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設計與開發

LMG3422EVM-043

LMG3422R030 600-V 30-mΩ 半橋子板

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LMG3422EVM-043

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LMG3422EVM-043 於半橋配置兩個 LMG3422R030 GaN FET，具備鎖存過電流防護和所有必要輔助周邊設備電路。此 EVM 設計旨在與較大的系統配合使用。

特點
  • 輸入電壓運作最多 600V
  • 簡易的開迴路設計可評估 LMG342XR0XX 的性能
  • 板載單/雙 PWM 輸入，具可變失效時間且可用於 PWM 訊號
  • 逐週期過電流防護功能
  • 使用具有短接地彈簧探針的示波器探針，提供方便的邏輯和功率級測量探針點
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電流偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電流偵測的 600V 50mΩ GaN FET LMG3650R025 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET
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Evaluating LMG3422R030 GaN FET power stage

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子卡

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600-V 30-mΩ half-bridge daughter card

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為什麼我需要此項? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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為什麼我需要此項? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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類型 標題 下載最新的英文版本 日期
使用指南 LMG342XEVM-04X User Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022/1/30
白皮書 結合 TI GaN FETs 與 C2000™ 即時 MCU，實現功率密集與有效率的數位電源系統 Download English Version 2021/3/18
證書 LMG3422EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020/10/26

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