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有刷直流 (BDC) 电机驱动器

DRV8106-Q1

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具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。

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DRV8106-Q1

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产品详情

Number of full bridges 1/2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1/2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RHB) 32 25 mm² 5 x 5
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 半桥智能栅极驱动器
    • 4.9V 至 37V（绝对最大值为 40V）工作电压范围
    • 倍增电荷泵可实现 100% PWM
  • 引脚对引脚栅极驱动器型号
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调压摆率控制
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值拉电流输出
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值灌电流输出
    • 集成死区时间握手
  • 宽共模电流分流放大器
    • 支持直列式高侧或低侧
    • 可调增益设置（10、20、40、80 V/V）
    • 集成反馈电阻
    • 可调 PWM 消隐方案
  • 提供多个接口选项
    • SPI：详细配置和诊断
    • H/W：简化的控制和更少的 MCU 引脚
  • 展频时钟可降低 EMI
  • 具有可润湿侧翼的紧凑型 VQFN 封装
  • 集成保护特性
    • 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
    • 电源和稳压器电压监控器
    • MOSFET VDS 过流监控器
    • MOSFET VGS 栅极故障监控器
    • 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
    • 离线开路负载和短路诊断
    • 器件热警告和热关断
    • 故障条件中断引脚 (nFAULT)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 半桥智能栅极驱动器
    • 4.9V 至 37V（绝对最大值为 40V）工作电压范围
    • 倍增电荷泵可实现 100% PWM
  • 引脚对引脚栅极驱动器型号
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调压摆率控制
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值拉电流输出
    • 0.5 mA 至 62 mA 峰值灌电流输出
    • 集成死区时间握手
  • 宽共模电流分流放大器
    • 支持直列式高侧或低侧
    • 可调增益设置（10、20、40、80 V/V）
    • 集成反馈电阻
    • 可调 PWM 消隐方案
  • 提供多个接口选项
    • SPI：详细配置和诊断
    • H/W：简化的控制和更少的 MCU 引脚
  • 展频时钟可降低 EMI
  • 具有可润湿侧翼的紧凑型 VQFN 封装
  • 集成保护特性
    • 专用驱动器禁用引脚 (DRVOFF)
    • 电源和稳压器电压监控器
    • MOSFET VDS 过流监控器
    • MOSFET VGS 栅极故障监控器
    • 用于反极性 MOSFET 的电荷泵
    • 离线开路负载和短路诊断
    • 器件热警告和热关断
    • 故障条件中断引脚 (nFAULT)

DRV8106-Q1 是一款高度集成式 半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动电流对减少电磁干扰 (EMI) 进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监控器来防止漏源极和栅极短路问题。

宽共模分流放大器具有内联电流感测功能，即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联感测，放大器可用于低侧或高侧感测配置。

DRV8106-Q1 提供了一系列保护功能，可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控、离线开路负载和短路诊断，以及内部热警告和热关断保护功能。

DRV8106-Q1 是一款高度集成式 半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动电流对减少电磁干扰 (EMI) 进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监控器来防止漏源极和栅极短路问题。

宽共模分流放大器具有内联电流感测功能，即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联感测，放大器可用于低侧或高侧感测配置。

DRV8106-Q1 提供了一系列保护功能，可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控、离线开路负载和短路诊断，以及内部热警告和热关断保护功能。
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设计和开发

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评估板

DRV8106H-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块

DRV8106H-Q1EVM 用于评估 DRV8106H-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8106H-Q1 是一款高度集成式半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。宽共模分流放大器具有内嵌式电流检测功能，可持续测量电机电流。

(...)

用户指南: PDF
英语版 (Rev.A): PDF
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DRV8106S-Q1EVM — 具有宽共模电流检测放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器 EVM

DRV8106S-Q1EVM 用于评估 DRV8106S-Q1，后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8106S-Q1 是一款高度集成式半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动器电流对减少电磁干扰 (EMI)进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。

宽共模分流放大器具有内嵌式电流检测功能，可持续测量电机电流。

(...)

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英语版 (Rev.A): PDF
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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