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設計與開發

LMG3425EVM-043

具有理想二極體模式半橋子板的 LMG3425R030 600-V 30-mΩ

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LMG3425EVM-043

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LMG3425EVM-043 configures two LMG3425R030 GaN FETs in a half-bridge with the latched over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.  This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.

特點
  • Input voltage operates up to 600 V
  • Simple open loop design to evaluate performance of LMG342XR0XX
  • Single/Dual PWM input on board for PWM signal with variable dead time
  • Cycle-by-cycle over current protection function
  • Convenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3425R030 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 30-mΩ GaN FET
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Evaluating LMG3425R030 GaN FET power stage

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子卡

LMG3425EVM-043 — LMG3425R030 600-V 30-mΩ with ideal diode mode half-bridge daughter card

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為什麼我需要此項? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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LMG3425EVM-043 — LMG3425R030 600-V 30-mΩ with ideal diode mode half-bridge daughter card

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為什麼我需要此項? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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使用指南 LMG342XEVM-04X User Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022/1/30
證書 LMG3425EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020/10/26

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