UCC27512-EP
- 低成本、栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
- 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
- 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
- 快速传播延迟（典型值 13ns）
- 快速上升和下降时间（典型值 9ns 和 7ns）
- 4.5V 至 18V 单一电源范围
- 在 VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间，输出保持低电平（以保证加电和断电时的无毛刺脉冲运行）
- TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑阀值，（与电源电压无关）
- 用于高抗噪性的滞后逻辑阀值
- 双输入设计（选择一个反相（IN- 引脚）或者同相（IN+ 引脚）驱动器配置）
- 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
- 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
- 6 引脚 DRS（带有散热垫的 3mm x 3 mm 超薄小外形尺寸 (WSON) 封装）封装
UCC27512 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。 通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27512 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为 13ns）。
UCC27512 提供 4A 拉，8A 灌（非对称驱动）峰值驱动电流能力。 非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生、米勒接通效应的能力。
UCC27512 设计用于在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围和 -55°C 至 125°C 的宽温度范围内运行。 VDD 引脚上的内部欠压闭锁 (UVLO) 电路保持 VDD 运行范围之外的输出低电平。 能够运行在诸如 5V 的低电压电平上，连同同类产品中最佳的开关特性，使得此器件非常适合于驱动诸如氮化镓 (GaN) 功率半导体器件等新上市宽带隙电源开关器件。
技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | 单通道高速、低侧栅极驱动器（具有4A 峰值拉电流和8A 峰值灌电流） 数据表 | 英语版 | 2013-7-1 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | UCC27512MDRSTEP Reliability Report | 2016-2-9 | |||
| 应用手册 | 不同功率因数校正 (PFC) 拓扑的栅极驱动器需求综述 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024-1-23 | |
| 应用手册 | 使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023-9-13 | |
| 应用手册 | 紧凑、强大且稳健的低侧栅极驱动器的优势 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022-9-23 | |
| 应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020-4-29 | |||
| 应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020-4-29 | |||
| 应用简报 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019-1-18 | ||||
| 应用简报 | Enable Function with Unused Differential Input | 2018-7-11 | ||||
| 应用简报 | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018-3-16 |
设计与开发
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DRS) | 6 | Ultra Librarian |
订购和质量
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