封装信息
| 封装 | 引脚 SOT-223 (DCY) | 4 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R |
TLV1171 的特性
- 精度：1.5%（典型值）
- 低 IQ：100μA（最大值）
- 比标准 1117 器件低 500 倍
- VIN：2.0V 至 5.5V
- VIN：绝对最大值为 6.0V
- 输出电流 0mA 时保持稳定
- 低压降：VOUT = 3.3V，1A 时为 455mV
- 高电源抑制比 (PSRR)：频率 1kHz 时为 65dB
- 最低保证限流：1.1A
- 与低成本陶瓷电容器一起工作时保持稳定性：
- 具有 0Ω 等效串联电阻 (ESR)
- 温度范围：-40°C 至 +125°C
- 具有热关断及过流保护功能
- 提供的封装类型：小外形尺寸晶体管 (SOT)223 封装
- 可提供的电压选项的完整列表请参阅此文档末尾的。
TLV1171 的说明
TLV1171 低压降 (LDO) 线性稳压器是普及型 1117 稳压器的低输入电压版本。
TLV1171 是一款极低功耗器件，其消耗的静态电流为传统 1117 稳压器的五百分之一，这使得 TLV1171非常适合于需要极低待机电流的应用。 TLV1171 LDO 还可在 0 mA 负载电流下保持稳定；没有最低负载要求，这使得此器件非常适合于需要在待机时为极小负载供电、同时又可在正常工作期间提供大约 1A 大电流的应用。 TLV1171 可提供出色的线路与负载瞬态性能，从而可在负载电流要求从不足 1 mA 变为超过 500 mA 时实现极低的下冲与过冲输出电压。
高精度带隙与误差放大器支持 1.5% 的精度。 极高的电源抑制比使该器件能够在开关稳压器之后用于后稳压。 其它重要特性还包括低输出噪声与低压降电压等。
该器件可通过内部补偿，在使用 0 Ω ESR 电容器时保持稳定。 这些重要优势可实现对低成本小型陶瓷电容器的使用。 此外，在必要时还可使用具有较高偏置电压和温度降额的低成本电容器。
TPS1171 采用 SOT223 封装方式。 对于此器件的替代插脚引线，请参考TLV1171LV。