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UCC218302-Q1

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1063 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Peak output current (A) 5, 15 Peak output current (source) (typ) (A) 5, 15 Peak output current (sink) (typ) (A) 5, 15 Features AEC-Q100 Automotive Qual, High CMTI, High-side driver, Integrated protections: UVLO, Isolated, Overcurrent protection, Slew Rate Control, Under voltage lock out, Voltage monitoring Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) -0.3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1063 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Peak output current (A) 5, 15 Peak output current (source) (typ) (A) 5, 15 Peak output current (sink) (typ) (A) 5, 15 Features AEC-Q100 Automotive Qual, High CMTI, High-side driver, Integrated protections: UVLO, Isolated, Overcurrent protection, Slew Rate Control, Under voltage lock out, Voltage monitoring Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) -0.3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SSOP (DFP) 28 78.795 mm² (7.65 mm × 10.3 mm)
  • 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 针对工作电压高达 1,500Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而优化
  • 30V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • 具有动态驱动强度选择功能的双分离输出
    • ±10A 和 ±5A 驱动电流输出
    • 数字输入 GD_SEL 选择驱动强度
  • 500V/ns 最小 CMTI
  • 具有 9V 阈值的 200ns 快速响应时间 DESAT 保护
  • 具有 2.5A 灌电流能力的专用软关断 (SSD) 引脚。关断电流可通过外部电阻器进行控制。
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • FLT 的过电流报告和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用和禁用响应
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
  • RDY 上指示的过热保护
  • 具有 OUT_FB 上实时输出状态反馈和 RDY 上故障报告功能的输出电压栅极监控器。
  • 次级侧上的主动短路 (ASC) 输入，可在系统故障期间打开电源开关。
  • 宽体封装，爬电距离和间隙大于 8mm
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 针对工作电压高达 1,500Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而优化
  • 30V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • 具有动态驱动强度选择功能的双分离输出
    • ±10A 和 ±5A 驱动电流输出
    • 数字输入 GD_SEL 选择驱动强度
  • 500V/ns 最小 CMTI
  • 具有 9V 阈值的 200ns 快速响应时间 DESAT 保护
  • 具有 2.5A 灌电流能力的专用软关断 (SSD) 引脚。关断电流可通过外部电阻器进行控制。
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • FLT 的过电流报告和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用和禁用响应
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
  • RDY 上指示的过热保护
  • 具有 OUT_FB 上实时输出状态反馈和 RDY 上故障报告功能的输出电压栅极监控器。
  • 次级侧上的主动短路 (ASC) 输入，可在系统故障期间打开电源开关。
  • 宽体封装，爬电距离和间隙大于 8mm
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围

UCC218302-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，具有先进的保护特性、一流的动态性能和稳健性，专为工作电压高达 1,500V DC 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计。UCC218302-Q1 具有高达 ±10A 的双路输出以及 ±5A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 隔离技术与输出侧隔离，支持高达 1.06kVRMS 的工作电压和 10kVPK 的浪涌抗扰度。隔离栅还提供较低的器件间偏移，以及大于 500V/ns 的共模防噪性能 (CMTI)。

UCC218302-Q1 包含先进的保护特性，如快速过流和短路检测、故障后的受控软关断、故障报告、有源米勒钳位、用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性的输入和输出侧电源 UVLO次级侧的主动短路输入和输出电压栅极监测

UCC218302-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，具有先进的保护特性、一流的动态性能和稳健性，专为工作电压高达 1,500V DC 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计。UCC218302-Q1 具有高达 ±10A 的双路输出以及 ±5A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 隔离技术与输出侧隔离，支持高达 1.06kVRMS 的工作电压和 10kVPK 的浪涌抗扰度。隔离栅还提供较低的器件间偏移，以及大于 500V/ns 的共模防噪性能 (CMTI)。

UCC218302-Q1 包含先进的保护特性，如快速过流和短路检测、故障后的受控软关断、故障报告、有源米勒钳位、用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性的输入和输出侧电源 UVLO次级侧的主动短路输入和输出电压栅极监测
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* 数据表 适用于 SiC/IGBT、具有高级保护功能的 UCC218302-Q1 15A 可调节驱动强度增 强型隔离式单通道栅极驱动器 PDF | HTML PDF | HTML 2026-7-20

设计与开发

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认证

UCC2183XXQEVM-123-DOC-CERT — UCC2183XXQEVM-123 EU Declaration of Conformity (DoC)

UCC2183XXQEVM-123 EU Declaration of Conformity (DoC)
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SSOP (DFP) 28 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

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