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UCC21220

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Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable

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UCC21330 正在供货 Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime Next gen P2P refresh

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)
  • 通用:双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 支持基本隔离和功能隔离
  • CMTI 大于 125V/ns
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 开关参数:
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 结温范围 (Tj) –40°C 至 150°C
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 安全相关认证:
    • 4242VPK 隔离,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离(计划)
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证(计划)
  • 通用:双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 支持基本隔离和功能隔离
  • CMTI 大于 125V/ns
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
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    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
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    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
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  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 安全相关认证:
    • 4242VPK 隔离,符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准(计划)
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离(计划)
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证(计划)

UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET,借助超过 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI),可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。

这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联,以形成单个驱动器,由于具有一流的延迟匹配性能,因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。

保护特性包括以下几项:DIS 引脚设置为高电平时会同时关断两个输出,所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能,有源下拉保护功能会在未上电或悬空时将输出电压箝位在 2V 以下。

凭借这些特性,这些器件可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET,借助超过 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI),可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。

这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联,以形成单个驱动器,由于具有一流的延迟匹配性能,因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。

保护特性包括以下几项:DIS 引脚设置为高电平时会同时关断两个输出,所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能,有源下拉保护功能会在未上电或悬空时将输出电压箝位在 2V 以下。

凭借这些特性,这些器件可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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技术文档

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* 数据表 UCC21220、UCC21220A 具有高噪声抗扰度的 4A/6A 双通道基本隔离式和功能隔离式栅极驱动器 数据表 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2024-12-17
* 用户指南 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019-4-25
证书 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026-6-11
应用手册 栅极驱动器电路中窄脉冲宽度的影响 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024-1-26
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测试报告 Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design 2020-4-24
电子书 电子书:工业机器人设计工程师指南 英语版 2020-3-25
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019-7-22
应用简报 How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A 2019-3-6
应用手册 Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers 2018-7-19
应用手册 Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 2018-6-6
白皮书 Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters 2018-6-6
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技术文章 Why capacitive isolation: a vital building block for sensors in smart cities PDF | HTML 2018-1-16
技术文章 Making a solar inverter more reliable than the sun PDF | HTML 2017-8-1

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21220EVM-009 旨在用于评估 UCC21220,后者是一款具备 4.0A 源极峰值电流和 6.0A 峰值沉降电流能力的 3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC21220AD PSpice Transient Model

SLUM649.ZIP (58 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21220AD Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM650.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21220D PSpice Transient Model

SLUM602.ZIP (51 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21220D Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM603.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

SLURAZ5 — UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

支持的产品和硬件
参考设计

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此参考设计是一款交流开关无桥功率因数校正 (PFC) 功率级,在连续导通模式 (CCM) 下运行。它采用通用交流输入电压(90VAC 至 264VAC),提供 390V、1000W 的低压线路输出和 1500W 的高压线路输出。该设计采用 UCD3138 数字控制器和 UCC21220 隔离式栅极驱动器,在 115VAC 输入下可实现 97.1% 的峰值效率,在 230VAC 输入下可实现 98.3% 的峰值效率。其总谐波失真 (THD) 在 115VAC、1000W 下低于 1.2%,在 230VAC、1500W 下低于 2%。处于满负载时,115VAC 和 230VAC (...)
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PMP23069 — 具有 16A 最大输入的 3kW、180W/in3 单相图腾柱无桥 PFC 参考设计

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此参考设计是一款基于氮化镓 (GaN) 的 3.6kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 转换器,面向 M-CRPS 电源。此设计包含精度为 0.5% 的电子计量功能,无需使用外部电源计量 IC。该电源旨在支持 16A RMS 的最大输入电流和 3.6kW 的峰值功率。此功率级之后是一个小型升压转换器,这有助于显著缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 器件功率级顶部冷却封装,具有集成驱动器和保护功能,可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28003x C2000™ (...)
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此参考设计是一款 3.6kW 单相图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 转换器,面向模块化硬件系统通用冗余电源 (M-CRPS) 服务器。PFC 在电感器电流较高的交流峰值时以连续导通模式 (CCM) 运行,在电感器电流较低的交流低区域以零电压开关 (ZVS) 三角导通模式 (TCM) 运行,实现高效率和高功率密度。此功率级后接小型升压转换器,这有助于缩小大容量电容器的尺寸。此设计还包含精度为 0.5% 的电子计量功能,使用 AMC1306 作为电流检测器件,无需使用外部电源计量 IC。此设计中还提一种使用 TMCS1133 的低成本电流检测替代方案。此设计配合 LMG3427R30 氮化镓 (...)
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PMP40500 — 54VDC 输入,12V、42A 输出半桥参考设计

这款 12V、42A 输出半桥参考设计适用于有线网络园区和分支交换机中的总线转换器。该设计具有高效率和各种故障保护功能(过流和短路)。该设计对使用 3kVRMS 基本和功能隔离式栅驱动器 UCC21220D、UCC21220AD、UCC21222D 和使用 5.7kRMS 增强型隔离式栅驱动器 UCC21540D、UCC21540DWK 及 UCC21541DW 的效率进行了比较。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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