENCE_SLOT，表 6-28 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-37 nRST_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
nRST_SEQUENCE_ON_SLOT nRST_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-28 nRST_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 nRST_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X nRST 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 nRST_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X nRST 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.20 GPIO_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 13h）[复位 = X]

图 6-38 展示了 GPIO_SEQUENCE_SLOT，表 6-29 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-38 GPIO_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
GPIO_SEQUENCE_ON_SLOT GPIO_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-29 GPIO_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 GPIO_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X GPIO 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 GPIO_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X GPIO 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.21 GPO2_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 14h）[复位 = X]

图 6-39 展示了 GPO2_SEQUENCE_SLOT，表 6-30 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-39 GPO2_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
GPO2_SEQUENCE_ON_SLOT GPO2_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-30 GPO2_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 GPO2_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X GPO2 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 GPO2_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X GPO2 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.22 GPO1_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 15h）[复位 = X]

图 6-40 展示了 GPO1_SEQUENCE_SLOT，表 6-31 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-40 GPO1_SEQUENCE_SLOT 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
GPO1_SEQUENCE_ON_SLOT GPO1_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-X R/W-X
表 6-31 GPO1_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-4 GPO1_SEQUENCE_ON_SLOT R/W X GPO1 的上电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15
3-0 GPO1_SEQUENCE_OFF_SLOT R/W X GPO1 的断电时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 时隙 0
1h = 时隙 1
2h = 时隙 2
3h = 时隙 3
4h = 时隙 4
5h = 时隙 5
6h = 时隙 6
7h = 时隙 7
8h = 时隙 8
9h = 时隙 9
Ah = 时隙 10
Bh = 时隙 11
Ch = 时隙 12
Dh = 时隙 13
Eh = 时隙 14
Fh = 时隙 15

6.8.23 POWER_UP_SLOT_DURATION_1 寄存器（偏移 = 16h）[复位 = X]

图 6-41 展示了 POWER_UP_SLOT_DURATION_1，表 6-32 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-41 POWER_UP_SLOT_DURATION_1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
POWER_UP_SLOT_0_DURATION POWER_UP_SLOT_1_DURATION POWER_UP_SLOT_2_DURATION POWER_UP_SLOT_3_DURATION
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-32 POWER_UP_SLOT_DURATION_1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 POWER_UP_SLOT_0_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 0 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
5-4 POWER_UP_SLOT_1_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 1 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
3-2 POWER_UP_SLOT_2_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 2 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
1-0 POWER_UP_SLOT_3_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 3 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms

6.8.24 POWER_UP_SLOT_DURATION_2 寄存器（偏移 = 17h）[复位 = X]

图 6-42 展示了 POWER_UP_SLOT_DURATION_2，表 6-33 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-42 POWER_UP_SLOT_DURATION_2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
POWER_UP_SLOT_4_DURATION POWER_UP_SLOT_5_DURATION POWER_UP_SLOT_6_DURATION POWER_UP_SLOT_7_DURATION
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-33 POWER_UP_SLOT_DURATION_2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 POWER_UP_SLOT_4_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 4 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
5-4 POWER_UP_SLOT_5_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 5 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
3-2 POWER_UP_SLOT_6_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 6 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
1-0 POWER_UP_SLOT_7_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 7 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms

6.8.25 POWER_UP_SLOT_DURATION_3 寄存器（偏移 = 18h）[复位 = X]

图 6-43 展示了 POWER_UP_SLOT_DURATION_3，表 6-34 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-43 POWER_UP_SLOT_DURATION_3 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
POWER_UP_SLOT_8_DURATION POWER_UP_SLOT_9_DURATION POWER_UP_SLOT_10_DURATION POWER_UP_SLOT_11_DURATION
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-34 POWER_UP_SLOT_DURATION_3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 POWER_UP_SLOT_8_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 8 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
5-4 POWER_UP_SLOT_9_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 9 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
3-2 POWER_UP_SLOT_10_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 10 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
1-0 POWER_UP_SLOT_11_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 11 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms

6.8.26 POWER_UP_SLOT_DURATION_4 寄存器（偏移 = 19h）[复位 = X]

图 6-44 展示了 POWER_UP_SLOT_DURATION_4，表 6-35 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-44 POWER_UP_SLOT_DURATION_4 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
POWER_UP_SLOT_12_DURATION POWER_UP_SLOT_13_DURATION POWER_UP_SLOT_14_DURATION POWER_UP_SLOT_15_DURATION
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-35 POWER_UP_SLOT_DURATION_4 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 POWER_UP_SLOT_12_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 12 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
5-4 POWER_UP_SLOT_13_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 13 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
3-2 POWER_UP_SLOT_14_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 14 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
1-0 POWER_UP_SLOT_15_DURATION R/W X 上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 15 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms

6.8.27 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 寄存器（偏移 = 1Ah）[复位 = X]

图 6-45 展示了 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1，表 6-36 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-45 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
POWER_DOWN_SLOT_0_DURATION POWER_DOWN_SLOT_1_DURATION POWER_DOWN_SLOT_2_DURATION POWER_DOWN_SLOT_3_DURATION
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-36 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 POWER_DOWN_SLOT_0_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 0 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
5-4 POWER_DOWN_SLOT_1_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 1 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
3-2 POWER_DOWN_SLOT_2_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 2 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
1-0 POWER_DOWN_SLOT_3_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 3 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms

6.8.28 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 寄存器（偏移 = 1Bh）[复位 = X]

图 6-46 展示了 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2，表 6-37 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-46 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
POWER_DOWN_SLOT_4_DURATION POWER_DOWN_SLOT_5_DURATION POWER_DOWN_SLOT_6_DURATION POWER_DOWN_SLOT_7_DURATION
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-37 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 POWER_DOWN_SLOT_4_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 4 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
5-4 POWER_DOWN_SLOT_5_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 5 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
3-2 POWER_DOWN_SLOT_6_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 6 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
1-0 POWER_DOWN_SLOT_7_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 7 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms

6.8.29 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_3 寄存器（偏移 = 1Ch）[复位 = X]

图 6-47 展示了 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_3，表 6-38 中对此进行了介绍。

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图 6-47 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_3 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
POWER_DOWN_SLOT_8_DURATION POWER_DOWN_SLOT_9_DURATION POWER_DOWN_SLOT_10_DURATION POWER_DOWN_SLOT_11_DURATION
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-38 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 POWER_DOWN_SLOT_8_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 8 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
5-4 POWER_DOWN_SLOT_9_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 9 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
3-2 POWER_DOWN_SLOT_10_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 10 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
1-0 POWER_DOWN_SLOT_11_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 11 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms

6.8.30 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_4 寄存器（偏移 = 1Dh）[复位 = X]

图 6-48 展示了 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_4，表 6-39 中对此进行了介绍。

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图 6-48 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_4 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
POWER_DOWN_SLOT_12_DURATION POWER_DOWN_SLOT_13_DURATION POWER_DOWN_SLOT_14_DURATION POWER_DOWN_SLOT_15_DURATION
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-39 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_4 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-6 POWER_DOWN_SLOT_12_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 12 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
5-4 POWER_DOWN_SLOT_13_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 13 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
3-2 POWER_DOWN_SLOT_14_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 14 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms
1-0 POWER_DOWN_SLOT_15_DURATION R/W X 断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 15 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 0ms
1h = 1.5ms
2h = 3ms
3h = 10ms

6.8.31 GENERAL_CONFIG 寄存器（偏移 = 1Eh）[复位 = X]

图 6-49 展示了 GENERAL_CONFIG，表 6-40 中对此进行了介绍。

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图 6-49 GENERAL_CONFIG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
BYPASS_RAILS_DISCHARGED_CHECK LDO4_UV_THR LDO3_UV_THR LDO2_UV_THR LDO1_UV_THR GPIO_EN GPO2_EN GPO1_EN
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-40 GENERAL_CONFIG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 BYPASS_RAILS_DISCHARGED_CHECK R/W X 绕过所有电源轨放电检查以开始转换到 ACTIVE 状态，并在从断电切换到 INITIALIZE 状态期间在每个时隙中执行时隙内电源轨的放电检查。在启用稳压器之前，不绕过 RV（预偏置）条件检查。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 强制执行放电检查
1h = 绕过放电检查
6 LDO4_UV_THR R/W X LDO4 的 UV 阈值选择位。仅在配置为 LDO 时适用。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = -5% UV 检测
1h = -10% UV 检测
5 LDO3_UV_THR R/W X LDO3 的 UV 阈值选择位。仅在配置为 LDO 时适用。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = -5% UV 检测
1h = -10% UV 检测
4 LDO2_UV_THR R/W X LDO2 的 UV 阈值选择位。仅在配置为 LDO 时适用。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = -5% UV 检测
1h = -10% UV 检测
3 LDO1_UV_THR R/W X LDO1 的 UV 阈值选择位。仅在配置为 LDO 时适用。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = -5% UV 检测
1h = -10% UV 检测
2 GPIO_EN R/W X GPIO 的启用和状态控制。该位启用 GPIO 功能并控制 GPIO 引脚的状态。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用 GPIO 功能。输出状态为低电平。
1h = 启用 GPIO 功能。输出状态为高电平。
1 GPO2_EN R/W X GPO2 的启用和状态控制。该位启用 GPO2 功能并控制 GPO2 引脚的状态。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用 GPO2。输出状态为低电平。
1h = 启用 GPO2。输出状态为高阻态。
0 GPO1_EN R/W X GPO1 的启用和状态控制。该位启用 GPO1 功能并控制 GPO1 引脚的状态。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用 GPO1。输出状态为低电平。
1h = 启用 GPO1。输出状态为高阻态。

6.8.32 MFP_1_CONFIG 寄存器（偏移 = 1Fh）[复位 = X]

图 6-50 展示了 MFP_1_CONFIG，表 6-41 中对此进行了介绍。

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图 6-50 MFP_1_CONFIG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
MODE_I2C_CTRL VSEL_SD_I2C_CTRL MODE_RESET_POLARITY MODE_STBY_POLARITY MULTI_DEVICE_ENABLE VSEL_RAIL VSEL_SD_POLARITY VSEL_DDR_SD
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-41 MFP_1_CONFIG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 MODE_I2C_CTRL R/W X 使用 I2C 进行 MODE 控制。通过 MODE/RESET 和/或 MODE/STBY 引脚与 MODE 控制合并。请参阅数据表中的表格。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 自动 PFM
1h = 强制 PWM
6 VSEL_SD_I2C_CTRL R/W X 使用 I2C 进行 VSEL_SD 控制。仅在 VSEL_SD/VSEL_DDR 引脚配置为“VSEL_DDR”时适用。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 1.8V
1h = LDOx_VOUT 寄存器设置
5 MODE_RESET_POLARITY R/W X MODE_RESET 引脚极性配置。注意：可以在操作期间更改，但请考虑即时反应：模式更改或进入复位状态！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = [如果配置为 MODE] 低电平 - 自动 PFM/高电平 - 强制 PWM。[如果配置为 RESET] 低电平 - 复位/高电平 - 正常操作。
1h = [如果配置为 MODE] 高电平 - 自动 PFM/低电平 - 强制 PWM。[如果配置为 RESET] 高电平 - 复位/低电平 - 正常操作。
4 MODE_STBY_POLARITY R/W X MODE_STBY 引脚极性配置。注意：可以在操作期间更改，但请考虑即时反应：模式更改或状态更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = [如果配置为 MODE] 低电平 - 自动 PFM/高电平 - 强制 PWM。[如果配置为 STBY] 低电平 - STBY 状态/高电平 - ACTIVE 状态。
1h = [如果配置为 MODE] 高电平 - 自动 PFM/低电平 - 强制 PWM。[如果配置为 STBY] 高电平 - STBY 状态/低电平 - ACTIVE 状态。
3 MULTI_DEVICE_ENABLE R/W X 将器件配置为单个器件（其中 GPO 用作 GPO 功能），或配置为多器件（其中 GPO 用于与其他器件同步）。注意：仅在 INITIALIZE 状态下更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 单器件配置，GPIO 引脚配置为 GPO
1h = 多器件配置，GPIO 引脚配置为 GPIO
2 VSEL_RAIL R/W X LDO 由 VSEL_SD/VSEL_DDR 控制。注意：仅在 INITIALIZE 状态下更改！（NVM 存储器的默认值）
0h = LDO1
1h = LDO2
1 VSEL_SD_POLARITY R/W X SD 卡电压选择。注意：可以在操作期间更改，但请考虑即时反应：SD 卡电源电压更改！（NVM 存储器的默认设置）
0h = 低电平 - 1.8V/高电平 - LDOx_VOUT 寄存器设置
1h = 高电平 - 1.8V/低电平 - LDOx_VOUT 寄存器设置
0 VSEL_DDR_SD R/W X VSEL_SD/VSEL_DDR 配置。注意：仅在 INITIALIZE 状态下更改！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = VSEL 引脚配置为 DDR，以设置 Buck3 上的电压
1h = VSEL 引脚配置为 SD，以设置 VSEL_RAIL 上的电压

6.8.33 MFP_2_CONFIG 寄存器（偏移 = 20h）[复位 = X]

图 6-51 展示了 MFP_2_CONFIG，表 6-42 中对此进行了介绍。

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图 6-51 MFP_2_CONFIG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
PU_ON_FSD WARM_COLD_RESET_CONFIG EN_PB_VSENSE_CONFIG EN_PB_VSENSE_DEGL MODE_RESET_CONFIG MODE_STBY_CONFIG
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-42 MFP_2_CONFIG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 PU_ON_FSD R/W X 首次电源检测 (FSD) 时上电。因此，当应用 VSYS 时，即使 EN/PB/VSENSE 引脚处于 OFF_REQ 状态，器件也会上电至 ACTIVE 状态。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 禁用首次电源检测 (FSD)。
1h = 启用首次电源检测 (FSD)。
6 WARM_COLD_RESET_CONFIG R/W X 当通过 MODE/RESET 引脚触发 RESET 事件时，在 WARM 复位或 COLD 复位之间进行选择（不适用于通过 I2C 进行的 RESET）（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = COLD RESET
1h = WARM RESET
5-4 EN_PB_VSENSE_CONFIG R/W X 启用/按钮/VSENSE 配置。加载 NVM 后，请勿通过 I2C 进行更改（除非是作为对 NVM 进行编程前的前奏）（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 器件启用配置
1h = 按钮配置
2h = VSENSE 配置
3h = 器件启用配置
3 EN_PB_VSENSE_DEGL R/W X 使能/按钮/VSENSE 抗尖峰脉冲。注意：仅在 INITIALIZE 状态下更改！考虑从 EN/VSENSE 更改为 PB 或反向更改时的即时反应：上电！（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 短（典型值：EN/VSENSE 为 120us，PB 为 200ms）
1h = 长（典型值：EN/VSENSE 为 50ms，PB 为 600ms）
2 MODE_RESET_CONFIG R/W X MODE/RESET 配置（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = MODE
1h = RESET
1-0 MODE_STBY_CONFIG R/W X MODE_STDBY 配置（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = MODE
1h = STBY
2h = MODE 和 STBY
3h = MODE

6.8.34 STBY_1_CONFIG 寄存器（偏移 = 21h）[复位 = X]

图 6-52 展示了 STBY_1_CONFIG，表 6-43 中对此进行了介绍。

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图 6-52 STBY_1_CONFIG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED LDO4_STBY_EN LDO3_STBY_EN LDO2_STBY_EN LDO1_STBY_EN BUCK3_STBY_EN BUCK2_STBY_EN BUCK1_STBY_EN
R-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-43 STBY_1_CONFIG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 LDO4_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 LDO4。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用
5 LDO3_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 LDO3。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用
4 LDO2_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 LDO2。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用
3 LDO1_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 LDO1。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用
2 BUCK3_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 BUCK3。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用
1 BUCK2_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 BUCK2。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用
0 BUCK1_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 BUCK1。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用

6.8.35 STBY_2_CONFIG 寄存器（偏移 = 22h）[复位 = X]

图 6-53 展示了 STBY_2_CONFIG，表 6-44 中对此进行了介绍。

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图 6-53 STBY_2_CONFIG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
保留 RESERVED RESERVED RESERVED RESERVED GPIO_STBY_EN GPO2_STBY_EN GPO1_STBY_EN
R-X R-X R-X R-X R-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-44 STBY_2_CONFIG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 RESERVED R X 保留
5 RESERVED R X 保留
4 RESERVED R X 保留
3 RESERVED R X 保留
2 GPIO_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 GPIO。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用
1 GPO2_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 GPO2。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用
0 GPO1_STBY_EN R/W X 在 STANDBY 状态下启用 GPO1。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 在 STBY 模式下禁用
1h = 在 STBY 模式下启用

6.8.36 OC_DEGL_CONFIG 寄存器（偏移 = 23h）[复位 = X]

图 6-54 展示了 OC_DEGL_CONFIG，表 6-45 中对此进行了介绍。

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图 6-54 OC_DEGL_CONFIG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO4 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO3 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO2 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO1 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK3 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK2 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK1
R-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-45 OC_DEGL_CONFIG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO4 R/W X 该位置位时，启用 LDO4 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 LDO4 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = LDO4 过流信号的抗尖峰脉冲持续时间为大约 20µs
1h = LDO4 过流信号的抗尖峰脉冲持续时间为大约 2ms
5 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO3 R/W X 该位置位时，启用 LDO3 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 LDO3 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = LDO3 过流信号的抗尖峰脉冲持续时间为大约 20µs
1h = LDO3 过流信号的抗尖峰脉冲持续时间为大约 2ms
4 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO2 R/W X 该位置位时，启用 LDO2 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 LDO2 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = LDO2 过流信号的抗尖峰脉冲持续时间为大约 20µs
1h = LDO2 过流信号的抗尖峰脉冲持续时间为大约 2ms
3 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDO1 R/W X 该位置位时，启用 LDO1 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 LDO1 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = LDO1 过流信号的抗尖峰脉冲持续时间为大约 20µs
1h = LDO1 过流信号的抗尖峰脉冲持续时间为大约 2ms
2 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK3 R/W X 该位置位时，启用 BUCK3 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 BUCK3 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = BUCK3 过流信号（高侧过流、低侧过流和低侧反向/负过流）的抗尖峰脉冲持续时间大约为 20µs
1h = BUCK3 过流信号（高侧过流、低侧过流和低侧反向/负过流）的抗尖峰脉冲持续时间为大约 ms
1 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK2 R/W X 该位置位时，启用 BUCK2 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 BUCK2 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = BUCK2 过流信号（高侧过流、低侧过流和低侧反向/负过流）的抗尖峰脉冲持续时间大约为 20µs
1h = BUCK2 过流信号（高侧过流、低侧过流和低侧反向/负过流）的抗尖峰脉冲持续时间为大约 2ms
0 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK1 R/W X 该位置位时，启用 BUCK1 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 BUCK1 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = BUCK1 过流信号（高侧过流、低侧过流和低侧反向/负过流）的抗尖峰脉冲持续时间大约为 20µs
1h = BUCK1 过流信号（高侧过流、低侧过流和低侧反向/负过流）的抗尖峰脉冲持续时间为大约 2ms

6.8.37 INT_MASK_UV 寄存器（偏移 = 24h）[复位 = X]

图 6-55 展示了 INT_MASK_UV，表 6-46 中对此进行了介绍。

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图 6-55 INT_MASK_UV 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
MASK_RETRY_COUNT BUCK3_UV_MASK BUCK2_UV_MASK BUCK1_UV_MASK LDO4_UV_MASK LDO3_UV_MASK LDO2_UV_MASK LDO1_UV_MASK
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-46 INT_MASK_UV 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 MASK_RETRY_COUNT R/W X 该位置位时，器件甚至可以在重试两次后上电。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 器件最多重试 2 次，然后保持关闭
1h = 器件无限次重试
6 BUCK3_UV_MASK R/W X BUCK3 欠压屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）
5 BUCK2_UV_MASK R/W X BUCK2 欠压屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）
4 BUCK1_UV_MASK R/W X BUCK1 欠压屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）
3 LDO4_UV_MASK R/W X LDO4 欠压屏蔽 - 在 BYP 或 LSW 模式下始终屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）
2 LDO3_UV_MASK R/W X LDO3 欠压屏蔽 - 在 BYP 或 LSW 模式下始终屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）
1 LDO2_UV_MASK R/W X LDO2 欠压屏蔽 - 在 BYP 或 LSW 模式下始终屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）
0 LDO1_UV_MASK R/W X LDO1 欠压屏蔽 - 在 BYP 或 LSW 模式下始终屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）

6.8.38 MASK_CONFIG 寄存器（偏移 = 25h）[复位 = X]

图 6-56 展示了 MASK_CONFIG，表 6-47 中对此进行了介绍。

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图 6-56 MASK_CONFIG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
MASK_INT_FOR_PB MASK_EFFECT MASK_INT_FOR_RV SENSOR_0_WARM_MASK SENSOR_1_WARM_MASK SENSOR_2_WARM_MASK SENSOR_3_WARM_MASK
R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X R/W-X
表 6-47 MASK_CONFIG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 MASK_INT_FOR_PB R/W X 用于控制 nINT 引脚是否对按钮 (PB) 按下/释放事件敏感的屏蔽位。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（对于任何 PB 事件，nINT 均拉至低电平）
1h = 屏蔽（nINT 对任何 PB 事件均不敏感）
6-5 MASK_EFFECT R/W X 屏蔽的影响（全局）（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 无状态变化，nINT 无反应，不针对故障设置位
1h = 无状态变化，nINT 无反应，针对故障设置位
2h = 无状态变化，nINT 有反应，针对故障设置位（与 11b 相同）
3h = 无状态变化，nINT 有反应，为故障设置位（与 10b 相同）
4 MASK_INT_FOR_RV R/W X 用于控制 nINT 引脚是否对 RV（残余电压）事件敏感的屏蔽位。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（在转换至 ACTIVE 状态期间或启用电源轨期间，对于任何 RV 事件，nINT 均拉至低电平）
1h = 屏蔽（nINT 对任何 RV 事件均不敏感）
3 SENSOR_0_WARM_MASK R/W X 芯片温度热故障屏蔽，传感器 0。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）
2 SENSOR_1_WARM_MASK R/W X 芯片温度热故障屏蔽，传感器 1。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）
1 SENSOR_2_WARM_MASK R/W X 芯片温度热故障屏蔽，传感器 2。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）
0 SENSOR_3_WARM_MASK R/W X 芯片温度热故障屏蔽，传感器 3。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = 未屏蔽（报告故障）
1h = 已屏蔽（未报告故障）

6.8.39 I2C_ADDRESS_REG 寄存器（偏移 = 26h）[复位 = X]

图 6-57 展示了 I2C_ADDRESS_REG，表 6-48 中对此进行了介绍。

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图 6-57 I2C_ADDRESS_REG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
DIY_NVM_PROGRAM_CMD_ISSUED I2C_ADDRESS
R/W-X R/W-X
表 6-48 I2C_ADDRESS_REG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 DIY_NVM_PROGRAM_CMD_ISSUED R/W X 指示是否尝试了 DIY 编程命令的位。一旦置位，将始终保持置位状态。（来自 NVM 存储器的默认值）
0h = NVM 数据未更改
1h = NVM 数据尝试通过 DIY 编程命令更改
6-0 I2C_ADDRESS R/W X I2C 从地址。注意：可以在操作期间更改，但请考虑即时反应：新的读/写地址！（来自 NVM 存储器的默认值）

6.8.40 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG 寄存器（偏移 = 27h）[复位 = X]

图 6-58 展示了 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG，表 6-49 中对此进行了介绍。

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图 6-58 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
USER_GENERAL_NVM_STORAGE
R/W-X
表 6-49 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-0 USER_GENERAL_NVM_STORAGE R/W X 基于 8 位 NVM 的寄存器可供用户用来存储用户数据（例如客户修改的 NVM 版本的 NVM-ID），或者用于其他用途。（来自 NVM 存储器的默认值）

6.8.41 MANUFACTURING_VER 寄存器（偏移 = 28h）[复位 = 00h]

图 6-59 展示了 MANUFACTURING_VER，表 6-50 中对此进行了介绍。

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图 6-59 MANUFACTURING_VER 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
SILICON_REV
R-0h
表 6-50 MANUFACTURING_VER 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-0 SILICON_REV R 0h SILICON_REV[7:6] - 保留 SILICON_REV[5:3] - ALR SILICON_REV[2:0] - 金属器件修订版 - 硬接线（不受 NVM 控制）

6.8.42 MFP_CTRL 寄存器（偏移 = 29h）[复位 = X]

图 6-60 展示了 MFP_CTRL，表 6-51 中对此进行了介绍。

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图 6-60 MFP_CTRL 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
保留 RESERVED RESERVED GPIO_STATUS WARM_RESET_I2C_CTRL COLD_RESET_I2C_CTRL STBY_I2C_CTRL I2C_OFF_REQ
R-X R-X R-X R-0h R/WSelfClrF-0h R/W-0h R/W-0h R/WSelfClrF-0h
表 6-51 MFP_CTRL 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 RESERVED R X 保留
5 RESERVED R X 保留
4 GPIO_STATUS R 0h 指示 GPIO 引脚的实时值
0h = GPIO 引脚当前为“0”
1h = GPIO 引脚当前为“1”
3 WARM_RESET_I2C_CTRL R/WSelfClrF 0h 当写为“1”时，触发 WARM RESET。注意：该位会自动清除，因此写入后不能读为“1”。
0h = 正常运行
1h = WARM_RESET
2 COLD_RESET_I2C_CTRL R/W 0h 当设置为高电平时触发 COLD RESET。进入 INITIALIZE 状态时清除。
0h = 正常运行
1h = COLD_RESET
1 STBY_I2C_CTRL R/W 0h 使用 I2C. 进行 STBY 控制。通过 MODE/STBY 引脚与 STBY 控制合并。请参阅规格中的表格。
0h = 正常运行
1h = STBY 模式
0 I2C_OFF_REQ R/WSelfClrF 0h 将“1”写入此位时：触发 OFF 请求。设置为“0”时：没有影响。可自行清除。
0h = 没有影响
1h = 触发 OFF 请求

6.8.43 DISCHARGE_CONFIG 寄存器（偏移 = 2Ah）[复位 = X]

图 6-61 展示了 DISCHARGE_CONFIG，表 6-52 中对此进行了介绍。

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图 6-61 DISCHARGE_CONFIG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED LDO4_DISCHARGE_EN LDO3_DISCHARGE_EN LDO2_DISCHARGE_EN LDO1_DISCHARGE_EN BUCK3_DISCHARGE_EN BUCK2_DISCHARGE_EN BUCK1_DISCHARGE_EN
R-X R/W-1h R/W-1h R/W-1h R/W-1h R/W-1h R/W-1h R/W-1h
表 6-52 DISCHARGE_CONFIG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 LDO4_DISCHARGE_EN R/W 1h LDO4 的放电设置
0h = 无放电
1h = 250Ω
5 LDO3_DISCHARGE_EN R/W 1h LDO3 的放电设置
0h = 无放电
1h = 250Ω
4 LDO2_DISCHARGE_EN R/W 1h LDO2 的放电设置
0h = 无放电
1h = 200Ω
3 LDO1_DISCHARGE_EN R/W 1h LDO1 的放电设置
0h = 无放电
1h = 200Ω
2 BUCK3_DISCHARGE_EN R/W 1h BUCK3 的放电设置
0h = 无放电
1h = 125Ω
1 BUCK2_DISCHARGE_EN R/W 1h BUCK2 的放电设置
0h = 无放电
1h = 125Ω
0 BUCK1_DISCHARGE_EN R/W 1h BUCK1 的放电设置
0h = 无放电
1h = 125Ω

6.8.44 INT_SOURCE 寄存器（偏移 = 2Bh）[复位 = 00h]

图 6-62 展示了 INT_SOURCE，表 6-53 中对此进行了介绍。

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图 6-62 INT_SOURCE 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
INT_PB_IS_SET INT_LDO_3_4_IS_SET INT_LDO_1_2_IS_SET INT_BUCK_3_IS_SET INT_BUCK_1_2_IS_SET INT_SYSTEM_IS_SET INT_RV_IS_SET INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET
R-0h R-0h R-0h R-0h R-0h R-0h R-0h R-0h
表 6-53 INT_SOURCE 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 INT_PB_IS_SET R 0h 寄存器 INT_PB 中存在一个或多个 INT 源
0h = INT_PB 中未设置位
1h = INT_PB 中设置了一个或多个位
6 INT_LDO_3_4_IS_SET R 0h 寄存器 INT_LDO_3_4 中存在一个或多个 INT 源
0h = INT_LDO_3_4 中未设置位
1h = INT_LDO_3_4 中设置了一个或多个位
5 INT_LDO_1_2_IS_SET R 0h 寄存器 INT_LDO_1_2 中存在一个或多个 INT 源
0h = INT_LDO_1_2 中未设置位
1h = INT_LDO_1_2 中设置了一个或多个位
4 INT_BUCK_3_IS_SET R 0h 寄存器 INT_BUCK_3 中存在一个或多个 INT 源
0h = INT_BUCK_3 中未设置位
1h = INT_BUCK_3 中设置了一个或多个位
3 INT_BUCK_1_2_IS_SET R 0h 寄存器 INT_BUCK_1_2 中存在一个或多个 INT 源
0h = INT_BUCK_1_2 中未设置位
1h = INT_BUCK_1_2 中设置了一个或多个位
2 INT_SYSTEM_IS_SET R 0h 寄存器 INT_SYSTEM 中存在一个或多个 INT 源
0h = INT_SYSTEM 中未设置位
1h = INT_SYSTEM 中设置了一个或多个位
1 INT_RV_IS_SET R 0h 寄存器 INT_RV 中存在一个或多个 INT 源
0h = INT_RV 中未设置位
1h = INT_RV 中设置了一个或多个位
0 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET R 0h 寄存器 INT_TIMEOUT_RV_SD 中存在一个或多个 INT 源
0h = INT_TIMEOUT_RV_SD 中未设置位
1h = INT_TIMEOUT_RV_SD 中设置了一个或多个位

6.8.45 INT_LDO_3_4 寄存器（偏移 = 2Ch）[复位 = X]

图 6-63 展示了 INT_LDO_3_4，表 6-54 中对此进行了介绍。

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图 6-63 INT_LDO_3_4 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
保留 RESERVED LDO4_UV LDO4_OC LDO4_SCG LDO3_UV LDO3_OC LDO3_SCG
R-X R-X R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h
表 6-54 INT_LDO_3_4 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 RESERVED R X 保留
5 LDO4_UV R/W1C 0h LDO4 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 中相应的 *_UV_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
4 LDO4_OC R/W1C 0h LDO4 过流故障。
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
3 LDO4_SCG R/W1C 0h LDO4 接地短路故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
2 LDO3_UV R/W1C 0h LDO3 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 中相应的 *_UV_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
1 LDO3_OC R/W1C 0h LDO3 过流故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
0 LDO3_SCG R/W1C 0h LDO3 接地短路故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障

6.8.46 INT_LDO_1_2 寄存器（偏移 = 2Dh）[复位 = X]

图 6-64 展示了 INT_LDO_1_2，表 6-55 中对此进行了介绍。

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图 6-64 INT_LDO_1_2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
保留 RESERVED LDO2_UV LDO2_OC LDO2_SCG LDO1_UV LDO1_OC LDO1_SCG
R-X R-X R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h
表 6-55 INT_LDO_1_2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 RESERVED R X 保留
5 LDO2_UV R/W1C 0h LDO2 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 中相应的 *_UV_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
4 LDO2_OC R/W1C 0h LDO2 过流故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
3 LDO2_SCG R/W1C 0h LDO2 接地短路故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
2 LDO1_UV R/W1C 0h LDO1 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 中相应的 *_UV_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
1 LDO1_OC R/W1C 0h LDO1 过流故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
0 LDO1_SCG R/W1C 0h LDO1 接地短路故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障

6.8.47 INT_BUCK_3 寄存器（偏移 = 2Eh）[复位 = X]

图 6-65 展示了 INT_BUCK_3，表 6-56 中对此进行了介绍。

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图 6-65 INT_BUCK_3 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
保留 RESERVED RESERVED RESERVED BUCK3_UV BUCK3_NEG_OC BUCK3_OC BUCK3_SCG
R-X R-X R-X R-X R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h
表 6-56 INT_BUCK_3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 RESERVED R X 保留
5 RESERVED R X 保留
4 RESERVED R X 保留
3 BUCK3_UV R/W1C 0h BUCK3 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 中相应的 *_UV_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
2 BUCK3_NEG_OC R/W1C 0h BUCK3 负过流故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
1 BUCK3_OC R/W1C 0h BUCK3 正过流故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
0 BUCK3_SCG R/W1C 0h BUCK3 接地短路故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障

6.8.48 INT_BUCK_1_2 寄存器（偏移 = 2Fh）[复位 = 00h]

图 6-66 展示了 INT_BUCK_1_2，表 6-57 中对此进行了介绍。

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图 6-66 INT_BUCK_1_2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
BUCK2_UV BUCK2_NEG_OC BUCK2_OC BUCK2_SCG BUCK1_UV BUCK1_NEG_OC BUCK1_OC BUCK1_SCG
R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h
表 6-57 INT_BUCK_1_2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 BUCK2_UV R/W1C 0h BUCK2 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 中相应的 *_UV_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
6 BUCK2_NEG_OC R/W1C 0h BUCK2 负过流故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
5 BUCK2_OC R/W1C 0h BUCK2 正过流故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
4 BUCK2_SCG R/W1C 0h BUCK2 接地短路故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
3 BUCK1_UV R/W1C 0h BUCK1 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 中相应的 *_UV_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
2 BUCK1_NEG_OC R/W1C 0h BUCK1 负过流故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
1 BUCK1_OC R/W1C 0h BUCK1 正过流故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
0 BUCK1_SCG R/W1C 0h BUCK1 接地短路故障
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障

6.8.49 INT_SYSTEM 寄存器（偏移 = 30h）[复位 = 00h]

图 6-67 展示了 INT_SYSTEM，表 6-58 中对此进行了介绍。

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图 6-67 INT_SYSTEM 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
SENSOR_0_HOT SENSOR_1_HOT SENSOR_2_HOT SENSOR_3_HOT SENSOR_0_WARM SENSOR_1_WARM SENSOR_2_WARM SENSOR_3_WARM
R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h
表 6-58 INT_SYSTEM 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 SENSOR_0_HOT R/W1C 0h TSD 传感器 0 的过热检测
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
6 SENSOR_1_HOT R/W1C 0h TSD 传感器 1 的过热检测
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
5 SENSOR_2_HOT R/W1C 0h TSD 传感器 2 的过热检测
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
4 SENSOR_3_HOT R/W1C 0h TSD 传感器 3 的过热检测
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
3 SENSOR_0_WARM R/W1C 0h TSD 传感器 0 的温检测。如果寄存器 MASK_CONFIG 中相应的 *_WARM_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
2 SENSOR_1_WARM R/W1C 0h TSD 传感器 1 的温检测。如果寄存器 MASK_CONFIG 中相应的 *_WARM_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
1 SENSOR_2_WARM R/W1C 0h TSD 传感器 2 的温检测。如果寄存器 MASK_CONFIG 中相应的 *_WARM_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障
0 SENSOR_3_WARM R/W1C 0h TSD 传感器 3 的温检测。如果寄存器 MASK_CONFIG 中相应的 *_WARM_MASK 位为“1”，则在转换至 INITIALIZE 状态时是否自动清除
0h = 未检测到故障
1h = 检测到故障

6.8.50 INT_RV 寄存器（偏移 = 31h）[复位 = X]

图 6-68 展示了 INT_RV，表 6-59 中对此进行了介绍。

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图 6-68 INT_RV 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
RESERVED LDO4_RV LDO3_RV LDO2_RV LDO1_RV BUCK3_RV BUCK2_RV BUCK1_RV
R-X R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h
表 6-59 INT_RV 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 LDO4_RV R/W1C 0h 在电源轨开启期间，或在放电检查期间在电源时序进入 ACTIVE 状态之前的 4ms - 5ms 后，在 LDO4 电源轨上检测到 RV 事件
0h = 未检测到 RV
1h = 检测到 RV
5 LDO3_RV R/W1C 0h 在电源轨开启期间，或在放电检查期间在电源时序进入 ACTIVE 状态之前的 4ms - 5ms 后，在 LDO3 电源轨上检测到 RV 事件
0h = 未检测到 RV
1h = 检测到 RV
4 LDO2_RV R/W1C 0h 在电源轨开启期间，或在放电检查期间在电源时序进入 ACTIVE 状态之前的 4ms - 5ms 后，在 LDO2 电源轨上检测到 RV 事件
0h = 未检测到 RV
1h = 检测到 RV
3 LDO1_RV R/W1C 0h 在电源轨开启期间，或在放电检查期间在电源时序进入 ACTIVE 状态之前的 4ms - 5ms 后，在 LDO1 电源轨上检测到 RV 事件
0h = 未检测到 RV
1h = 检测到 RV
2 BUCK3_RV R/W1C 0h 在电源轨开启期间，或在放电检查期间在电源时序进入 ACTIVE 状态之前的 4ms - 5ms 后，在 BUCK3 电源轨上检测到 RV 事件
0h = 未检测到 RV
1h = 检测到 RV
1 BUCK2_RV R/W1C 0h 在电源轨开启期间，或在放电检查期间在电源时序进入 ACTIVE 状态之前的 4ms - 5ms 后，在 BUCK2 电源轨上检测到 RV 事件
0h = 未检测到 RV
1h = 检测到 RV
0 BUCK1_RV R/W1C 0h 在电源轨开启期间，或在放电检查期间在电源时序进入 ACTIVE 状态之前的 4ms - 5ms 后，在 BUCK1 电源轨上检测到 RV 事件
0h = 未检测到 RV
1h = 检测到 RV

6.8.51 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器（偏移 = 32h）[复位 = 00h]

图 6-69 展示了 INT_TIMEOUT_RV_SD，表 6-60 中对此进行了介绍。

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图 6-69 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
TIMEOUT LDO4_RV_SD LDO3_RV_SD LDO2_RV_SD LDO1_RV_SD BUCK3_RV_SD BUCK2_RV_SD BUCK1_RV_SD
R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h
表 6-60 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 TIMEOUT R/W1C 0h 在以下情况下，如果超时导致关闭，是否设置该位：1.转换到 ACTIVE 状态，并且一个或多个电源轨在指定时隙结束时未上升到超过 UV 电平（且该电源轨上的 UV 被配置为 SD 故障）。哪个/些电源轨由 INT_* 寄存器中的 *_UV 位指示。2.转换到 STANDBY 状态，并且一个或多个电源轨在指定时隙结束时未降至 SCG 电平以下，且为该电源轨启用了放电（哪个/些电源轨由该寄存器中相应的 RV_SD 位指示）。
0h = 由于发生了超时而没有 SD
1h = 由于发生了超时而发生了 SD
6 LDO4_RV_SD R/W1C 0h 在以下情况下，LDO4 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，转换过程中在该电源轨被禁用并启用放电功能后，在该电源轨上观察到 RV。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换到 ACTIVE 状态时尝试对所有电源轨进行放电时，导致超时 SD（在这种情况下，还会设置 TIMEOUT 位）
0h = 由于 LDO4 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而没有 SD
1h = 由于 LDO4 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而导致 SD
5 LDO3_RV_SD R/W1C 0h 在以下情况下，LDO4 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，转换过程中在该电源轨被禁用并启用放电功能后，在该电源轨上观察到 RV。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换到 ACTIVE 状态时尝试对所有电源轨进行放电时，导致超时 SD（在这种情况下，还会设置 TIMEOUT 位）
0h = 由于 LDO3 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而没有 SD
1h = 由于 LDO3 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而导致 SD
4 LDO2_RV_SD R/W1C 0h 在以下情况下，LDO4 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，转换过程中在该电源轨被禁用并启用放电功能后，在该电源轨上观察到 RV。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换到 ACTIVE 状态时尝试对所有电源轨进行放电时，导致超时 SD（在这种情况下，还会设置 TIMEOUT 位）
0h = 由于 LDO2 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而没有 SD
1h = 由于 LDO2 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而导致 SD
3 LDO1_RV_SD R/W1C 0h 在以下情况下，LDO4 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，转换过程中在该电源轨被禁用并启用放电功能后，在该电源轨上观察到 RV。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换到 ACTIVE 状态时尝试对所有电源轨进行放电时，导致超时 SD（在这种情况下，还会设置 TIMEOUT 位）
0h = 由于 LDO1 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而没有 SD
1h = 由于 LDO1 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而导致 SD
2 BUCK3_RV_SD R/W1C 0h 在以下情况下，LDO4 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，转换过程中在该电源轨被禁用并启用放电功能后，在该电源轨上观察到 RV。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换到 ACTIVE 状态时尝试对所有电源轨进行放电时，导致超时 SD（在这种情况下，还会设置 TIMEOUT 位）
0h = 由于 BUCK3 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而没有 SD
1h = 由于 BUCK3 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而导致 SD
1 BUCK2_RV_SD R/W1C 0h 在以下情况下，LDO4 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，转换过程中在该电源轨被禁用并启用放电功能后，在该电源轨上观察到 RV。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换到 ACTIVE 状态时尝试对所有电源轨进行放电时，导致超时 SD（在这种情况下，还会设置 TIMEOUT 位）
0h = 由于 BUCK2 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而没有 SD
1h = 由于 BUCK2 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而导致 SD
0 BUCK1_RV_SD R/W1C 0h 在以下情况下，LDO4 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，转换过程中在该电源轨被禁用并启用放电功能后，在该电源轨上观察到 RV。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换到 ACTIVE 状态时尝试对所有电源轨进行放电时，导致超时 SD（在这种情况下，还会设置 TIMEOUT 位）
0h = 由于 BUCK1 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而没有 SD
1h = 由于 BUCK1 上发生了 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 而导致 SD

6.8.52 INT_PB 寄存器（偏移 = 33h）[复位 = X]

图 6-70 展示了 INT_PB，表 6-61 中对此进行了介绍。

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图 6-70 INT_PB 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
保留 RESERVED RESERVED RESERVED RESERVED PB_REAL_TIME_STATUS PB_RISING_EDGE_DETECTED PB_FALLING_EDGE_DETECTED
R-X R-X R-X R-X R-X R-1h R/W1C-0h R/W1C-0h
表 6-61 INT_PB 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RESERVED R X 保留
6 RESERVED R X 保留
5 RESERVED R X 保留
4 RESERVED R X 保留
3 RESERVED R X 保留
2 PB_REAL_TIME_STATUS R 1h PB 引脚的抗尖峰脉冲 (64ms - 128ms) 实时状态。仅当 EN/PB/VSENSE 引脚配置为 PB 时有效。
0h = PB 的当前抗尖峰脉冲状态：按下
1h = PB 当前的抗尖峰脉冲状态：释放
1 PB_RISING_EDGE_DETECTED R/W1C 0h 自上次清除该位以来，PB 释放的时间超过了抗尖峰脉冲周期 (64ms - 128ms)。设置此位后，将 nINT 引脚置为有效（如果将 MASK_INT_FOR_PB 位配置为“0”）。
0h =未检测到按钮释放
1h = 检测到按钮释放
0 PB_FALLING_EDGE_DETECTED R/W1C 0h 自上次清除该位以来，PB 按下的时间超过了抗尖峰脉冲周期 (64ms - 128ms)。设置此位后，将 nINT 引脚置为有效（如果将 MASK_INT_FOR_PB 位配置为“0”）。
0h = 未检测到按钮按下
1h = 检测到按钮按下

6.8.53 USER_NVM_CMD_REG 寄存器（偏移 = 34h）[复位 = 00h]

图 6-71 展示了 USER_NVM_CMD_REG，表 6-62 中对此进行了介绍。

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图 6-71 USER_NVM_CMD_REG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
NVM_VERIFY_RESULT CUST_NVM_VERIFY_DONE CUST_PROG_DONE I2C_OSC_ON USER_NVM_CMD
R-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R-0h R-0h
表 6-62 USER_NVM_CMD_REG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 NVM_VERIFY_RESULT R 0h 执行 CUST_NVM_VERIFY_CMD 后，该位提供操作结果。（1 = 未通过，0 = 通过）。如果为“1”，则仅当后续 CUST_NVM_VERIFY_CMD 通过时才能清除。
0h = 通过
1h = 未通过
6 CUST_NVM_VERIFY_DONE R/W1C 0h 执行 CUST_NVM_VERIFY_CMD 后是否设置为“1”。在用户 W1C 之前保持为“1”。
0h = 尚未完成/未在进行中
1h = 完成
5 CUST_PROG_DONE R/W1C 0h 执行 CUST_PROG_CMD 后是否设置为“1”。在用户 W1C 之前保持为“1”。
0h = 尚未完成/未在进行中
1h = 完成
4 I2C_OSC_ON R 0h 如果收到 EN_OSC_DIY，则该寄存器字段设置为“1”。
0h = OSC 不通过 I2C 控制
1h = 由于 I2C 命令 EN_OSC_DIY，OSC 无条件打开
3-0 USER_NVM_CMD R 0h 用于进入 DIY 编程模式并对用户 NVM 空间进行编程的命令。始终读为 0。
6h = DIS_OSC_DIY
7h = CUST_NVM_VERIFY_CMD
9h = EN_OSC_DIY
Ah = CUST_PROG_CMD

6.8.54 POWER_UP_STATUS_REG 寄存器（偏移 = 35h）[复位 = 00h]

图 6-72 展示了 POWER_UP_STATUS_REG，表 6-63 中对此进行了介绍。

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图 6-72 POWER_UP_STATUS_REG 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
POWER_UP_FROM_FSD POWER_UP_FROM_EN_PB_VSENSE COLD_RESET_ISSUED 状态 RETRY_COUNT POWER_UP_FROM_OFF
R/W1C-0h R/W1C-0h R/W1C-0h R-0h R-0h R/W1C-0h
表 6-63 POWER_UP_STATUS_REG 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 POWER_UP_FROM_FSD R/W1C 0h 如果由于 FSD 而触发了 ON_REQ，是否设置该位
0h = 未检测到通过 FSD 上电
1h = 检测到通过 FSD 上电
6 POWER_UP_FROM_EN_PB_VSENSE R/W1C 0h 如果由于 EN/PB/VSENSE 引脚而触发了 ON_REQ，是否设置该位
0h = 未检测到通过引脚上电
1h = 检测到通过引脚上电
5 COLD_RESET_ISSUED R/W1C 0h 如果通过引脚或 I2C 收到 COLD_RESET，是否设置该位
0h = 未收到 COLD RESET
1h = 收到通过引脚或 I2C 的 COLD RESET
4-3 状态 R 0h 指示当前器件状态
0h = 转换状态
1h = INITIALIZE
2h = STANDBY
3h = ACTIVE
2-1 RETRY_COUNT R 0h 读取状态机中的当前重试计数。如果 RETRY_COUNT = 3 并且未屏蔽，则器件不会上电。
0 POWER_UP_FROM_OFF R/W1C 0h 指示我们是否从 OFF 状态（POR 有效）上电
0h = 自上次清除该位以来未进入 OFF 状态
1h = 自上次清除该位以来已进入 OFF 状态

6.8.55 SPARE_2 寄存器（偏移 = 36h）[复位 = 00h]

图 6-73 展示了 SPARE_2，表 6-64 中对此进行了介绍。

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图 6-73 SPARE_2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
SPARE_2_1 SPARE_2_2 SPARE_2_3 SPARE_2_4 SPARE_2_5 SPARE_2_6 SPARE_2_7 SPARE_2_8
R/W-0h R/W-0h R/W-0h R/W-0h R/W-0h R/W-0h R/W-0h R/W-0h
表 6-64 SPARE_2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 SPARE_2_1 R/W 0h 用户非 NVM 空间中的备用位
6 SPARE_2_2 R/W 0h 用户非 NVM 空间中的备用位
5 SPARE_2_3 R/W 0h 用户非 NVM 空间中的备用位
4 SPARE_2_4 R/W 0h 用户非 NVM 空间中的备用位
3 SPARE_2_5 R/W 0h 用户非 NVM 空间中的备用位
2 SPARE_2_6 R/W 0h 用户非 NVM 空间中的备用位
1 SPARE_2_7 R/W 0h 用户非 NVM 空间中的备用位
0 SPARE_2_8 R/W 0h 用户非 NVM 空间中的备用位

6.8.56 SPARE_3 寄存器（偏移 = 37h）[复位 = 00h]

图 6-74 展示了 SPARE_3，表 6-65 中对此进行了介绍。

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图 6-74 SPARE_3 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
SPARE_3_1
R/W-0h
表 6-65 SPARE_3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-0 SPARE_3_1 R/W 0h 用户非 NVM 空间中的备用位

6.8.57 FACTORY_CONFIG_2 寄存器（偏移 = 41h）[复位 = X]

图 6-75 展示了 FACTORY_CONFIG_2，表 6-66 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-75 FACTORY_CONFIG_2 寄存器
7 6 5 4 3 2 1 0
NVM_REVISION RESERVED RESERVED RESERVED RESERVED RESERVED
R-X R-X R-X R-X R-X R-X
表 6-66 FACTORY_CONFIG_2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7-5 NVM_REVISION R X 指定 NVM 配置的版本。注意：该寄存器只能由制造商编程。
0h = V0
1h = V1 ...
4 RESERVED R X 保留
3 RESERVED R X 保留
2 保留 R X 保留
1 RESERVED R X 保留
0 RESERVED R X 保留