产品详细信息

Vin (Min) (V) 6 Vin (Max) (V) 100 Vout (Min) (V) 1.2 Vout (Max) (V) 95 Iout (Max) (A) 3.5 Iq (Typ) (uA) 14 Switching frequency (Max) (kHz) 1000 Features Enable, Light Load Efficiency, Over Current Protection, Power Good, Pre-Bias Start-Up, Soft Start Fixed, UVLO Adjustable Rating Catalog Regulated outputs (#) 1 Control mode Constant on-time (COT) Duty cycle (Max) (%) 97
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HSOIC (DDA) 8 19 mm² 4.9 x 3.9
  • 专为可靠耐用的应用而设计
  • 针对超低 EMI 要求进行了优化
    • 符合 CISPR 25 5 类标准
  • 适用于可扩展的工业电源
    • 与 LM5163-Q1 和 LM5164-Q1(100V、0.5A 或 1A)以及 LM5013-Q1(100V、3.5A)引脚对引脚兼容
    • 最短导通时间和关闭时间低至 50 ns
    • 10 µA 空载睡眠电流
    • 3.1 µA 关断静态电流
  • 通过集成技术减小解决方案尺寸,降低成本
    • COT 模式控制架构
    • 集成 100V 0.25Ω 高侧功率 MOSFET
    • 1.2V 内部电压基准
    • 无环路补偿组件
    • 内部 VCC 偏置稳压器和自举二极管
  • 使用 WEBENCH Power Designer 创建定制稳压器设计方案
  • 专为可靠耐用的应用而设计
  • 针对超低 EMI 要求进行了优化
    • 符合 CISPR 25 5 类标准
  • 适用于可扩展的工业电源
    • 与 LM5163-Q1 和 LM5164-Q1(100V、0.5A 或 1A)以及 LM5013-Q1(100V、3.5A)引脚对引脚兼容
    • 最短导通时间和关闭时间低至 50 ns
    • 10 µA 空载睡眠电流
    • 3.1 µA 关断静态电流
  • 通过集成技术减小解决方案尺寸,降低成本
    • COT 模式控制架构
    • 集成 100V 0.25Ω 高侧功率 MOSFET
    • 1.2V 内部电压基准
    • 无环路补偿组件
    • 内部 VCC 偏置稳压器和自举二极管
  • 使用 WEBENCH Power Designer 创建定制稳压器设计方案

LM5013 非同步降压转换器用于在宽输入电压范围内进行调节,从而尽可能减少对外部浪涌抑制元件的需求。50ns 的最短可控导通时间有助于实现较大的降压转换比,支持从 48V 标称输入到低电压轨的直接降压转换,从而降低系统的复杂性并减少解决方案成本。 LM5013 在输入电压突降至 6V 时能够根据需要以接近 100% 的占空比继续工作,因而成为高性能工业应用的理想选择。

LM5013 具有集成式高侧功率 MOSFET,可提供高达 3.5A 的输出电流。恒定导通时间 (COT) 控制架构可提供几乎恒定的开关频率,具有出色的负载和线路瞬态响应。 LM5013 的其他特性包括超低 IQ 和创新的峰值过流保护、集成式 VCC 偏置电源和自举二极管、精密使能和输入 UVLO 以及具有自动恢复功能的热关断保护。开漏 PGOOD 指示器可提供进行定序、故障报告和输出电压监视功能。

LM5013 采用 8 引脚 SO PowerPAD™ 集成电路封装。该器件的 1.27mm 引脚间距可以为高电压应用提供足够的间距。

LM5013 非同步降压转换器用于在宽输入电压范围内进行调节,从而尽可能减少对外部浪涌抑制元件的需求。50ns 的最短可控导通时间有助于实现较大的降压转换比,支持从 48V 标称输入到低电压轨的直接降压转换,从而降低系统的复杂性并减少解决方案成本。 LM5013 在输入电压突降至 6V 时能够根据需要以接近 100% 的占空比继续工作,因而成为高性能工业应用的理想选择。

LM5013 具有集成式高侧功率 MOSFET,可提供高达 3.5A 的输出电流。恒定导通时间 (COT) 控制架构可提供几乎恒定的开关频率,具有出色的负载和线路瞬态响应。 LM5013 的其他特性包括超低 IQ 和创新的峰值过流保护、集成式 VCC 偏置电源和自举二极管、精密使能和输入 UVLO 以及具有自动恢复功能的热关断保护。开漏 PGOOD 指示器可提供进行定序、故障报告和输出电压监视功能。

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