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ISOS141-SEP

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Radiation tolerant, quad channel, 3/1 digital isolator

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产品详情

Rating Space Integrated isolated power No Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM, SPI, UART SPI frequency (max) (MHz) 15.5 Propagation delay time (typ) (ns) 10.7 Propagation delay time (max) (ns) 16 Channel-to-channel output skew (max) (ns) 4 Certifications DIN Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Surge isolation voltage (VIOSM) (kVPK) 5.2 CMTI (min) (kV/µs) 85 Default output High, Low Creepage (min) (mm) 3.7 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.88 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.48 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Clearance (min) (mm) 3.7
Rating Space Integrated isolated power No Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM, SPI, UART SPI frequency (max) (MHz) 15.5 Propagation delay time (typ) (ns) 10.7 Propagation delay time (max) (ns) 16 Channel-to-channel output skew (max) (ns) 4 Certifications DIN Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Surge isolation voltage (VIOSM) (kVPK) 5.2 CMTI (min) (kV/µs) 85 Default output High, Low Creepage (min) (mm) 3.7 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.88 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.48 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Clearance (min) (mm) 3.7
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 抗辐射
    • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值（无 ELDRS）= 30krad(Si)
    • TID RLAT/RHA = 30krad(Si)
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下对 LET 的抗扰度 = 43MeV⋅cm2/mg
    • 单粒子绝缘击穿 (SEDR) 在 500VDC 下的抗扰度 (43MeV⋅cm2/mg)
  • 增强型航天塑料（航天 EP）
    • 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
    • 供应商项目图 (VID) V62/21610
    • 军用级温度范围（-55°C 至 125°C）
    • 同一晶圆制造场所
    • 同一组装和测试场所
    • 金键合线，NiPdAu 铅涂层
    • 晶圆批次可追溯性
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知周期
  • 600VRMS 连续工作电压
  • ：
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 组件认证计划
  • 100 Mbps 数据速率
  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出低
  • 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.5mA
  • 低传播延迟：典型值为 10.7ns（5V 电源供电时）
  • 通道间偏斜小：最大 4ns（5V 电源供电时）
  • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 系统级 ESD、EFT、浪涌和磁抗扰度

  • 小型 QSOP (DBQ-16) 封装
  • 抗辐射
    • 电离辐射总剂量 (TID) 特征值（无 ELDRS）= 30krad(Si)
    • TID RLAT/RHA = 30krad(Si)
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下对 LET 的抗扰度 = 43MeV⋅cm2/mg
    • 单粒子绝缘击穿 (SEDR) 在 500VDC 下的抗扰度 (43MeV⋅cm2/mg)
  • 增强型航天塑料（航天 EP）
    • 符合 NASA ASTM E595 释气规格要求
    • 供应商项目图 (VID) V62/21610
    • 军用级温度范围（-55°C 至 125°C）
    • 同一晶圆制造场所
    • 同一组装和测试场所
    • 金键合线，NiPdAu 铅涂层
    • 晶圆批次可追溯性
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知周期
  • 600VRMS 连续工作电压
  • ：
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 组件认证计划
  • 100 Mbps 数据速率
  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出低
  • 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.5mA
  • 低传播延迟：典型值为 10.7ns（5V 电源供电时）
  • 通道间偏斜小：最大 4ns（5V 电源供电时）
  • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 系统级 ESD、EFT、浪涌和磁抗扰度

  • 小型 QSOP (DBQ-16) 封装

ISOS141-SEP 抗辐射器件是采用小型 16 引脚 QSOP 封装的高性能四通道数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件具有 100Mbps 的高数据速率、10.7ns 的低传播延迟和 4ns 的通道间严格偏移，支持近地轨道 (LEO) 航天应用。ISOS141-SEP 器件具有三个正向通道和一个反向通道，如果失去输入功率或信号，默认输出为低电平。使能引脚可用于将各输出置于高阻抗，适用于多主驱动应用，还可降低功耗。

ISOS141-SEP 在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时，具有高电磁抗扰度和低辐射、低功耗特性。该器件具有 100kV/µs 的高共模瞬态抗扰度，可轻松缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题，还通过创新的芯片设计简化了辐射方面的合规性。

ISOS141-SEP 抗辐射器件是采用小型 16 引脚 QSOP 封装的高性能四通道数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件具有 100Mbps 的高数据速率、10.7ns 的低传播延迟和 4ns 的通道间严格偏移，支持近地轨道 (LEO) 航天应用。ISOS141-SEP 器件具有三个正向通道和一个反向通道，如果失去输入功率或信号，默认输出为低电平。使能引脚可用于将各输出置于高阻抗，适用于多主驱动应用，还可降低功耗。

ISOS141-SEP 在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时，具有高电磁抗扰度和低辐射、低功耗特性。该器件具有 100kV/µs 的高共模瞬态抗扰度，可轻松缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题，还通过创新的芯片设计简化了辐射方面的合规性。
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* 数据表 ISOS141-SEP 抗辐射高速四通道数字隔离器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2021-3-5
* 辐射与可靠性报告 ISOS141-SEP Production Flow and Reliability Report (Rev. A) PDF | HTML 2025-6-5
* 辐射与可靠性报告 ISOS141-SEP Neutron Displacement Damage Characterization 2021-3-18
* 辐射与可靠性报告 ISOS141-SEP Quad-Channel Digital Isolator TID Report 2021-3-17
* 辐射与可靠性报告 ISOS141-SEP Single-Event Latch-Up (SEL) Radiation Report 2021-3-17
证书 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026-6-11
证书 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. S) 2026-5-7
选择指南 TI Space Products (Rev. L) 2026-3-27
应用简报 采用齐纳移位悬空接地和隔离式数字接口的精密高压电流检测 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025-12-19
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技术文章 Top 9 design questions about digital isolators PDF | HTML 2019-2-4

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM)，用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件：8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

ISOS141-SEP IBIS Model

SLLM498.ZIP (63 KB) - IBIS 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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