ZHCSUW0D March   1998  – February 2024 LMC660 , LMC662

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Pin Configuration and Functions
  6. 5Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information LMC662
    5. 5.5 Thermal Information LMC660
    6. 5.6 Electrical Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. 6Application and Implementation
    1. 6.1 Application Information
      1. 6.1.1 Amplifier Topology
      2. 6.1.2 Compensating Input Capacitance
      3. 6.1.3 Capacitive Load Tolerance
      4. 6.1.4 Bias Current Testing
    2. 6.2 Typical Applications
    3. 6.3 Layout
      1. 6.3.1 Layout Guidelines
        1. 6.3.1.1 Printed Circuit Board Layout for High-Impedance Work
  8. 7Device and Documentation Support
    1. 7.1 接收文档更新通知
    2. 7.2 支持资源
    3.     Trademarks
    4. 7.3 静电放电警告
    5. 7.4 术语表
  9. 8Revision History
  10. 9Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

双通道 LMC662 和四通道 LMC660 (LMC66x) 是 CMOS 运算放大器，由单电源供电，并采用 TI 先进的 CMOS 工艺制造。该器件的工作电压范围为 5V 至 15V，除了输入共模范围（包括接地）外，还具有轨到轨输出摆幅。本设计中不存在过去 CMOS 放大器的性能限制问题。输入失调电压 (VOS)、失调电压偏移、宽带噪声以及实际负载（2kΩ 和 600Ω）中的电压增益均等于或优于公认的双极等效值。

器件信息
器件型号 通道数 封装(1)
LMC662 双 D（SOIC，8）
P（PDIP，8）
LMC660 四通道 D（SOIC，8）
P（PDIP，8）
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅节 9。

 

GUID-20240205-SS0I-S07T-L8QK-7K0JCSSXLPWM-low.svg 典型应用：仪表放大器和 RES11A
GUID-94547694-239F-4396-9748-3B8B6ADAF6FD-low.png 典型应用：低泄漏采样保持