适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器
产品详细信息
参数
封装|引脚|尺寸
特性
- 用于变压器的推挽式驱动器
- 宽输入电压范围:2.25V 至 5.5V
- 高输出驱动:5V 电源时为 1A
- 低 RON,4.5V 电源时的最大值为 0.25Ω
- 超低 EMI
- 扩频时钟
- 精密内部振荡器选项:160kHz (SN6505A) 和 420kHz(SN6505B)
- 通过外部时钟输入同步多个器件
- 转换率控制
- 1.7A 限流
- 低关断电流:< 1µA
- 热关断
- 宽温度范围:–55°C 至 125°C
- 小型 6 引脚 SOT23 (DBV) 封装
- 具有软启动,可减小浪涌电流
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描述
SN6505 是一款低噪声、低 EMI、推挽式变压器驱动器,专为小型隔离式电源而设计。该器件通过 2.25V 至 5V 的直流电源来驱动薄型、中间抽头的变压器。
通过输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟 (SSC) 可实现超低噪声和 EMI。SN6505 包含一个振荡器,之后是一个栅极驱动器电路,此电路提供补偿输出信号以驱动接地参考 N 通道电源开关。该器件包含两个 1A 电源 MOSFET 开关,确保在重负载条件下正常启动。开关时钟也可由外部提供,这样可确保准确定位开关谐波或者与多个互感器驱动器搭配使用。内部保护 功能 包括一个 1.7A 的电流限制、欠压锁定、热关断且先断后通型电路。SN6505 具有软启动特性,可防止大负载电容器在上电过程中出现高浪涌电流。SN6505 可采用小型 6 引脚 SOT23/DBV 封装。该器件的运行温度范围为 –55°C 至 125°C。
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |
---|---|---|---|---|
* | 数据表 | 适用于隔离式电源的 SN6505 低噪声 1A 变压器驱动器 数据表 (Rev. G) | 下载最新的英文版本 (Rev.H) | 2019年 2月 5日 |
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用户指南 | ISO5852SDW Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules | 2018年 5月 24日 | ||
用户指南 | SN6505A and SN6505B Evaluation Module | 2015年 12月 10日 |
设计与开发
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说明
The ISO5852SDWEVM-017 is a compact, dual chanel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for half-bridge Sic MOSFET and IGBT Power Modules in standard 62-mm package. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation driver IC ISO5852SDW in (...)
特性
- 20-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
- Two 5-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
- Short circuit protection with soft turn OFF and 2-A Miller clamp ability
- Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
- Isolated module temperature and (...)
说明
The evaluation module (EVM), featuring a SN6505B transformer driver, also contains a small form-factor transformer, simple rectifier circuit, and voltage regulator that can be used to simulate a complete isolated power-supply system suitable for many applications.
特性
- Low-noise 1-A transformer driver for isolated power supplies, 420-kHz internal clock
- 5-V input, 5-V output isolated power
- Simple rectifier circuit along with low droput (LDO) regulator gives rectified voltage of 5 V
- Provision for feeding external clock to the device
- EVM tested for device functionality (...)
说明
特性
- 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
- 两个 5.7kVrms 增强型隔离式通道,可支持高达 1700V 的输入轨
- 带软关断的短路保护和带内部 FET 的米勒钳位
- CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案
说明
UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。
特性
- 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
- 5.7kVrms 增强型隔离式通道,可支持高达 1700V 的输入轨
- CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案
说明
特性
- 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
- Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
- Short circuit protection using desat signal with soft turn OFF and Miller clamp with internal FET
- Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
说明
更快、更实惠、更强大:通过快速串行接口 (FSI) 这一全新的串行通信技术,跨隔离层实现 200Mbps 吞吐量
FSI 是 C2000 实时控制微控制器 (MCU) 上提供的一种低信号计数串行通信外设,可提供可靠的低成本通信,而且其吞吐量(高达 200Mbps)高于其他串行外设。FSI (...)
特性
软件特性(免费下载)
• Code Composer Studio – 适用于 TI 微控制器和嵌入式处理器的集成开发环境。
(...)
设计工具和仿真
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入门
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特性
- 利用 Cadence PSpice 技术
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- 针对仿真速度进行了优化,且不会降低精度
- 支持对多个产品进行同步分析
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- 可离线使用
- 在各种工作条件和器件容许范围内验证设计,包括
- 自动测量和后处理
- Monte Carlo 分析
- 最坏情形分析
- 热分析
参考设计
CAD/CAE 符号
封装 | 引脚 | 下载 |
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SOT-23 (DBV) | 6 | 了解详情 |
订购与质量
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/FIT 估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测
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