TPS7A37
- 配备 1µF 或更大电容的陶瓷输出电容
- 输入电压范围:2.2V 至 5.5V
- 超低压降电压:
- 1A 电流时最大值为 200mV
- 即使仅使用 1µF 的输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应
- NMOS 拓扑结构实现低反向漏电流
- 出色的精度:
- 0.23% 标称精度
- 线性调整率、负载调整率和温度变化范围内的综合精度为 1%
- 关断模式下典型 IQ 小于 20nA
- 热关断和电流限制可实现故障保护
TPS7A37 系列线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用了 NMOS 旁路元件。该拓扑对输出电容器值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低,支持实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑结构也可实现超低压降。
TPS7A37 系列利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低的压降和低接地引脚电流。未启用时,电流消耗低于 20nA,非常适合于便携式应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 5
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS7A37 具有反向电流保护功能的 1% 高精确度 1A 低压降稳压器 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-11-3 | |
| 应用手册 | A Topical Index of TI LDO Application Notes (Rev. F) | 2019-6-27 | ||||
| 技术文章 | LDO Basics: Preventing reverse current | PDF | HTML | 2018-7-25 | |||
| 选择指南 | Low Dropout Regulators Quick Reference Guide (Rev. P) | 2018-3-21 | ||||
| 用户指南 | TPS7A37XXDRV-529 Evaluation Module | 2013-1-22 |
设计与开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DRV) | 6 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。