DRV8106-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
- 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
- 半桥智能栅极驱动器
- 4.9V 至 37V（绝对最大值为 40V）工作电压范围
- 倍增电荷泵可实现 100% PWM
- 引脚对引脚栅极驱动器型号
- DRV8705-Q1：具有低侧放大器的 H 桥
- DRV8706-Q1：具有直列式放大器的 H 桥
- 智能栅极驱动架构
- 可调压摆率控制
- 0.5 mA 至 62 mA 峰值拉电流输出
- 0.5 mA 至 62 mA 峰值灌电流输出
- 集成死区时间握手
- 宽共模电流分流放大器
- 支持直列式高侧或低侧
- 可调增益设置（10、20、40、80 V/V）
- 集成反馈电阻
- 可调 PWM 消隐方案
- 提供多个接口选项
- SPI：详细配置和诊断
- H/W：简化的控制和更少的 MCU 引脚
- 展频时钟可降低 EMI
- 具有可润湿侧翼的紧凑型 VQFN 封装
- 集成保护特性
- 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
- 电源和稳压器电压监控器
- MOSFET VDS 过流监控器
- MOSFET VGS 栅极故障监控器
- 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
- 离线开路负载和短路诊断
- 器件热警告和热关断
- 故障条件中断引脚 (nFAULT)
DRV8106-Q1 是一款高度集成式 半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动电流对减少电磁干扰 (EMI) 进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监控器来防止漏源极和栅极短路问题。
宽共模分流放大器具有内联电流感测功能，即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联感测，放大器可用于低侧或高侧感测配置。
DRV8106-Q1 提供了一系列保护功能，可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控、离线开路负载和短路诊断，以及内部热警告和热关断保护功能。
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技术文档
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设计与开发
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DRV8106H-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块
DRV8106H-Q1EVM 用于评估 DRV8106H-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8106H-Q1 是一款高度集成式半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。宽共模分流放大器具有内嵌式电流检测功能，可持续测量电机电流。
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DRV8106S-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器 EVM
DRV8106S-Q1EVM 用于评估 DRV8106S-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8106S-Q1 是一款高度集成式半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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| VQFN (RHB) | 32 | Ultra Librarian |
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