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氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3624

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700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing

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产品详情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • GaN 功率 FET：700V，155mΩ，
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 静态电流：240µA
  • AUX 待机静态电流：50µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
  • 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装
  • GaN 功率 FET：700V，155mΩ，
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 静态电流：240µA
  • AUX 待机静态电流：50µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
  • 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装

LMG3624 是一款 700V 155mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm VQFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。

可编程导通转换率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到凉爽的 PCB 电源地。

LMG3624 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过漏极开路 FLT 引脚报告。

LMG3624 是一款 700V 155mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm VQFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。

可编程导通转换率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到凉爽的 PCB 电源地。

LMG3624 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过漏极开路 FLT 引脚报告。
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* 数据表 LMG3624 具有集成式驱动器 和电流检测仿真功能 的 700V、 155 mΩ、GaN FET 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 10月 29日
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应用简报 利用 TI GaN 中的集成电流检测功能更大限度提高系统效率 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 13日
产品概述 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 进行设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 29日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LMG3624EVM-081 — LMG3624 支持 USB Type-C® PD 的 65W 准谐振反激式转换器评估模块

LMG3624EVM-081 采用具有电流检测仿真功能的 LMG3624 集成式 GaN FET，展示了 65W USB Type-C® 电力输送 (PD) 离线适配器的高效率和高密度特性。该输入支持 90Vac 至 265Vac 通用电压范围，输出可设置为 5V、9V 和 15V（电流最大为 3A）或 20V（电流最大为 3.25A），此类设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。标称频率高达 200kHz 的高频运行可实现小解决方案尺寸，而多模式运行可保持高效率。在输出端使用同步整流技术，以提高效率。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
计算工具

LMG36XX-CALC — LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
  • LMG3612 — 具有集成驱动器和保护功能的 650-V 120-mΩ GaN FET
  • LMG3614 — 具有集成驱动器和保护功能的 650-V 170-mΩ GaN FET
  • LMG3616 — 具有集成驱动器和保护功能的 650-V 270-mΩ GaN FET
  • LMG3622 — 700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection
  • LMG3624 — 700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
  • LMG3626 — 700V 220mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
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参考设计

TIDA-050072 — 基于 GaN 的 65W USB PD3.0 USB-C 适配器参考设计

此参考设计是一款 65W USB PD3.0 适配器，适用于多种充电应用，包括手机、笔记本电脑和平板电脑。此设计通过将 LMG3624 集成式 GaN FET 与电流检测仿真配合使用，实现了高效率和高功率密度。准谐振反激实现了高效率，在简单性和低开关损耗之间取得了平衡。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频