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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS766

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 250mA 超低 IQ 低压降稳压器

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产品详情

Rating Catalog Vin (max) (V) 10 Vin (min) (V) 2.7 Iout (max) (A) 0.25 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.5, 1.8, 2.5, 2.8, 3, 3.3, 5 Noise (µVrms) 200 PSRR at 100 KHz (dB) 38 Iq (typ) (mA) 0.03 Features Enable, Power good Thermal resistance θJA (°C/W) 112.6, 176 Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 140 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Vin (max) (V) 10 Vin (min) (V) 2.7 Iout (max) (A) 0.25 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.5, 1.8, 2.5, 2.8, 3, 3.3, 5 Noise (µVrms) 200 PSRR at 100 KHz (dB) 38 Iq (typ) (mA) 0.03 Features Enable, Power good Thermal resistance θJA (°C/W) 112.6, 176 Load capacitance (min) (µF) 10 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 140 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 输入电压范围：
    • 旧芯片：2.7V 至 10V（绝对最大值 13.5V）
    • 新芯片：2.5V 至 16V（绝对最大值 18V）
  • 输出电压范围：
    • 旧芯片：1.5V 至 5V（固定）和 1.25V 至 5.5V（可调）
    • 新芯片：1.2V 至 12V（固定）和 0.8V 至 14.6V（可调）
  • 输出电流：最高 250mA
  • 输出精度：
    • 旧芯片：3%（整个负载和温度范围）
    • 新芯片：1%（整个负载和温度范围）
  • 低静态电流 (IQ)：
    • 旧芯片：空载时典型值为 35µA
    • 新芯片：空载时典型值为 55µA
  • IQ（禁用状态）：
    • 旧芯片：10µA（最大值）
    • 新芯片：4µA（最大值）
  • 压降（新芯片）：
    • 250mA 时高达 225mV（典型值）(TPS76650)
  • 高 PSRR（新芯片）：1MHz 时为 46dB
  • 内部软启动时间（新芯片）：750µs（典型值）
  • 过流限制和热保护
  • 与 2.2µF 或更高的电容器搭配使用时可保持稳定（新芯片）
  • 开漏电源正常
  • 封装：8 引脚，4.9mm × 6mm SOIC (D)
  • 输入电压范围：
    • 旧芯片：2.7V 至 10V（绝对最大值 13.5V）
    • 新芯片：2.5V 至 16V（绝对最大值 18V）
  • 输出电压范围：
    • 旧芯片：1.5V 至 5V（固定）和 1.25V 至 5.5V（可调）
    • 新芯片：1.2V 至 12V（固定）和 0.8V 至 14.6V（可调）
  • 输出电流：最高 250mA
  • 输出精度：
    • 旧芯片：3%（整个负载和温度范围）
    • 新芯片：1%（整个负载和温度范围）
  • 低静态电流 (IQ)：
    • 旧芯片：空载时典型值为 35µA
    • 新芯片：空载时典型值为 55µA
  • IQ（禁用状态）：
    • 旧芯片：10µA（最大值）
    • 新芯片：4µA（最大值）
  • 压降（新芯片）：
    • 250mA 时高达 225mV（典型值）(TPS76650)
  • 高 PSRR（新芯片）：1MHz 时为 46dB
  • 内部软启动时间（新芯片）：750µs（典型值）
  • 过流限制和热保护
  • 与 2.2µF 或更高的电容器搭配使用时可保持稳定（新芯片）
  • 开漏电源正常
  • 封装：8 引脚，4.9mm × 6mm SOIC (D)

TPS766 是一款低压降 (LDO) 线性稳压器，支持 2.5V 至 16V 的输入电压范围（新芯片）和高达 250mA 的负载电流。对于新芯片，支持的输出范围为 1.2V 至 12V（固定版本）或 0.8V 至 14.6V（可调版本）。

输入电压范围高达 16V（新芯片），这使得该器件非常适合由变压器次级绕组和稳压电源轨（例如 10V 或 12V）供电。此外，该器件具有宽输出电压范围，因此能够为碳化硅 (SiC) 栅极驱动器和麦克风产生偏置电压，以及为微控制器 (MCU) 和处理器供电。

高带宽 PSRR 性能在 1kHz 时大于 70dB，在 1MHz 时大于 46dB（新芯片），因此有助于衰减上游直流/直流转换器的开关频率，并更大限度减少后置稳压器滤波。新芯片支持内部软启动电路机制，该机制可减小启动期间的浪涌电流，从而降低输入电容。

旧芯片支持在整个负载电流范围内提供恒定静态电流（对于 0mA 至 250mA 的整个输出电流范围，通常为 35µA）。

TPS766 LDO 还具有睡眠模式，在该模式下，向 EN（使能）施加 TTL 高电平信号可关闭稳压器。在禁用模式下，旧芯片的静态电流小于 1µA（典型值），而新芯片的静态电流约为 1.6µA（典型值）。

电源正常 (PG) 是高电平有效输出，用于实现上电复位或低电池电量指示。

对于固定输出版本，TPS766 提供 1.5V 至 5.0V（旧芯片）和 1.2V 至 12V（新芯片）的输出范围。对于可调版本，输出电压可在 1.25V 至 5.5V（旧芯片）和 0.8V 至 14.6V（新芯片）范围内编程。TPS766 采用 8 引脚 SOIC 封装。

TPS766 是一款低压降 (LDO) 线性稳压器，支持 2.5V 至 16V 的输入电压范围（新芯片）和高达 250mA 的负载电流。对于新芯片，支持的输出范围为 1.2V 至 12V（固定版本）或 0.8V 至 14.6V（可调版本）。

输入电压范围高达 16V（新芯片），这使得该器件非常适合由变压器次级绕组和稳压电源轨（例如 10V 或 12V）供电。此外，该器件具有宽输出电压范围，因此能够为碳化硅 (SiC) 栅极驱动器和麦克风产生偏置电压，以及为微控制器 (MCU) 和处理器供电。

高带宽 PSRR 性能在 1kHz 时大于 70dB，在 1MHz 时大于 46dB（新芯片），因此有助于衰减上游直流/直流转换器的开关频率，并更大限度减少后置稳压器滤波。新芯片支持内部软启动电路机制，该机制可减小启动期间的浪涌电流，从而降低输入电容。

旧芯片支持在整个负载电流范围内提供恒定静态电流（对于 0mA 至 250mA 的整个输出电流范围，通常为 35µA）。

TPS766 LDO 还具有睡眠模式，在该模式下，向 EN（使能）施加 TTL 高电平信号可关闭稳压器。在禁用模式下，旧芯片的静态电流小于 1µA（典型值），而新芯片的静态电流约为 1.6µA（典型值）。

电源正常 (PG) 是高电平有效输出，用于实现上电复位或低电池电量指示。

对于固定输出版本，TPS766 提供 1.5V 至 5.0V（旧芯片）和 1.2V 至 12V（新芯片）的输出范围。对于可调版本，输出电压可在 1.25V 至 5.5V（旧芯片）和 0.8V 至 14.6V（新芯片）范围内编程。TPS766 采用 8 引脚 SOIC 封装。
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DIP-ADAPTER-EVM — DIP 适配器评估模块

借助 DIP-Adapter-EVM 加快运算放大器的原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装，包括：

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
  • DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
  • DCK（SC70-6 和 SC70-5）
  • DRL (SOT563-6)
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