TPS7H6200-SEP
- 电离辐射总剂量 (TID) 特征值高达 50krad(Si)
- 破坏性单粒子效应 (DSEE) 特征值
- 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 LET 的抗扰度高达 43MeV⋅cm2/mg
- 单粒子效应特征值
- 单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子瞬变 (SET) 对于 LET 的特征值高达 43MeV cm2/mg
- 支持军用（–55°C 至 125°C）温度
- 3.2mΩ（典型值）高侧 FET RDSON，1mΩ 低侧 FET RDSON
- 高效率（VPVIN = 12V，VVOUT = 0.8V，fSW = 500kHz，TA =25°C，L = 200nH，DCR = 180mΩ）：
- η = 89.6%（20A 时）
- η = 87.2%（40A 时）
- η = 84.9%（52A 时）
- 52A 最大连续电流
- 集成式低侧电流检测
- 当标称负载电流大于 40A 时，总 RSS 精度为 14.5%
- 过流、过热或 UVLO 检测的 Fault 引脚指示灯
- DrMOS 3.3V 和 5V PWM 输入信号兼容性
- 集成式过热和过流保护
TPS7H6200-SEP 是一款具有集成栅极驱动器的 15V e-mode GaN 功率 FET，具有三态 PWM 兼容性、集成低侧电流检测、过热保护和过流保护功能。
GaN FET 半桥裸片将高侧和低侧 GaN FET 集成在同一个基板上，从而更大限度地减小寄生电感。该器件对于负载点电压转换采用非对称尺寸设计：低侧为 1mΩ，高侧为 3mΩ，从而优化典型输入到输出转换比的性能和效率。因此，TPS7H6200-SEP 在 20A 的典型负载下可实现超过 89.6% 的效率。
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS7H6200-SEP 具有低侧电流检测功能的耐辐射 52A GaN 半桥功率级 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-9-23 |
设计与开发
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评估板
TPS7H5101EVM — TPS7H5101-SEP 评估模块
TPS7H5101-SEP 评估模块 (EVM) 是一款双相 D-CAP+™ 降压转换器，适用于低输出电压下的高电流负载。该控制器针对 0.8V、80A 的负载点供电进行了优化，并使用两个 TPS7H6200-SEP 器件实现电源转换。该 EVM 利用 D-CAP+ 架构的高级控制功能，在低输出电容和高效率条件下实现快速瞬态响应。该 EVM 采用 DROOP 补偿，从而可以进一步降低输出电容，同时满足低输出电压容差要求。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN-FCRLF (VEJ) | 49 | Ultra Librarian |
订购和质量
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