主页 电源管理 栅极驱动器 半桥驱动器
主页
电源管理
栅极驱动器
半桥驱动器

LM5109B

正在供货

具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

立即订购
数据表

可提供此产品的更新版本

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
LM2101 正在供货 具有 8V UVLO 的 107V、0.5A/0.8A 半桥栅极驱动器 Newer device with similar electrical characteristics

LM5109B

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) WSON (NGT) 8 16 mm² (4 mm × 4 mm)
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流）
  • 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
  • 自举电源电压高达 108VDC
  • 短暂传播时间（典型值为 30ns）
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装

应用

  • 电流反馈推挽式转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正激电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流）
  • 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
  • 自举电源电压高达 108VDC
  • 短暂传播时间（典型值为 30ns）
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装

应用

  • 电流反馈推挽式转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正激电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。
filter 查找其他 半桥驱动器
下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
LM2105 正在供货 具有 5V UVLO 和集成式自举二极管的 107V、0.5A/0.8A 半桥栅极驱动器 Lower 1 ku price and integrated bootstrap diode

技术文档

未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 18
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LM5109B 高电压 1A 峰值半桥栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2016-5-4
应用手册 Applying Non-isolated Gate Drivers in Your Home Tool and Accessory Designs PDF | HTML 2025-5-16
应用手册 使用半桥栅极驱动器实现高侧 FET 的 100% 占空比 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024-3-26
应用手册 双向直流/直流转换器中半桥栅极驱动器的挑战和解决方案 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024-1-25
应用手册 针对半桥配置的自举电路选择 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2023-9-14
应用手册 比较分析两种不同的可提高栅极驱动电流的方法 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022-4-1
应用手册 适用于高频逆变器并采用 C2000 的电压馈电全桥直流/直流和直流/交流转换器 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) 2021-5-3
应用手册 Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. 2020-5-12
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020-4-29
应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020-4-29
应用简报 Small Price Competitive 100-V Driver for 48-V BLDC Motor Drives 2019-10-22
应用手册 使用 UCC27282 来最大限度改善直流/直流转换器设计 英语版 2019-5-20
应用手册 UCC27282 Improving motor drive system robustness 2019-1-11
更多文献资料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018-10-29
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse PDF | HTML 2018-9-19
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadti PDF | HTML 2018-5-30
应用手册 AN-1317 Selection of External Bootstrap Diode for LM510X Devices (Rev. B) 2018-5-4
技术文章 The story of motor-drive integration PDF | HTML 2017-1-9

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LM2105EVM — LM2105 具有集成式自举二极管的 105V 半桥驱动器评估模块

LM2105 评估模块 (EVM) 是一款用于评估 LM2105 性能的平台。LM2105 是一款具有 0.5A 峰值拉电流、0.8A 峰值灌电流、105V 引导电压的高侧/低侧驱动器，可用于驱动两个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该评估板还可用于评估支持的封装中的引脚对引脚兼容器件。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

LM5109B PSpice Transient Model

SNVMAM7.ZIP (75 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

LM5109B Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAM8.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

支持的产品和硬件
参考设计

TIDM-DC-DC-BUCK — 数控非隔离式直流/直流降压转换器参考设计

该设计的目的是演示使用 C2000™ 微控制器的数字电源控制并评估 powerSUITE 数字电源软件工具。该设计包含两块独立的电路板：

用于该设计的软件打包在 C2000 MCU DigitalPower 软件开发套件 (SDK) 中。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (NGT) 8 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

查看全部论坛主题 查看英文版全部论坛主题

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供，并不构成 TI 规范。请参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问，请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频