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設計與開發

LMG3522EVM-042

配備整合式驅動器子卡的 LMG3522R030-Q1 車用 650-V 30-mΩ GaN FET

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LMG3522EVM-042 可配置半橋中兩個 LMG3522R030 GaN FET，並具備逐週期過電流防護、鎖存短路防護功能和所有必要輔助周邊電路。此 EVM 設計旨在與較大的系統配合使用。

特點
  • 輸入電壓運作最多 650V
  • 簡易的開迴路設計可評估 LMG3522R030-Q1 的性能
  • 板載單/雙 PWM 輸入，具可變失效時間且可用於 PWM 訊號
  • 逐週期過電流防護功能
  • 使用具有短接地彈簧探針的示波器探針，提供方便的邏輯和功率級測量探針點

  • 配備有風扇的散熱器
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測報告的 650-V 50-mΩ GaN FET
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* EVM User's guide LMG352XEVM-04X EVM User's Guide (Rev. A) 2021/2/3
證書 LMG3522EVM-042 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020/10/26

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