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TPD1S514

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USB 充电器、过压、浪涌和 ESD 保护

产品详情

Interface type USB 2.0, USB 3.0 Features Overvoltage protection, Surge protection Number of switches 1 Rating Catalog IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-2 air-gap (±V) 15000 Bi-/uni-directional Unidirectional Clamping voltage (V) 8 Operating temperature range (°C) -40 to 85
Interface type USB 2.0, USB 3.0 Features Overvoltage protection, Surge protection Number of switches 1 Rating Catalog IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-2 air-gap (±V) 15000 Bi-/uni-directional Unidirectional Clamping voltage (V) 8 Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YZ) 12 2.5671 mm² (— mm × — mm)
  • 在 VBUS_CON
    高达 30V 直流时提供过压保护
  • 精密 OVP(容差小于 ± 1%)
  • 低 RON nFET 开关支持主机和充电模式
  • 专用 VBUS_POWER 引脚可在电池耗尽情况下提供灵活的加电选项
  • 针对 VBUS 线路的瞬态保护:
    • IEC 61000-4-2 接触放电 ±15kV
    • IEC 61000-4-2 空气间隙放电 ±15kV
    • IEC 61000-4-5 开路电压 100V
      • 精密钳位电路将 VBUS_SYS 电压限制为小于 VOVP
  • 适应 USB 涌入电流
  • 热关断 (TSD) 特性
  • 在 VBUS_CON
    高达 30V 直流时提供过压保护
  • 精密 OVP(容差小于 ± 1%)
  • 低 RON nFET 开关支持主机和充电模式
  • 专用 VBUS_POWER 引脚可在电池耗尽情况下提供灵活的加电选项
  • 针对 VBUS 线路的瞬态保护:
    • IEC 61000-4-2 接触放电 ±15kV
    • IEC 61000-4-2 空气间隙放电 ±15kV
    • IEC 61000-4-5 开路电压 100V
      • 精密钳位电路将 VBUS_SYS 电压限制为小于 VOVP
  • 适应 USB 涌入电流
  • 热关断 (TSD) 特性

TPD1S514 系列包含适用于 5V、9V 或 12V USB VBUS 线路或其他电源总线的单芯片保护解决方案。此双向 nFET 开关在保护内部系统电路不受任何 VBUS_CON 引脚上过压情况影响的同时,可确保充电和主机模式下的安全电流流量。在 VBUS_CON 引脚上,这款器件能够处理高达 30V 直流电压的过压保护。在 EN 引脚切换至低位后,TPD1S514 系列中的任何器件均会在通过软启动延迟打开 nFET 之前等待 20ms。

TPD1S514 系列的典型应用接口是 USB 连接器中的 VBUS 线路,该连接器通常用于手机、平板电脑、电子书和便携式媒体播放器中。TPD1S514 系列还可应用于任何使用 5V、9V、或 12V 电源轨接口的系统中。

TPD1S514 系列包含适用于 5V、9V 或 12V USB VBUS 线路或其他电源总线的单芯片保护解决方案。此双向 nFET 开关在保护内部系统电路不受任何 VBUS_CON 引脚上过压情况影响的同时,可确保充电和主机模式下的安全电流流量。在 VBUS_CON 引脚上,这款器件能够处理高达 30V 直流电压的过压保护。在 EN 引脚切换至低位后,TPD1S514 系列中的任何器件均会在通过软启动延迟打开 nFET 之前等待 20ms。

TPD1S514 系列的典型应用接口是 USB 连接器中的 VBUS 线路,该连接器通常用于手机、平板电脑、电子书和便携式媒体播放器中。TPD1S514 系列还可应用于任何使用 5V、9V、或 12V 电源轨接口的系统中。

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用户指南 阅读并了解 ESD 保护数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2023-9-22
应用手册 ESD 保护布局指南 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022-7-25
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选择指南 ESD by Interface Selection Guide (Rev. A) 2017-6-26
白皮书 Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 2016-2-10
用户指南 TPD1S514-2EVM User’s Guide 2014-7-24
模拟设计期刊 系统级 ESD 电路保护的设计注意事项 英语版 2012-12-6

设计与开发

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评估板

TPD1S514-1EVM — TPD1S514-1EVM USB 充电器过压浪涌和 ESD 保护评估模块

德州仪器 (TI) TPD1S514 评估模块可帮助设计人员评估 TPD1S514 器件的运行情况和性能。TPD1S514 是用于 USB 连接器 VBUS 线路保护的单芯片解决方案。双向 nFET 开关可确保在充电模式和主机模式下均能安全流过电流,同时保护内部系统电路免受 VBUS_CON 引脚上的任何过压情况的影响。该器件在 VBUS_CON 引脚上可处理高达 30V 的过压保护。当 EN 引脚电平变为低电平后,TPD1S514 经过 21ms 的启动延迟才开启 nFET。VBUS_POWER 引脚指示 nFET 已完全开启。

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

TPD1S514-3EVM — TPD1S514-3EVM USB 充电器过压浪涌和 ESD 保护评估模块

德州仪器 (TI) TPD1S514-3 评估模块可帮助设计人员评估 TPD1S514-3 器件的运行情况和性能。TPD1S514-3 是一款实现 USB 连接器 VBUS 线路保护的单芯片解决方案。双向 nFET 开关可确保在充电模式和主机模式下均能安全流过电流,同时保护内部系统电路免受 VBUS_CON 引脚上的任何过压情况的影响。该器件在 VBUS_CON 引脚上可处理高达 30V 的过压保护。当 EN 引脚电平变为低电平后,TPD1S514-3 经过 21ms 的启动延迟才开启 nFET。VBUS_POWER 引脚指示 nFET 已完全开启。

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

TPD1S514 IBIS Model

SLVMA96.ZIP (4 KB) - IBIS 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YZ) 12 Ultra Librarian

订购和质量

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