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UCC28C53-Q1

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汽车类 30V 低功耗电流模式 PWM 控制器，8.4V/7.6V UVLO，100% 占空比

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产品详情

Vin (min) (V) 7.6 Vin (max) (V) 30 Iout (max) (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Control mode Current Topology Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC Rating Automotive Vout (min) (V) 0 Vout (max) (V) 80 Iq (typ) (A) 0.0013 Duty cycle (max) (%) 100
Vin (min) (V) 7.6 Vin (max) (V) 30 Iout (max) (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Control mode Current Topology Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC Rating Automotive Vout (min) (V) 0 Vout (max) (V) 80 Iq (typ) (A) 0.0013 Duty cycle (max) (%) 100
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项

  • 30V VDD 绝对最大电压

  • 1MHz 最大固定频率工作
  • 50µA 启动电流，最大值 75µA
  • 低工作电流：1.3mA（f OSC = 52kHz）
  • 高工作 T J：150°C（最大值）
  • 35ns 快速逐周期过流限制
  • 峰值驱动电流为 ±1A
  • 轨到轨输出：
    • 25ns 上升时间
    • 20ns 下降时间
  • 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准

  • 与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代产品

  • 提供功能安全
    • 可帮助进行功能安全系统设计的文档
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
    • 器件 HBM 分类等级 2：±2kV
    • 器件 CDM 分类等级 C4B：750 V
  • 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项

  • 30V VDD 绝对最大电压

  • 1MHz 最大固定频率工作
  • 50µA 启动电流，最大值 75µA
  • 低工作电流：1.3mA（f OSC = 52kHz）
  • 高工作 T J：150°C（最大值）
  • 35ns 快速逐周期过流限制
  • 峰值驱动电流为 ±1A
  • 轨到轨输出：
    • 25ns 上升时间
    • 20ns 下降时间
  • 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准

  • 与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代产品

  • 提供功能安全
    • 可帮助进行功能安全系统设计的文档
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
    • 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
    • 器件 HBM 分类等级 2：±2kV
    • 器件 CDM 分类等级 C4B：750 V

UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。

除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59-Q1)。

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。

UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。

除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59-Q1)。

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC28C56EVM-066 — 适用于 UCC28C56H-Q1 初级侧控制（使用 AUX 绕组）反激式稳压器的评估模块

UCC28C56EVM-066 是一款适用于 EV 和 HEV 汽车动力总成的高效初级侧控制（使用 AUX 绕组）反激式辅助电源。该设计可为 800V 电池系统提供 15.2VTYP 40W 输出。在 125V 至 1000V 的输入电压范围内提供 40W 功率。确切输出电压取决于负载。该设计输入为 40V 至 125V，可提供功率为 20W。该 EVM 采用 1700V 碳化硅 (SiC) MOSFET，非常适合 800V 电池系统。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.C): PDF | HTML
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仿真模型

UCC28C53 and UCC28C53-Q1 PSpice Model

SLUM838.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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测试报告: PDF
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