LMG3522R030
- 带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET 释抑
- 2MHz 开关频率
- 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
- 由 7.5V 至 18V 电源供电
- 强大的保护
- 响应时间 ＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
- 高级电源管理
- 数字温度 PWM 输出
- LMG3526R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)
- LMG3527R030 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD）
- 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感
LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。
LMG352xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3526R030包含零电压检测（ZVD）功能，能够在实现零电压开关时提供 ZVD 引脚脉冲输出。LMG3527R030 包含零电流检测（ZCD）功能，能够在检测到源极到漏极的正向电流时提供 ZCD 引脚脉冲输出。
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引脚。
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设计与开发
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用户指南:
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许多 TI 参考设计都包括 LMG3522R030
通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RQS) | 52 | Ultra Librarian |
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