CSD97370AQ5M

产品详情

VDS (V)

30

Ploss current (A)

25

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

VDS (V)

30

Ploss current (A)

25

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-55 to 150

LSON-CLIP (DQP)

22

30 mm² 6 x 5

25 A 电流下 90% 的系统效率
输入电压高达 22 V
高频率工作（高达 2 MHz）
整合电源块技术
高密度 — SON 5-毫米 × 6-毫米封装
低功耗： 2.8 W （在 25 A 电流下）
超低电感封装
系统优化 PCB 封装方式
通用 5 V PWM 信号兼容新
三态 PWM 输入
集成型自举二极管
预偏置启动保护
贯通保护
符合 RoHS 标准——无铅型触电无卤素电镀

25 A 电流下 90% 的系统效率
输入电压高达 22 V
高频率工作（高达 2 MHz）
整合电源块技术
高密度 — SON 5-毫米 × 6-毫米封装
低功耗： 2.8 W （在 25 A 电流下）
超低电感封装
系统优化 PCB 封装方式
通用 5 V PWM 信号兼容新
三态 PWM 输入
集成型自举二极管
预偏置启动保护
贯通保护
符合 RoHS 标准——无铅型触电无卤素电镀

CSD97370AQ5M NexFET 功率级是一款优化型设计，适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了一个增强型栅极驱动器 IC 与电源块技术，以完善功率级开关功能。这种组合形成了一个高电流、高效率、高速开关器件，并凭借其大尺寸的以地面为基础的热垫，在小型 5-mm x 6-mm 外形封装内提供了一个出色的热源解决方案。此外，还对 PCB 的器件封装进行了优化，以帮助缩短设计时间并简化整个系统设计方案的完成。

CSD97370AQ5M NexFET 功率级是一款优化型设计，适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了一个增强型栅极驱动器 IC 与电源块技术，以完善功率级开关功能。这种组合形成了一个高电流、高效率、高速开关器件，并凭借其大尺寸的以地面为基础的热垫，在小型 5-mm x 6-mm 外形封装内提供了一个出色的热源解决方案。此外，还对 PCB 的器件封装进行了优化，以帮助缩短设计时间并简化整个系统设计方案的完成。