TPSI8830
- 具有 ±80V 工作电压的集成式背对背 MOSFET
- RON = 30mΩ (TJ = 25°C)
- 60V 时的 IOFF = 1µA (TJ = 105°C)
- 电源路径过流保护，并具备跨隔离栅的故障信号传输
- 版本 A：4A
- 版本 B：6A
- 宽电源电压范围：3.0V 至 5.5V
- 可配置故障重试计时器 (TMR)
- 导通状态下的低初级侧电源电流 (VDD)
- 5mA 导通状态 VDD 电流
- 宽温度范围：–40°C 至 125°C
- 功能隔离：
- 200VRMS、250VDC 工作电压
- 570VRMS、800VDC 瞬态电压 (60s)
- SSOP 14 引脚 (DFP) 封装，爬电距离和间隙为 8mm
-
功能安全型
- 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的文档
TPSI8830 是一款隔离式固态继电器，专为工业应用而设计。TPSI8830 采用了 TI 具有高可靠性的电容隔离技术，并结合内部背对背 MOSFET，形成了一款完全集成的解决方案，无需次级侧电源。TPSI8830 可提高系统可靠性，因为 TI 的电容隔离技术不会受到机械继电器和光继电器元件中常见的机械损耗或光退化故障模式的影响。
该器件的初级侧仅由 5mA 的输入电流供电，并集成了一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚必须连接到 3.0V 至 5.5V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚必须由逻辑高电平介于 1.8V 至 5.5V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可以直接一起由系统电源或 GPIO 输出驱动。
次级侧包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±80V。TPSI8830 集成了双向过流保护，可防止由于输出误接线或对地短路而造成损坏。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPSI8830 具有过流保护、负载诊断和功能隔离功能的 80V、30mΩ、3A 固态继 电器 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-5-28 |
设计与开发
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评估板
TPSI88XXEVM — TPSI88xx 评估模块
TPSI88XXEVM 是一款硬件评估模块，用于评估 TPSI88XX 系列中器件的性能。使用 TPSI88XXEVM 评估恒温器和 PLC 数字输出模块等应用要求。此 EVM 中集成了 TPSI8830ZB（DFP 封装）。
认证
TPSI88XXEVM-DOC-CERT — TPSI88XXEVM EU Declaration of Conformity (DoC)
TPSI88XXEVM EU Declaration of Conformity (DoC)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SSOP (DFJ) | 14 | Ultra Librarian |
订购和质量
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