LM5109B-Q1

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具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V)

90

Power switch

MOSFET

Input supply voltage (min) (V)

8

Input supply voltage (max) (V)

14

Peak output current (A)

1

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Undervoltage lockout (typ) (V)

8

Rating

Automotive

Propagation delay time (µs)

0.03

Rise time (ns)

15

Fall time (ns)

15

Iq (mA)

0.01

Input threshold

TTL

Channel input logic

TTL

Switch node voltage (V)

-1

Driver configuration

Dual inputs

Bootstrap supply voltage (max) (V)

90

Power switch

MOSFET

Input supply voltage (min) (V)

8

Input supply voltage (max) (V)

14

Peak output current (A)

1

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Undervoltage lockout (typ) (V)

8

Rating

Automotive

Propagation delay time (µs)

0.03

Rise time (ns)

15

Fall time (ns)

15

Iq (mA)

0.01

Input threshold

TTL

Channel input logic

TTL

Switch node voltage (V)

-1

Driver configuration

Dual inputs

WSON (NGT)

8

16 mm² (4 mm × 4 mm)

符合汽车类应用标准
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
- 器件温度 1 级
- 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
- 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流/1.0A 拉电流）
独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
自举电源电压高达 108V（直流）
短暂传播时间（典型值为 30ns）
可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
电源轨欠压锁定
低功耗
耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装

应用

推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
固态电机驱动器
双开关正向电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

符合汽车类应用标准
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
- 器件温度 1 级
- 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
- 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流/1.0A 拉电流）
独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
自举电源电压高达 108V（直流）
短暂传播时间（典型值为 30ns）
可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
电源轨欠压锁定
低功耗
耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装

应用

推挽转换器
半桥和全桥电源转换器
固态电机驱动器
双开关正向电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。

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封装	引脚	CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (NGT)	8	Ultra Librarian

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