LM7481-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 9.1mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 低反向检测阈值 (–4mV)，能够快速响应 (0.5µs)
- 高达 200KHz 的有源整流
- 60mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 集成 3.8mA 电荷泵
- 可调节过压保护
- 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
LM74810-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。具有 60mA 峰值栅极拉电流驱动器级以及短导通和关断延迟时间的 3.8mA 强电荷泵可确保快速的瞬态响应，从而确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，在汽车测试中 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200KHz 的交流叠加输入信号。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能，以提供负载突降保护。
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