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TLV3011

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具有基准电压的低功耗比较器（漏极开路）

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TLV3011B 正在供货 具有集成基准引脚和开漏输出的微功耗比较器 Lower power with fail-safe and power on reset (POR)

TLV3011

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产品详情

Number of channels 1 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 6 Vs (max) (V) 5.5 Vs (min) (V) 1.8 Rating Catalog Features Internal Reference Iq per channel (typ) (mA) 0.0028 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 12 Rail-to-rail In Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 0.01 VICR (max) (V) 5.7 VICR (min) (V) -0.2
Number of channels 1 Output type Open-collector, Open-drain Propagation delay time (µs) 6 Vs (max) (V) 5.5 Vs (min) (V) 1.8 Rating Catalog Features Internal Reference Iq per channel (typ) (mA) 0.0028 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 12 Rail-to-rail In Operating temperature range (°C) -40 to 125 Input bias current (±) (max) (nA) 0.01 VICR (max) (V) 5.7 VICR (min) (V) -0.2
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² (2.9 mm × 2.8 mm) SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² (2 mm × 2.1 mm)
  • 低静态电流：3.1µA（最大值，“B”版本）
  • 集成电压基准：1.242 V
  • 输入共模范围：超过电源轨 200mV
  • 电压基准初始精度：1%
  • 失效防护输入（“B”版本）
  • 上电复位（“B”版本）
  • 集成迟滞（“B”版本）

  • 开漏输出选项 (TLV3011x)

  • 推挽输出选项 (TLV3012x)

  • 快速响应时间：6uS

  • 低电源电压 = 1.65V 至 5.5V（“B”版本）
  • 低静态电流：3.1µA（最大值，“B”版本）
  • 集成电压基准：1.242 V
  • 输入共模范围：超过电源轨 200mV
  • 电压基准初始精度：1%
  • 失效防护输入（“B”版本）
  • 上电复位（“B”版本）
  • 集成迟滞（“B”版本）

  • 开漏输出选项 (TLV3011x)

  • 推挽输出选项 (TLV3012x)

  • 快速响应时间：6uS

  • 低电源电压 = 1.65V 至 5.5V（“B”版本）

TLV3011 是一款低功耗、开漏输出比较器；TLV3012 是一款推挽输出比较器。这两款器件均具有非限定的片上电压基准，静态电流为 5µA（最大值），输入共模范围超出电源轨 200mV，单电源电压范围为 1.8V 至 5.5V。集成的 1.242V 系列电压基准提供 100ppm/°C（最大值）的低温漂，在高达 10nF 的容性负载下保持稳定，并且可以提供高达 0.5mA（典型值）的输出电流。

TLV3011B 和 TLV3012B“B”版本添加了上电复位 (POR)、失效防护输入、内置迟滞、1.65V 的较低最小电源电压和 3.1µA 的最大静态电流。

该系列采用微型 SOT23-6 和 SC-70 两种封装，前者可实现节省空间的设计，后者可进一步节省电路板面积。所有版本的额定工作温度范围均为 –40°C 至 +125°C。

TLV3011 是一款低功耗、开漏输出比较器；TLV3012 是一款推挽输出比较器。这两款器件均具有非限定的片上电压基准，静态电流为 5µA（最大值），输入共模范围超出电源轨 200mV，单电源电压范围为 1.8V 至 5.5V。集成的 1.242V 系列电压基准提供 100ppm/°C（最大值）的低温漂，在高达 10nF 的容性负载下保持稳定，并且可以提供高达 0.5mA（典型值）的输出电流。

TLV3011B 和 TLV3012B“B”版本添加了上电复位 (POR)、失效防护输入、内置迟滞、1.65V 的较低最小电源电压和 3.1µA 的最大静态电流。

该系列采用微型 SOT23-6 和 SC-70 两种封装，前者可实现节省空间的设计，后者可进一步节省电路板面积。所有版本的额定工作温度范围均为 –40°C 至 +125°C。
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设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

AMP-PDK-EVM — 放大器高性能开发套件评估模块

放大器高性能开发套件 (PDK) 是一款用于测试常见运算放大器参数的评估模块 (EVM) 套件，与大多数运算放大器和比较器均兼容。该 EVM 套件提供了一个主板，主板上具有多个插槽式子卡选项以满足封装需求，使工程师能够快速评估和验证器件性能。

AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装，包括：

  • D（SOIC-8 和 SOIC-14）
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV（SOT23-5 和 SOT23-6）
  • DCK（SC70-5 和 SC70-6）
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV3011 PSpice Model

SBOMBT7.ZIP (42 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV3011 TINA-TI Model

SBOMBU4.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TLV3011 TINA-TI Reference Design

SBOM769.TSC (149 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
设计工具

CIRCUIT060083 — 采用比较器的欠压保护电路

该欠压保护电路使用一个带有精度集成基准的比较器，以在电池电压降至低于 2.0V 时在比较器输出端 (OUT) 生成警报信号。该方式中的欠压警报为低电平有效。因此，当电池电压降至 2.0V 以下时，比较器输出变为低电平，向监控输出的任何器件提供警报信号。磁滞集成在比较器中，当电池电压升至 2.034V 以上时，比较器输出将返回至逻辑高电平状态。该电路采用漏极开路输出比较器，以便对输出高逻辑电平进行电平位移，从而控制数字逻辑输入引脚。对于需要驱动 MOSFET 开关栅极的应用，最好使用具有推挽输出的比较器。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 6 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

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