LMG3670R010
- 具有集成式栅极驱动器的 650V 10mΩ GaN 功率 FET
- >200V/ns FET 释抑
- 10V/ns 至 80V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
- 可在电源引脚和输入逻辑引脚电压范围为 9V 至 26V 的情况下运行
- 强大的保护
- 响应时间 <300ns 的逐周期过流和锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
- 高级电源管理
- LMG3676R010 包括零电压检测（ZVD）功能，便于转换器的软切换，
- LMG3677R010 包括零电流检测（ZCD）功能，可促进转换器的软切换，
- 顶部冷却 9.9mm × 12.3mm 纤薄 TOLT (STOLT) 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感
LMG367xR010 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。
可调栅极驱动器强度允许独立地控制导通和最大关断压摆率，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。导通压摆率从 10V/ns 到 80V/ns 不等，而关断压摆率限制在 10V/ns 至最大值之间。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期过流限制，以及短路和过热保护。LMG3671R010 在 LDO5V 引脚上提供 5V LDO 输出，可用于为外部数字隔离器供电。LMG3676R010 包含零电压检测 (ZVD) 功能，可在实现零电压开关时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。LMG3677R010 包含零电流检测 (ZCD) 功能，可在漏源电流为负时将 ZCD 引脚设置为高电平，并在检测到过零点时转换为低电平。
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| * | 数据表 | 具有集成驱动器和保护功能的 LMG367xR010 650V 10 mΩ GaN FET 数据表 | PDF | HTML | 2026年 3月 10日 |
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