CSD18512Q5B
- 低 RDS(ON)
- 低热阻
- 雪崩级
- 逻辑电平
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 5mm x 6mm 塑料封装
这款 40V、1.3mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | CSD18512Q5B 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2019-5-20 |
| 应用手册 | MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2025-11-18 | |
| 应用简报 | 估算功率 MOSFET 的漏电流 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025-11-7 | |
| 应用手册 | 半导体和 IC 封装热指标 (Rev. D) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2024-4-24 | |
| 应用手册 | QFN 和 SON PCB 连接 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2024-1-5 | |
| 应用手册 | 在设计中使用 MOSFET 瞬态热阻抗曲线 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-12-19 | |
| 应用简报 | 成功并联功率 MOSFET 的技巧 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-12-6 | |
| 应用手册 | 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-3-15 | |
| 应用手册 | 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 | 英语版 | 2015-5-12 |
设计与开发
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DRV8106H-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块
DRV8106H-Q1EVM 用于评估 DRV8106H-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8106H-Q1 是一款高度集成式半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。宽共模分流放大器具有内嵌式电流检测功能，可持续测量电机电流。
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DRV8106S-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器 EVM
DRV8106S-Q1EVM 用于评估 DRV8106S-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8106S-Q1 是一款高度集成式半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
宽共模分流放大器具有内嵌式电流检测功能，可持续测量电机电流。
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DRV8705H-Q1EVM — 具有低侧电流检测放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM
DRV8705H-Q1EVM 用于评估 DRV8705H-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8705H-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。分流放大器具有低侧电流检测功能，可持续测量电机电流。
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DRV8705S-Q1EVM — 具有低侧电流检测放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM
DRV8705S-Q1EVM 用于评估 DRV8705H-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8705S-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
分流放大器具有低侧电流检测功能，可持续测量电机电流。
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DRV8706H-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块
DRV8706H-Q1EVM 用于评估 DRV8706H-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。 DRV8706H-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
宽共模分流放大器具有内嵌式电流检测功能，可持续测量电机电流。
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DRV8706S-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM
DRV8706S-Q1EVM 用于评估 DRV8706S-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8706S-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
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LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool
MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive
SLPR053 — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter
SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON-CLIP (DNK) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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