TPS51200

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具有用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 VTTREF 缓冲基准的 3A 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

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产品详情

Product type

DDR

Vin (min) (V)

1.1

Vin (max) (V)

3.5

Vout (max) (V)

1.8

Features

S3/S5 Support

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-40 to 85

Iq (typ) (mA)

0.5

DDR memory type

DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3

Product type

DDR

Vin (min) (V)

1.1

Vin (max) (V)

3.5

Vout (max) (V)

1.8

Features

S3/S5 Support

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-40 to 85

Iq (typ) (mA)

0.5

DDR memory type

DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3

VSON (DRC)

9 mm² (3 mm × 3 mm)

输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
灌电流和拉电流终端稳压器包含压降补偿功能
对于存储器终端应用 (DDR)，需要超小的 20µF 输出电容（通常为 3 × 10µF MLCC）
PGOOD 用来监控输出稳压
EN 输入
REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪
遥感 (VOSNS)
±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
内置软启动、UVLO 和 OCL
热关断
支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
带有散热焊盘的 10 引脚 VSON 封装

输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
VLDOIN 电压范围：1.1V 至 3.5V
灌电流和拉电流终端稳压器包含压降补偿功能
对于存储器终端应用 (DDR)，需要超小的 20µF 输出电容（通常为 3 × 10µF MLCC）
PGOOD 用来监控输出稳压
EN 输入
REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪
遥感 (VOSNS)
±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
内置软启动、UVLO 和 OCL
热关断
支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
带有散热焊盘的 10 引脚 VSON 封装

TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

TPS51200 可保持快速的瞬态响应，仅需 20µF 超低输出电容。TPS51200 支持远端电压检测功能，并能满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外，TPS51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用对 VTT 进行放电。

TPS51200 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚 VSON 封装，具有绿色环保和无铅的特性。它的额定运行温度为 -40°C 至 +85°C。

TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

此外，TPS51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用对 VTT 进行放电。

TPS51200 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚 VSON 封装，具有绿色环保和无铅的特性。它的额定运行温度为 -40°C 至 +85°C。

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TPS51200EVM — TPS51200 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

TPS51200EVM 评估板 HPA322A 旨在评估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终端稳压器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 规格，并具有超少的外部元件。

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