产品详细信息

Integrated isolated power No Number of channels (#) 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Isolation rating (Vrms) 3000 Data rate (Max) (Mbps) 50 Rating Automotive Surge voltage capability (Vpk) 6500 Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA) 1.2 Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA) 1.8 Operating temperature range (C) -40 to 125 Default output High, Low Supply voltage (Max) (V) 5.5 Supply voltage (Min) (V) 1.71 Propagation delay (Typ) (ns) 11
Integrated isolated power No Number of channels (#) 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Isolation rating (Vrms) 3000 Data rate (Max) (Mbps) 50 Rating Automotive Surge voltage capability (Vpk) 6500 Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA) 1.2 Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA) 1.8 Operating temperature range (C) -40 to 125 Default output High, Low Supply voltage (Max) (V) 5.5 Supply voltage (Min) (V) 1.71 Propagation delay (Typ) (ns) 11
SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9
  • 提供功能安全
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 满足 VDA320 隔离要求
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1060VRMS 工作电压下具有长工作寿命
    • 隔离等级高达 5000VRMS
    • CMTI 典型值为 ±150kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO672x-Q1) 和低电平 (ISO672xF-Q1) 选项
  • 1Mbps 时的每通道电流典型值为 1.8mA
  • 低传播延迟:11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低干扰 (EMI)
  • 窄 SOIC (D-8) 和宽 SOIC (DWV-8) 封装
  • 安全相关认证:
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1
    • GB 4943.1-2011
  • 提供功能安全
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 满足 VDA320 隔离要求
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1060VRMS 工作电压下具有长工作寿命
    • 隔离等级高达 5000VRMS
    • CMTI 典型值为 ±150kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO672x-Q1) 和低电平 (ISO672xF-Q1) 选项
  • 1Mbps 时的每通道电流典型值为 1.8mA
  • 低传播延迟:11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低干扰 (EMI)
  • 窄 SOIC (D-8) 和宽 SOIC (DWV-8) 封装
  • 安全相关认证:
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1
    • GB 4943.1-2011

ISO672x-Q1 器件是高性能双通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DWV 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值,非常适合具有此类需求的成本敏感型应用。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时, ISO672x-Q1 器件可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。 ISO6720-Q1 器件具有 2 条同向隔离通道。 ISO6721-Q1 器件具有 2 条反向隔离通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。

ISO672x-Q1 器件是高性能双通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DWV 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值,非常适合具有此类需求的成本敏感型应用。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时, ISO672x-Q1 器件可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。 ISO6720-Q1 器件具有 2 条同向隔离通道。 ISO6721-Q1 器件具有 2 条反向隔离通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 ISO672x-Q1 EMC 性能优异的通用增强型和基础型双通道汽车类数字隔离器 数据表 (Rev. H) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.H) PDF | HTML 02 Jun 2022
证书 CQC Certificate for ISOxxD 02 Sep 2022
证书 CSA Certificate for ISO6721RxD 18 Aug 2022
证书 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. K) 05 Aug 2022
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