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功能与比较器件相同但引脚有所不同。
TPIC6B596
- 低 rDS(on)：5Ω
- 雪崩能量：30mJ
- 150mA 连续电流的八个功率 DMOS 晶体管输出
- 500mA 典型电流限制能力
- 输出钳位电压：50V
- 针对多级的增强型级联
- 所有寄存器通过单个输入清零
- 低功耗
TPIC6B596 是一款单片、高压、中等电流功率 8 位移位寄存器，专为负载功率要求相对较高的系统而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高压负载。
该器件包含一个可对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿上发生。当移位寄存器清零 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，器件中的所有寄存器都将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 下降沿时从器件时钟输出，为级联应用提供额外的保持时间。这将为时钟信号有可能偏移、器件相距较远或系统必须容许电磁干扰的应用提供更佳的性能。
输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出功率为 50V，连续灌电流能力为 150mA。在 TC = 25°C 时，每个输出可提供 500mA 的典型电流限。电流限制会随着结温的升高而降低，以实现额外的器件保护。
TPIC6B596 具有 -40°C 至 125°C 的额定管壳工作温度范围。
技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPIC6B596 电源逻辑 8 位移位寄存器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025-3-26 |
设计与开发
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 20 | Ultra Librarian |
| PDIP (N) | 20 | Ultra Librarian |