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TPS7H6003-SP

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Radiation-hardened, QML-V, 200V half-bridge GaN gate driver

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 468.72 mm² (16.74 mm × 28 mm)
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配

TPS7H60x3-SP 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等级）、TPS7H6013-SP（60V 等级）和 TPS7H6023-SP（22V 等级）。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x3-SP 驱动器都具有分离栅输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

TPS7H60x3-SP 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等级）、TPS7H6013-SP（60V 等级）和 TPS7H6023-SP（22V 等级）。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x3-SP 驱动器都具有分离栅输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。
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* 数据表 TPS7H60x3-SP 耐辐射保障 1.3A、2.5A、 半桥 GaN FET 栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024-4-27
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6003-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. B) 2026-3-19
* 辐射与可靠性报告 TPS7H60X3-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) PDF | HTML 2024-8-13
* 辐射与可靠性报告 TPS7H60X3-SP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) PDF | HTML 2024-6-17
* SMD TPS7H6003-SP SMD 5962-22201 2023-12-21
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设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS7H6003EVM-CVAL — TPS7H6003 200V、1.5A 和 3A、GaN FET 半桥栅极驱动器评估模块

TPS7H6003 评估模块可接受高达 150V 的输入电压，还可通过驱动 EPC2307 器件来测试 TPS7H6003-SP 的可靠性。默认情况下，该评估模块设置为在 PWM 模式下与 TPS7H6003-SP 器件一起运行。该模式接受一个开关信号的输入，并在内部生成互补信号。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP23200 — 100W, 5V output hard-switched full-bridge converter reference design for 100kRad applications

此参考设计使用 TPS7H5001-SP 脉宽调制 (PWM) 控制器和三个 TPS7H6003-SP 半桥驱动器来控制硬开关全桥转换器，该转换器接受 22V 至 36V 的输入，并生成能够承受 100W 负载的隔离式 5V 输出。选用的控制器、驱动器和功率 FET 均符合对地静止轨道 (GEO) 级辐射性能要求。与传统二极管整流器相比，次级侧的同步整流器可提高效率和热性能。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
CFP (HBX) 48 Ultra Librarian
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订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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