CSD18563Q5A

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.8mOhm、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6.8 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 10.8 VGSTH typ (typ) (V) 2 QG (typ) (nC) 15 QGD (typ) (nC) 2.9 QGS (typ) (nC) 3.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 93 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 采用软体二极管以降低振铃效应
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
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  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 5.7mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET用于与 CSD18537NQ5A 控制 FET 配对并充当完整工业降压转换器芯片组解决方案的同步 FET。

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 5.7mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET用于与 CSD18537NQ5A 控制 FET 配对并充当完整工业降压转换器芯片组解决方案的同步 FET。

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设计与开发

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用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
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无货
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支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSONP (DQJ) 8 Ultra Librarian

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