封装信息
| 封装 | 引脚 TSSOP (PW) | 16 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,000 | LARGE T&R |
TPL7407L 的特性
- 600mA 额定漏极电流（每通道）
- 7 通道达灵顿 (Darlington) 阵列（例如 ULN2003A）的 CMOS 引脚到引脚改进
- 功耗（极低 VOL）
- 电流为 100mA 时，VOL 低于达灵顿 (Darlington) 阵列的四分之一
- 每通道小于 10nA 的极低输出泄露
- 扩展环境温度范围：
TA = -40°C 至 125°C - 高压输出 40V
- 与 1.8V 至 5.0V 微控制器和逻辑接口兼容
- 用于感应反冲保护的内部自振荡二极管
- 输入下拉电阻器可实现三态输入驱动器
- 用来消除嘈杂环境中寄生运行的输入电阻电容 (RC) 缓冲器
- 电感负载驱动器应用
- 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
- 2kV 人体模型 (HBM)，500V 充电器件模型 (CDM)
- 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装
应用范围
- 电感负载
- 继电器
- 单极步进 & 有刷直流电机
- 螺线管 & 阀门
- 发光二极管 (LED)
- 逻辑电平位移
- 栅极 & 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 驱动
TPL7407L 的说明
TPL7407L 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。 这个器件包含 7 个特有高压输出的 NMOS 晶体管，这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。 一个单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。 增加的全新稳压和驱动电路在整个通用输入输出 (GPIO) 范围内 (1.8V-5.0V) 提供最大驱动强度。可将这些晶体管并联以实现更高的电流能力。
TPL7407L 的主要优势是其经提升的效率以及低于双极达灵顿 (Darlington) 器件的泄露值。 借助于较低的 VOL，功率耗散比传统中继驱动器少一半，每通道的电流少于 250mA。