CSD87313DMS

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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 9.6 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 28 QGD (typ) (nC) 6 QGS (typ) (nC) 6.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 17 ID - package limited (A) 17 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 9.6 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 28 QGD (typ) (nC) 6 QGS (typ) (nC) 6.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 17 ID - package limited (A) 17 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON-CLIP (DMS) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • 低源极至源极导通电阻
  • 双共漏极 N 通道 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
  • 低源极至源极导通电阻
  • 双共漏极 N 通道 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件,专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3mm × 3.3mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的 应用。

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件,专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3mm × 3.3mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的 应用。

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* 数据表 CSD87313DMS 30V 双路 N 通道 NexFET功率 MOSFET 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2017-5-9
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设计与开发

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支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD87313DMS Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM336B.ZIP (4 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON-CLIP (DMS) 8 Ultra Librarian

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