CSD18537NQ5A

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 13 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 54 ID - package limited (A) 50 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 高侧同步降压转换器
  • 电机控制

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 高侧同步降压转换器
  • 电机控制

这款 10mΩ,60V,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 2.1°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比
≤ 1%

这款 10mΩ,60V,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 2.1°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比
≤ 1%

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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

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用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
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??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
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SLPM185A.ZIP (5 KB) - PSpice 模型
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSONP (DQJ) 8 Ultra Librarian

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