TPS2052B
- 70mΩ 高侧 MOSFET
- 500mA 持续电流
- 过热和短路保护
- 精确电流限制（最小值 0.75A，最大值 1.25A）
- 工作电压范围：2.7V 至 5.5V
- 0.6ms 典型上升时间
- 欠压锁定
- 抗尖峰脉冲故障报告 (OC)
- 上电期间无 OC 尖峰脉冲
- 最大待机电源电流：1µA（单、双通道）或 2µA（三、四通道）
- 环境温度范围：-40°C 至 85°C
- 通过 UL 认证，文件编号 E169910
- 针对成组配置的 TPS2042B 和 TPS2052B 的其他 UL 认证
TPS20xxB 配电开关适用于可能具有高容性负载和发生短路的应用。此系列器件包含 70mΩ N 沟道 MOSFET 电源开关，适用于需要在单个封装内包含多个电源开关的配电系统。每个开关由一个逻辑使能输入控制。栅极驱动由一个内部电荷泵提供，此电荷泵设计用于控制电源开关上升时间和下降时间以大大减少切换期间的电流涌入。电荷泵无需外部组件并可在低至 2.7V 的电源电压下工作。
当输出负载超过限流阈值或者短路出现时，该器件通过切换至恒定电流模式，并通过将过流 (OCx) 下拉至逻辑输出低电平来将输出电流限制在安全水平上。如果持续重过载和短路增加了开关内的功率耗散，则将引起结温上升，此时，过热保护电路将关闭此开关以避免器件损坏。一旦器件充分冷却，此器件将自动从热关断中恢复。内部电路确保此开关在有效输入电压出现前保持关闭状态。此配电开关旨在将电流限制设置为 1A（典型值）。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS20xxB 限流、配电开关 数据表 (Rev. P) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.P) | PDF | HTML | 2024-8-19 |
| 证书 | US-36986-UL Certificate of Compliance IEC 62368-1 (Rev. A) | 2026-4-8 |
设计与开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
TPS2052BEVM-293 — TPS2052BEVM 评估模块
The TPS2052BEVM-293 is an evaluation module (EVM) for the Texas Instruments family of two-channel, current-limited, power-distribution switches. This EVM operates over a 2.7 V to 5.5 V range and provide a continuous output current of up to 1.5 A. Test points provide convenient (...)
MSP-EXP432E401Y — MSP432E401Y 以太网 SimpleLink™ MCU LaunchPad™ 开发套件
SimpleLink™ 以太网 MSP432E401Y 微控制器 LaunchPad™ 开发套件是一个直观的评估平台，适用于基于 SimpleLink™ Arm® Cortex®-M4F 的以太网 MCU。该以太网 LaunchPad 开发套件的亮点是 MSP432E401Y MCU，它具有集成式以太网 MAC 和 PHY 以及一系列有线通信接口（包括 USB-OTG、CAN、Quad-SPI (QSSI)、I2C、SPI、UART 以及其他串行协议）。MSP432E4 MCU 采用了 120MHz Arm Cortex-M4F CPU、1MB 闪存、256kB SRAM (...)
TIDM-MINI-DC — 适用于小型 AMI 网络的数据集中器参考设计可降低基础架构成本
TIDM-TM4C129SDRAMNVM — 从 SDRAM 执行，并在 NVM 中存储代码，以实现高性能 MCU
此参考设计演示了如何实现非易失性存储器和 SDRAM，并将其连接到 TM4C 产品系列中的高性能微控制器 TM4C1294NCPDT。该实现方案通过使用微控制器的 EPI 接口以 60MHz 连接 256Mbit SDRAM，并通过 60MHz 的 QSSI 接口连接 SD 卡和四线串行闪存等非易失性存储器，使开发者能够将代码和数据空间扩展至 TM4C1294 微控制器内部存储器最大容量之上。
TIDM-TM4C129XBLE — 基于高性能 MCU 的 BLE 物联网节点参考设计
一个系统示例，展示了如何通过集成 TM4C 产品系列中的 TM4C1294 MCU 和 CC2650 器件来构建 BLE 节点。该参考设计演示了通过网络远程控制 MCU 运行的能力。
TIDM-TM4C129XS2E — 基于 RTOS 且基于高性能 MCU 的可配置串行转以太网转换器参考设计
传统产品可能只包含一个串行端口。由于此类终端设备 (EE) 无法添加到共享网络并远距离访问（例如从远程控制站访问），因此其访问正日益成为一项挑战。串行转以太网 (S2E) 转换器提供了一种简单的方法来克服此类 EE 带来的挑战。此参考设计利用基于以太网的 TM4C129x（以前称为 Tiva）微控制器来实现 S2E 转换器，从而加快上市时间并节省成本。
TIDM-TM4CFLASHSRAM — 并发并行 XIP 闪存和 SRAM 设计，用于在高性能 MCU 上下载和执行代码
该参考设计演示了如何实现异步并行闪存和 SRAM 存储器，并将其连接到高性能微控制器 TM4C129。该实现方案是通过在主机总线 16 模式下使用 EPI 接口并使用多个芯片选择来连接 1Gbit-8Mbit 范围的 16 位并行闪存和 16Mbit 16 位并行 SRAM 来实现的，允许开发人员将代码和数据空间扩展到 TM4C1294 微控制器的最大内部存储器以上。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRB) | 8 | Ultra Librarian |
| HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。