PMP10861

具有稳健系统保护功能的 24V 至 12V/3.4A 有源钳位正激式转换器参考设计

PMP10861

设计文件

概述

PMP10861 采用有源钳位正向转换器来实现 24V 至 12V/3.4A 的隔离式转换。此电路板集成了反向输入连接、输出过流保护、输出过压保护、输入浪涌电流限制电路。借助 9-36V 宽输入电压范围,以 24V 输入电压实现超过 89.5% 的峰值效率。所有组件在满负载情况下的温升均低于 30oC。

特性
  • 24V 至 12V/3.4A 有源钳位正向转换器
  • 9V 至 36V 输入电压范围
  • 集成保护:反向输入连接、输出过流保护、输出过压保护
  • 以 24V 输入电压实现 89.5% 峰值效率
  • 可提供测试报告
输出电压选项 PMP10861.1
Vin (Min) (V) 9
Vin (Max) (V) 36
Vout (Nom) (V) 12
Iout (Max) (A) 3.4
Output Power (W) 40.8
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Forward- Active Clamp
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUCN4.PDF (2621 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDROR5.PDF (246 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDROR6.PDF (172 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDROR7.PDF (268 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDROR9.ZIP (1794 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCCX0.ZIP (479 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDROR8.PDF (725 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD18534Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD19533Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD19534Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
PWM 控制器

UCC2897A具有 P 沟道钳位 FET 和线路过压保护的 110V 有源钳位电流模式 PWM 控制器

数据表: PDF | HTML
低侧驱动器

UCC27511具有 5V UVLO、分离输出和 13ns 传播延迟的 4A/8A 单通道栅极驱动器

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

TL431可调精密并联稳压器

数据表: PDF | HTML
比较器

TL331高压单路差动比较器

数据表: PDF | HTML
电子保险丝和热插拔控制器

TPS25903V 至 20V、30mΩ、2A 至 5A 电子保险丝

数据表: PDF

技术文档

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* 测试报告 PMP10861 Test Results 2016年 11月 21日

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