TPS2052B
- High-side MOSFET: 70mΩ
- 500mA continuous current
- Thermal and short-circuit protection
- Accurate current limit (0.75A minimum, 1.25A maximum)
- Operating range: 2.7V to 5.5V
- Typical rise time: 0.6ms
- Undervoltage lockout
- Deglitched fault report (OC)
- No OC glitch during power up
- Maximum standby supply current: 1µA (single, dual) or 2µA (triple, quad)
- Ambient temperature range: –40°C to 85°C
- Safety-Related Certifications
- UL Listed
- File No. E169910
- Complies with UL2367
- IEC62368-1 CB Certified
- MET Listed
- File No. E115731
- Complies with UL2367
- IEC62368-1 CB Certified
- UL Listed
- Additional UL recognition for TPS2042B and TPS2052B for ganged configuration
The TPS20xxB power-distribution switches are intended for applications which encounter heavy capacitive loads and short circuits. These devices incorporates 70mΩ N-channel MOSFET power switches for power-distribution systems that require multiple power switches in one package. A logic enable input controls each switch. Gate drive is provided by an internal charge pump designed to control the power-switch rise times and fall times to minimize current surges during switching. The charge pump requires no external components and allows operation from supplies as low as 2.7V.
When the output load exceeds the current-limit threshold or a short is present, the device limits the output current to a safe level by switching into a constant-current mode, pulling the overcurrent (OCx) logic output low. When continuous heavy overloads and short circuits increase the power dissipation in the switch, causing the junction temperature to rise, a thermal protection circuit shuts off the switch to prevent damage. Recovery from a thermal shutdown is automatic once the device has cooled sufficiently. Internal circuitry establishes that the switch remains off until valid input voltage is present. This power-distribution switch is designed to set current limit at 1A (typical).
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS20xxB Current-Limited, Power-Distribution Switches 数据表 (Rev. Q) | PDF | HTML | 2026-10-27 | ||
| 证书 | US-36986-UL Certificate of Compliance IEC 62368-1 (Rev. A) | 2026-4-8 |
设计与开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
TPS2052BEVM-293 — TPS2052BEVM 评估模块
The TPS2052BEVM-293 is an evaluation module (EVM) for the Texas Instruments family of two-channel, current-limited, power-distribution switches. This EVM operates over a 2.7 V to 5.5 V range and provide a continuous output current of up to 1.5 A. Test points provide convenient (...)
MSP-EXP432E401Y — MSP432E401Y 以太网 SimpleLink™ MCU LaunchPad™ 开发套件
SimpleLink™ 以太网 MSP432E401Y 微控制器 LaunchPad™ 开发套件是一个直观的评估平台,适用于基于 SimpleLink™ Arm® Cortex®-M4F 的以太网 MCU。该以太网 LaunchPad 开发套件的亮点是 MSP432E401Y MCU,它具有集成式以太网 MAC 和 PHY 以及一系列有线通信接口(包括 USB-OTG、CAN、Quad-SPI (QSSI)、I2C、SPI、UART 以及其他串行协议)。MSP432E4 MCU 采用了 120MHz Arm Cortex-M4F CPU、1MB 闪存、256kB SRAM (...)
TIDM-MINI-DC — 适用于小型 AMI 网络的数据集中器参考设计可降低基础架构成本
TIDM-TM4C129SDRAMNVM — 从 SDRAM 执行,并在 NVM 中存储代码,以实现高性能 MCU
此参考设计演示了如何实现非易失性存储器和 SDRAM,并将其连接到 TM4C 产品系列中的高性能微控制器 TM4C1294NCPDT。该实现方案通过使用微控制器的 EPI 接口以 60MHz 连接 256Mbit SDRAM,并通过 60MHz 的 QSSI 接口连接 SD 卡和四线串行闪存等非易失性存储器,使开发者能够将代码和数据空间扩展至 TM4C1294 微控制器内部存储器最大容量之上。
TIDM-TM4C129XBLE — 基于高性能 MCU 的 BLE 物联网节点参考设计
一个系统示例,展示了如何通过集成 TM4C 产品系列中的 TM4C1294 MCU 和 CC2650 器件来构建 BLE 节点。该参考设计演示了通过网络远程控制 MCU 运行的能力。
TIDM-TM4C129XS2E — 基于 RTOS 且基于高性能 MCU 的可配置串行转以太网转换器参考设计
传统产品可能只包含一个串行端口。由于此类终端设备 (EE) 无法添加到共享网络并远距离访问(例如从远程控制站访问),因此其访问正日益成为一项挑战。串行转以太网 (S2E) 转换器提供了一种简单的方法来克服此类 EE 带来的挑战。此参考设计利用基于以太网的 TM4C129x(以前称为 Tiva)微控制器来实现 S2E 转换器,从而加快上市时间并节省成本。
TIDM-TM4CFLASHSRAM — 并发并行 XIP 闪存和 SRAM 设计,用于在高性能 MCU 上下载和执行代码
该参考设计演示了如何实现异步并行闪存和 SRAM 存储器,并将其连接到高性能微控制器 TM4C129。该实现方案是通过在主机总线 16 模式下使用 EPI 接口并使用多个芯片选择来连接 1Gbit-8Mbit 范围的 16 位并行闪存和 16Mbit 16 位并行 SRAM 来实现的,允许开发人员将代码和数据空间扩展到 TM4C1294 微控制器的最大内部存储器以上。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRB) | 8 | Ultra Librarian |
| HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。