CSD87331Q3D
- 半桥电源块
- VIN 高达 27V
- 高达 15A 的运行电流
- 10A 电流时系统效率为 91%
- 高频运行（高达 1.5MHz）
- 高密度 3.3mm × 3.3mm SON 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
CSD87331Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
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设计与开发
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MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
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适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
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快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计
PMP12004-HE — 为 Xilinx Zynq UltraScale+ 射频拉远头 (RRH) 或回程链路 (BH) 供电的参考设计
此设计采用了 TPS6508640，是一种小尺寸、高效率解决方案，可用于为 Xilinx Zynq UltraScale+ (www.xilinx.com/power) 射频拉远头 (RRH) 供电。PMIC 将电源轨集成到 1 个器件中、使用高开关频率并提供用于内核电源的独立电源轨，从而减小了尺寸并降低了成本和功率损耗。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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订购和质量
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