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Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 2000 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 4 CON (typ) (pF) 8 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5.3 Turnon time (enable) (max) (ns) 6.6 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, I2S, JTAG, RGMII, SPI, TDM, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Bandwidth (MHz) 500 Ron (typ) (mΩ) 4000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Supply current (typ) (µA) 2000 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 64 COFF (typ) (pF) 4 CON (typ) (pF) 8 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Ron (max) (mΩ) 9000 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5.3 Turnon time (enable) (max) (ns) 6.6 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) TVSOP (DGV) 14 23.04 mm² (3.6 mm × 6.4 mm) TSSOP (PW) 14 32 mm² (5 mm × 6.4 mm) VQFN (RGY) 14 12.25 mm² (3.5 mm × 3.5 mm)
  • 高带宽数据路径(高达 500MHz)
  • 可耐受 5V 电压并支持器件加电或断电的 I/O
  • 在运行范围内具有平缓的低通态电阻 (ron) 特性(ron 典型值 = 3Ω)
  • 支持在数据 I/O 端口进行轨到轨开关
    • 3.3V VCC 时,开关范围为 0V 至 5V
    • 2.5V VCC 时,开关范围为 0 至 3.3V
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低输入和输出电容可更大程度减小负载和信号失真(Cio(OFF) 典型值 = 4pF)
  • 快速开关频率(fOE 最大值 = 20MHz)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC 典型值 = 0.3mA)
  • VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V)
  • 控制输入可由 TTL、5V 或 3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型(A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 支持数字和模拟应用:USB 接口、差分信号接口、总线隔离、低失真信号门控。
  • 有关 CB3Q 系列器件性能特性的更多信息,请参阅 TI 应用报告 CBT-C、CB3T 和 CB3Q 信号开关系列
  • 高带宽数据路径(高达 500MHz)
  • 可耐受 5V 电压并支持器件加电或断电的 I/O
  • 在运行范围内具有平缓的低通态电阻 (ron) 特性(ron 典型值 = 3Ω)
  • 支持在数据 I/O 端口进行轨到轨开关
    • 3.3V VCC 时,开关范围为 0V 至 5V
    • 2.5V VCC 时,开关范围为 0 至 3.3V
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低输入和输出电容可更大程度减小负载和信号失真(Cio(OFF) 典型值 = 4pF)
  • 快速开关频率(fOE 最大值 = 20MHz)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC 典型值 = 0.3mA)
  • VCC 工作范围为 2.3V 至 3.6V
  • 数据 I/O 支持 0V 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V)
  • 控制输入可由 TTL、5V 或 3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型(A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 支持数字和模拟应用:USB 接口、差分信号接口、总线隔离、低失真信号门控。
  • 有关 CB3Q 系列器件性能特性的更多信息,请参阅 TI 应用报告 CBT-C、CB3T 和 CB3Q 信号开关系列

SN74CB3Q3125 器件是一款高带宽 FET 总线开关,此开关利用一个电荷泵来提升通道晶体管的栅极电压,从而提供一个平缓的低通态电阻 (ron)。平缓的低通态电阻可实现超小的传播延迟,并且支持在数据输入/输出 (I/O) 端口上进行轨到轨开关。SN74CB3Q3125 器件还具有低数据 I/O 电容,以更大限度地减少数据总线上的容性负载和信号失真。

SN74CB3Q3125 器件是一款高带宽 FET 总线开关,此开关利用一个电荷泵来提升通道晶体管的栅极电压,从而提供一个平缓的低通态电阻 (ron)。平缓的低通态电阻可实现超小的传播延迟,并且支持在数据输入/输出 (I/O) 端口上进行轨到轨开关。SN74CB3Q3125 器件还具有低数据 I/O 电容,以更大限度地减少数据总线上的容性负载和信号失真。

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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面贴装转 DIP 接头适配器,用于快速测试 TI 的 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装。

EVM-LEADED1 电路板可用于对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。  该电路板具有足够的空间,可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

HSPICE MODEL OF SN74CB3Q3125

SCEJ199.ZIP (93 KB) - HSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

SN74CB3Q3125 IBIS Model (Rev. A)

SCDM067 (127 KB) - IBIS 模型
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-00180 — 电源具有可编程输出电压,并为位置编码器接口提供保护

此参考设计实现了具有可编程输出电压和创新智能电子保险丝技术的通用电源,可用于工业驱动器上的多标准位置编码器接口模块。电子保险丝提供浪涌电流和过流保护,以及用户可编程的过压和欠压保护,在整个工业温度范围内具有准确的限值。此设计满足 IEC61800-3 中针对 ESD、快速瞬变脉冲和浪涌而规定的 EMC 抗扰性要求。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian
TVSOP (DGV) 14 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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