TPS12S24F-Q1
- 符合 AEC-Q100 汽车标准,温度等级为 1 级
- 3.5V 至 70V 输入范围(绝对最大值为 80V)
- 双通道 SPI 受控智能高侧开关控制器
- 低功耗模式下低 IQ = 40µA
- 双栅极驱动器:GATEx:0.5A 拉电流和 2A 灌电流
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集成式旁路开关,能够支持 780mA 持续负载电流
- 具有 Limphome 模式的用户可编程 EEPROM
- SPI 可配置模式,用于驱动电容负载
- 使用可调节负载唤醒阈值从低功耗模式快速切换 (7.5µs) 到工作模式,带 FLT/WAKE 指示
- 精确的模拟电流监测输出 (VIMONx):30mV VSNS 下为 ±2%
- 强大的集成式保护:
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可编程双向 I2T 线束保护
- 可调节双向 SCP(短路)保护
- 基于 NTC 的外部 FET 过热保护
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外部 FET 可调节 VDS 过压保护
- 控制器过热警告
- 针对低至 –65V 的反向电池事件的保护
- 电池电量耗尽和接地失效时自动关闭
- 可调节欠压锁定和过压保护
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- 可配置集成式 ADC 的数字检测输出来测量以下参数:
- 双向负载电流检测
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输入和输出电源电压
- 外部 FET 温度
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控制器温度
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外部 FET 漏源电压
- 通过 SPI 接口提供故障诊断,并通过 FLT/WAKE 进行指示
- 开路负载和电池短路或 FET 短路检测
TPS12S24F-Q1 是具有保护和诊断功能的低 IQ 智能双路高侧驱动器系列。该器件具有 3.5V 至 70V 的宽工作电压范围,以及 80V 绝对最大额定值,适用于 12V、24V 和 48V 汽车系统设计。
它具有两个集成的栅极驱动器,具有 0.5A 拉电流和 2A 灌电流 (GATEx)。在低功耗模式下,集成的低功耗路径保持导通,主 FET 关断,IQ 为 35µA(典型值)。当负载电流超过可配置的负载唤醒阈值时,器件自动切换到主 FET (GATEx) 导通的工作模式,并将 FLT/WAKE 置为低电平以作为 MCU 的唤醒指示。此外,该器件还包括可通过 SPI 配置的各种电容充电模式。
诊断功能包括使用外部 RSNS 电阻器的数字双向电流,基于双向 I2T 的可调节过流和双向短路保护,以及可通过 SPI 串行接口读取的输出电压、输入电压、FET 温度、控制器温度和 FET VDS 检测数据,用于诊断外部 FET 和负载故障。
TPS12S24F-Q1 采用 30 引脚 VQFN 封装。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS12S24F-Q1 具有低功耗模式、负载唤醒、I2T、SPI 和诊断功能的 80V 低 IQ 汽车级双路高侧开关控制器 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-9-3 | |
| 产品概述 | TPS12S24F-Q1: TI’s Flagship High-Side Switch Controller | PDF | HTML | 2026-8-21 |
设计与开发
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TPS12S24FQ1EVM — TPS12S24F-Q1 评估模块
TPS12SxxF EVM 展示并评估德州仪器 (TI) 智能保险丝高侧开关控制器产品系列的功能。该 EVM 设计用于支持 TPS12S13F、TPS12S23F、TPS12S14F 和 TPS12S24F 等各种型号,使得单个主机 EVM 可用于具有不同功能的多种高侧开关和控制器。
该 EVM 设计具有高度可配置性,但除了添加数据表中规定的 DNP 值和配置之外,其他更改必须先经过 TI 验证。极端修改可能不受支持,且性能无法验证。
HSSC-SMART-GUI — 适用于 TPS12SxxF EVM 以及 TI 智能熔断器高侧开关和控制器的配置工具
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| UNKNOWN (RHB) | 30 | Ultra Librarian |
订购和质量
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