CSD86336Q3D

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采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

产品详情

VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 20 Power loss (W) 1.8 Ploss current (A) 15 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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VSON-CLIP (DPB) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • 半桥电源块
  • 12A 电流下系统效率高达 93.0%
  • 工作电流高达 20A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
  • 半桥电源块
  • 12A 电流下系统效率高达 93.0%
  • 工作电流高达 20A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。


CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。


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设计与开发

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仿真模型

CSD863336Q3D Unencrypted PSpice Model (Rev. C)

SLPM334C.ZIP (5 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

SLPR053 — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
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快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON-CLIP (DPB) 8 Ultra Librarian

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