封装信息
| 封装 | 引脚 WSON (DRV) | 6 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
TLV757P 的特性
- 采用 SOT-23 (DYD) 封装，具有 60.3°C/W RθJA
- 输入电压范围：1.45V 至 5.5V
- 可提供固定输出电压：
- 0.6V 至 5V（阶跃为 50mV）
- 低 IQ：25µA（典型值）
- 低压降：
- 在 1A 下为 425mV（最大值）（VOUT 为 3.3V）
- 输出精度：1%（最大值）
- 内置软启动功能，具有单调 VOUT 上升
- 折返电流限制
- 有源输出放电
- 高 PSRR：100kHz 时为 45dB
- 与 1µF 的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定
- 封装：
- 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 (DBV)
- 带有散热焊盘的 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 (DYD)
- 2mm × 2mm WSON-6 (DRV)
TLV757P 的说明
TLV757P 低压降稳压器 (LDO) 是一款超小型低静态电流 LDO，可提供 1A 拉电流，具有良好的线路和负载瞬态性能。TLV757P 经过优化，可支持 1.45V 至 5.5V 的输入电压范围，可适用于各种应用。为更大限度地缩减成本和解决方案尺寸，该器件可在 0.6V 至 5V 范围内提供固定输出电压。此范围支持现代微控制器 (MCU) 更低的内核电压。此外，TLV757P 具备带有使能功能的低 IQ，从而可将待机功耗降至最低。该器件具有内部软启动功能，可降低浪涌电流。该功能可为负载提供受控电压并在启动过程中更大程度地降低输入电压压降。关断时，该器件可主动下拉输出以使输出快速放电并实现已知的启动状态。
TLV757P 在与支持小尺寸总体解决方案的小型陶瓷输出电容器搭配使用时，可保持稳定。高精度带隙与误差放大器支持 1% 的典型精度。所有器件版本均具有集成的热关断保护、电流限制和低压锁定 (UVLO) 功能。TLV757P 具有内部折返电流限制，有助于在发生短路时减少热耗散。
TLV757 采用流行的 SON 和 SOT23-5 封装。此器件还采用带有散热焊盘的热增强型 SOT23-5 封装 (DYD)。与标准 SOT23-5 封装相比，此封装可显著降低热阻。